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BU808DFP
高压快速切换
NPN大功率达林顿管
s
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s
意法半导体的优选
SALESTYPE
NPN达林顿MONOLITHIC带
集成续流二极管
高电压能力( > 1400 V)
高直流电流增益(典型值150 )
全塑壳隔离的封装2KV
直流隔离( U.L.兼容)
基数低驱动要求
专用的应用程序说明AN1184
3
1
2
应用
s
成本效益的解决方案
水平偏转低端
电视达21英寸。
描述
该BU808DFP是在单片NPN晶体管
达林顿配置。它是利用制造
Multiepitaxial梅萨技术,具有成本效益
高性能。
TO-220FP
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
吨OT
T
英镑
T
j
2000年6月
参数
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值(T
p
& LT ; 5毫秒)
基极电流
基峰电流(T
p
& LT ; 5毫秒)
总功耗在T
c
= 25 C
圣ORAGE温度
马克斯。工作结温
o
价值
1400
700
5
8
10
3
6
42
-65到150
150
UNI吨
V
V
V
A
A
A
A
W
o
o
C
C
1/7
BU808DFP
热数据
R
吨HJ -CA SE
热阻结案件
最大
2.98
o
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
SYMB OL
I
CES
I
EBO
V
CE (SAT)
V
BE (S AT)
h
F ê
参数
集电极截止
电流(V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
BASE- ER Emitt
饱和电压
直流电流增益
电感LO AD
贮存时间
下降时间
电感LO AD
贮存时间
下降时间
测试电导率银行足球比赛s
V
CE
= 1400 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 5 A
I
C
= 5 A
I
C
= 5 A
I
C
= 5 A
I
B
= 0.5 A
I
B
= 0.5 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
60
20
分钟。
典型值。
马克斯。
400
100
1.6
2.1
230
取消它
A
mA
V
V
T
j
= 100 C
o
t
s
t
f
t
s
t
f
V
F
V
CC
= 150 V
I
B1
= 0.5 A
V
CC
= 150 V
I
B1
= 0.5 A
T
j
= 100
o
C
I
C
= 5 A
V
BEoff
= -5 V
I
C
= 5 A
V
BEoff
= -5 V
3
0.8
2
0.8
3
s
s
s
s
V
二极管F orward电压I
F
= 5 A
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
安全工作区
热阻抗
2/7
BU808DFP
降额曲线
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
功率损耗16千赫
开关时间感性负载在16KHz的
3/7
BU808DFP
开关时间感性负载在16KHz的
反向偏置SOA
基极驱动信息
以饱和的电源开关,并减少
导通损耗,足够直接的基极电流
I
B1
已被设置为最低增益
FE
at
100
o
C(行扫描相位) 。另一方面,
负基极电流I
B2
必须提供给
关闭电源晶体管(回扫期) 。
大部分的耗散,在偏转
应用程序时,发生在关断。因此,它是
对于确定的I值
B2
最大限度地减少功率损耗,下降时间t
f
而且,
因此,T
j
。一组新的曲线一直
定义的,得到的总功率损耗,叔
s
和T
f
作为
我的功能
B2
在两个16千赫兹扫描
频率选择最佳的负
驾驶。测试电路示于图1 。
电感L
1
用于控制的斜率
负基极电流I
B2
重新组合
在集电极过量载体时的基极电流
仍然存在,这将避免任何拖尾
现象中的集电极电流。
L和C的值是从所计算的
下面的等式:
1
1
1
L
(
I
C
)
2
=
C
(
V
CEfly
)
2
ω =
2
π
f
=
2
2
L
C
在那里我
C
=工作集电极电流,V
CEfly
=
反激电压, F =振荡期间频率
追溯。
4/7
BU808DFP
图1:
感应负载开关测试电路。
图2:
开关波形在一个偏转电路
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