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> BU921PFI
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
BU921PFI
描述
高
电压
·达林顿
应用
·设计
汽车点火应用和逆变器
电路,用于电机控制。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃
)
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 发射极电压V
BE
= 0
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
450
单位
V
400
5
V
V
10
A
15
5
55
150
-65~150
A
A
W
℃
℃
P
C
T
j
T
英镑
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
存储温度范围
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
2.27
单位
℃/W
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BU921PFI
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0
400
V
V
CE
(sat)-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 50毫安
B
1.8
V
V
CE
(sat)-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 140毫安
B
1.8
V
V
BE
(sat)-1
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 50毫安
B
2.2
V
V
BE
(sat)-2
基射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 140毫安
B
2.5
0.25
0.5
0.25
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
ECF
C- ê二极管正向电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
CE
= 450V; V
BE
= 0
V
CE
= 450V; V
BE
= 0;T
j
= 125℃
V
CE
= 400V ;我
B
= 0
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
I
F
= 7A
mA
mA
50
mA
2.5
V
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
BU921PFI
描述
高
电压
·达林顿
应用
·设计
汽车点火应用和逆变器
电路,用于电机控制。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃
)
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 发射极电压V
BE
= 0
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
450
400
5
10
15
5
55
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
2.27
单位
℃/W
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ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BU921PFI
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0
400
V
V
CE
(sat)-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 50毫安
B
1.8
V
V
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(sat)-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
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= 7A ;我
B
= 140毫安
B
1.8
V
V
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(sat)-1
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 50毫安
B
2.2
V
V
BE
(sat)-2
基射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 140毫安
B
2.5
0.25
0.5
0.25
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 450V; V
BE
= 0
V
CE
= 450V; V
BE
= 0;T
j
= 125℃
V
CE
= 400V ;我
B
= 0
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I
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收藏家Cuto FF电流
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
50
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= 7A
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