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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 550V （最小值）
高
开关速度
应用
·设计
在电源和偏转电路使用
对于彩色接收机和监视器
绝对最大额定值（T
a
=25
℃
)
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BU603
参数
集电极 - 发射极电压V
BE
= 0
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
基极电流峰值
发射极电流连续
发射极电流峰值
集电极耗散功率
T
C
=25℃
结温
存储Ttemperature范围
价值
1350
550
6
5
8
2
4
7
12
100
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
A
W
℃
℃
I
BM
I
E
I
EM
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.25
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CE
(sat)-1
V
CE
(sat)-2
I
CES
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
h
FE-4
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安;我
B
= 0
I
C
= 2A ;我
B
= 0.33A
B
BU603
民
550
典型值。
最大
单位
V
2
3
1
2
1
6
8
6
3
V
V
mA
mA
I
C
= 4A ;我
B
= 1.33A
B
V
CE
= V
CESmax
; V
BE
= 0
V
CE
= V
CESmax
; V
BE
= 0;T
J
= 125℃
V
EB
= 6V ;我
C
= 0
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5V
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
I
C
= 2A ; V
CE
= 2V
I
C
= 4A ; V
CE
= 3V
开关时间;阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 2A ;我
B1
= -I
B2
= 0.33A
0.5
6.0
0.7
μs
μs
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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B57431V2222+062
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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