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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU536
描述
·采用TO-3封装
·高电压
·快速开关速度
应用
·对于彩电水平偏转电路。
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
t
p
<5ms
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1100
480
7
8
15
62
175
-65~175
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.0
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0;
I
E
= 10毫安;我
C
=0;
I
C
=4A;I
B
=0.8A
I
C
=4A;I
B
=0.8A
V
CB
=1100V;I
E
=0
V
EB
=5V;I
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 4A ; V
CE
=5V
10
6.5
民
480
7
典型值。
BU536
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
最大
单位
V
V
5.0
1.5
1.0
0.1
V
V
mA
mA
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU536
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU536
描述
·带
TO- 3封装
高
电压
·快速
开关速度
应用
For
彩电水平偏转电路。
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
t
p
<5ms
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1100
480
7
8
15
62
175
-65~175
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.0
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0;
I
E
= 10毫安;我
C
=0;
I
C
=4A;I
B
=0.8A
I
C
=4A;I
B
=0.8A
V
CB
=1100V;I
E
=0
V
EB
=5V;I
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 4A ; V
CE
=5V
10
5.5
民
480
7
典型值。
BU536
最大
单位
V
V
5.0
1.5
1.0
0.1
V
V
mA
mA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU536
图2外形尺寸
3
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