1/4
结构
TYPE
产品
特点
硅单片集成电路
BU52012 NVX
霍尔效应开关
1 )单极检测( S极)
2)高灵敏度(乙
OP
TYP 3.0mT )
3 )低电源电流
4 )小型封装
5 ) CMOS输出型
“绝对
最大额定值(Ta = 25℃)
参数
符号
电源电压
输出电流
功耗
工作温度范围
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
极限
-0.1½+4.5
±0.5
2049
※2
※1
单位
V
mA
mW
℃
-40½+85
存储温度范围
T
英镑
-40½+125
℃
※ 1 。不超过钯
※ 2 。每提高1 ℃,钽超过25 ℃降低20.49mW
(安装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板)
“操作
CONDITIONS (Ta=-40½+85℃)
参数
符号最小值
电源电压
V
DD
1.65
典型值
3.00
最大
3.60
单位
V
辐射抗寒没有设计。
REV 。一
2/4
●磁性,
电气特性(除非另有说明,V
DD
= 3.00V , TA = 25 ℃ )
参数
操作点
放点
期
输出高电压
输出低电压
供应当前1
供应电流2
符号
B
OPS
B
RPS
T
p
V
OH
V
OL
I
DD1(AVG)
I
DD2(AVG)
民
-
0.6
-
V
DD
-0.2
-
-
-
极限
典型值
3.0
2.1
50
-
-
3.5
8.0
最大
5.0
-
100
-
0.2
5.5
12.5
单位
mT
mT
ms
V
V
μA
μA
B<B
RPS
B
OPS
<b
条件
※3
I
OUT
=-0.5mA
※3
I
OUT
=+0.5mA
V
DD
=1.8V,Average
V
DD
=3.0V,Average
※ 3 。 B =磁通密度
1mT=10Gauss
正( “+”)极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向来
该品牌面对的传感器。
将电源后,需要一段的一个周期(T
P
)成为一定的输出。
REV 。一
4/4
.Block图
VDD
时序逻辑
偏移取消
霍尔元件
动态
样品
&放大器;持有
×
LATCH
OUT
GND
●使用注意事项
1 )绝对最大额定值
过量的绝对最大额定值,如电源电压,工作条件温度范围等,可以
分解装置,因此使得不可能识别断模式,例如短路或开路。如果有任何
特殊模式超过绝对最大额定值假定,应考虑采取人身安全
措施包括使用保险丝等。
2 )电压GND
使GND端子的电位的设置,以使得它可以保持在最小,在任何操作状态。
3 )热设计
进行热设计,其中有足够的余量通过考虑在允许的耗散(概率pd )
使用的实际状态。
4 )引脚短路和误配件
当在PCB上安装IC ,注意IC的取向。如果有一个放置错误,该IC可
被烧毁。
5 )运行在强电场
需要指出的是使用集成电路的强电场会发生故障他们。
6 )互阻抗
使用短而宽的布线的磁道,用于电源和接地,以保持互阻抗
尽可能地小。使用一个电容器,以保持脉动降至最低。
7 )接地布线图案
如果小信号GND和大电流GND被提供,这将被推荐给分离
在小信号GND模式大电流接地方式,建立一个单一的地面参考
点的集合的PCB ,以便于布线图案和电压波动的抵抗由于大电流
将导致在小信号GND的电压没有波动。注意不要引起波动
外部零件,以及GND布线图案。
8 )电源设计
由于IC进行间歇操作时,它具有的峰值电流时,它的开启。请考虑到这一点
在设计电源时,帐户,然后在适当的检查评估。
9 )请避免在PCB材质,强度,安装位置的潜在过度紧张。
如果您有任何问题或疑虑,请联系您的销售罗门哈斯和联盟。
REV 。一
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部,则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更,恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的(在下文中
"Products" ) 。如果你希望使用任何此类产品,请务必参阅规格,
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路,电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时,必须考虑到。
时非常谨慎,以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是,如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息, ROHM ,应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你,或明或
隐,任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置(诸如视听设备,办公自动化设备, commu-
讯设备,电子电器,娱乐设备) 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性,一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害,火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障,如降级,冗余,消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备,设备使用,或
系统,该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵,其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险(如医疗
仪表,交通运输设备,航空器械,核反应器,燃
控制器或其他安全装置) 。 ROHM应承担以任何方式使用任何不承担责任
的产品适用于上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途,请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制,你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问,以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以,请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
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R1010A
霍尔IC
单极检测
霍尔IC
BU52002GUL,BU52003GUL,BU52012NVX,BU52012HFV,BU52013HFV
°说明
单极检测霍尔IC检测仅采用了N极和S极。
打开输出(低电平有效),当检测到。
■特点
1 )单极检测
2)微操作(使用间歇操作法的小电流)
3 )超小型封装CSP4 ( BU52002GUL , BU52003GUL )
4 )超小型封装( BU52012NVX )
5 )小外形封装( BU52012HFV , BU52013HFV )
6 )进线供电电压可达
对于1.8V的电源电压( BU52012NVX , BU52012HFV , BU52013HFV )
对于3.0V电源电压( BU52002GUL , BU52003GUL )
7 )高ESD抵抗8kV的( HBM )
■应用
移动电话,笔记本电脑,数字摄像机,数字照相机等
Lineup
矩阵
供应
电压
(V)
2.40½3.30
1.65½3.60
1.65½3.30
2.40½3.30
1.65½3.30
操作
点
(MT )
3.7
3.0
3.0
-3.7
-3.0
※
No.10045ECT03
功能产品名称
迟滞
(MT )
0.8
0.9
0.9
0.8
0.9
期
(女士)
50
50
50
50
50
供应
当前
(平均)。
(A)
6.5
3.5
3.5
6.5
3.5
输出类型
包
BU52002GUL
S极
BU52012NVX
BU52012HFV
BU52003GUL
N极
BU52013HFV
CMOS
COMS
CMOS
CMOS
CMOS
VCSP50L1
SSON004X1216
HVSOF5
VCSP50L1
HVSOF5
※
※
※
※
※加
上表达的S极;减去上的N极
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2010.08 - Rev.C
BU52002GUL,BU52003GUL,BU52012NVX,BU52012HFV,BU52013HFV
“绝对
最大额定值
BU52002GUL , BU52003GUL ( TA = 25 ℃ )
参数
符号
评级
电源电压
输出电流
功耗
操作
温度范围
存储
温度范围
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
-0.1½+4.5
※
±1
420
※
2
-40½+85
-40½+125
1
技术说明
单位
V
mA
mW
℃
℃
BU52012NVX ( TA = 25 ℃ )
参数
符号
电源电压
输出电流
功耗
操作
温度范围
存储
温度范围
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
评级
-0.1½+4.5
※
±0.5
2049
※
4
单位
3
V
mA
mW
℃
℃
-40½+85
-40½+125
※1.
不超过钯
※2.
每提高1 ℃,钽超过25 ℃降低4.20mW
(安装在50毫米X20 58毫米玻璃环氧树脂印刷电路板)
※3.
不超过钯
※4.
每提高1 ℃,钽超过25 ℃降低5.36mW
(安装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板)
BU52012HFV , BU52013HFV ( TA = 25 ℃ )
参数
符号
评级
电源电压
输出电流
功耗
操作
温度范围
存储
温度范围
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
-0.1½+4.5
※
5
±0.5
536
※
6
-40½+85
-40½+125
单位
V
mA
mW
℃
℃
※5.
不超过钯
※6.
每提高1 ℃,钽超过25 ℃降低5.36mW
(安装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板)
●磁性,
电气特性
BU52002GUL (除非另有规定,V
DD
= 3.0V , TA = 25 ℃ )
范围
参数
符号
分钟。
典型值。
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
输出高电压
输出低电压
电源电流
电源电流
在启动时间
电源电流
在待机时间
V
DD
B
OPS
B
RPS
B
hysS
T
P
V
OH
V
OL
I
DD ( AVG )
I
DD ( EN )
I
DD ( DIS )
2.4
-
0.8
-
-
V
DD
-0.4
-
-
-
-
3.0
3.7
2.9
0.8
50
-
-
6.5
4.7
3.8
马克斯。
3.3
5.5
-
-
100
-
0.4
9
-
-
单位
V
mT
mT
mT
ms
V
V
A
mA
A
条件
B<B
RPS
I
OUT
=-1.0mA
B
OPS
<b
I
OUT
=+1.0mA
平均
※
7
※
7
在启动时间价值
在待机时间价值
※7.
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正( “+”)极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后,需要一段的一个周期(T
P
)成为一定的输出。
辐射抗寒没有设计。
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BU52002GUL,BU52003GUL,BU52012NVX,BU52012HFV,BU52013HFV
BU52003GUL (除非另有规定,V
DD
= 3.0V , TA = 25 ℃ )
范围
参数
符号
分钟。
典型值。
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
输出高电压
输出低电压
电源电流
电源电流
在启动时间
电源电流
在待机时间
V
DD
B
OPN
B
RPN
B
hysN
T
P
V
OH
V
OL
I
DD ( AVG )
I
DD ( EN )
I
DD ( DIS )
2.4
-5.5
-
-
-
V
DD
-0.4
-
-
-
-
3.0
-3.7
-2.9
0.8
50
-
-
6.5
4.7
3.8
技术说明
马克斯。
3.3
-
-0.8
-
100
-
0.4
9
-
-
单位
V
mT
mT
mT
ms
V
V
A
mA
A
条件
B
RPN
<b
I
OUT
=-1.0mA
B<B
OPN
I
OUT
=+1.0mA
平均
※
8
※
8
在启动时间价值
在待机时间价值
※8.
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正( “+”)极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后,需要一段的一个周期(T
P
)成为一定的输出。
辐射抗寒没有设计。
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BU52002GUL,BU52003GUL,BU52012NVX,BU52012HFV,BU52013HFV
BU52012NVX (除非另有规定,V
DD
= 1.80V , TA = 25 ℃ )
范围
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
输出高电压
输出低电压
电源电流1
电源电流
在启动时间1
电源电流
在待机时间1
电源电流2
电源电流
在启动时间2
电源电流
在待机时间2
V
DD
B
OPS
B
RPS
B
hysS
T
P
V
OH
V
OL
I
DD1(AVG)
I
DD1(EN)
I
DD1(DIS)
I
DD2(AVG)
I
DD2(EN)
I
DD2(DIS)
1.65
-
0.6
-
-
V
DD
-0.2
-
-
-
-
-
-
-
1.80
3.0
2.1
0.9
50
-
-
3.5
2.8
1.8
8.0
5.3
5.2
3.60
5.0
-
-
100
-
0.2
5.5
-
-
12.5
-
-
技术说明
单位
V
mT
mT
mT
ms
V
V
A
mA
A
A
mA
A
条件
B<B
RPS
I
OUT
=-0.5mA
B
OPS
<b
I
OUT
=+0.5mA
V
DD
= 1.8V ,平均
※
9
※
9
V
DD
=1.8V,
在启动时间价值
V
DD
=1.8V,
在待机时间价值
V
DD
= 3.0V ,平均
V
DD
=3.0V,
在启动时间价值
V
DD
=3.0V,
在待机时间价值
※9.
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正( “+”)极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后,需要一段的一个周期(T
P
)成为一定的输出。
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BU52012HFV (除非另有规定,V
DD
= 1.80V , TA = 25 ℃ )
范围
参数
符号
分钟。
典型值。
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
输出高电压
输出低电压
电源电流1
电源电流
在启动时间1
电源电流
在待机时间1
电源电流2
电源电流
在启动时间2
电源电流
在待机时间2
V
DD
B
OPS
B
RPS
B
hysS
T
P
V
OH
V
OL
I
DD1(AVG)
I
DD1(EN)
I
DD1(DIS)
I
DD2(AVG)
I
DD2(EN)
I
DD2(DIS)
1.65
-
0.6
-
-
V
DD
-0.2
-
-
-
-
-
-
-
1.80
3.0
2.1
0.9
50
-
-
3.5
2.8
1.8
6.5
4.5
4.0
技术说明
马克斯。
3.30
5.0
-
-
100
-
0.2
5.5
-
-
9
-
-
单位
V
mT
mT
mT
ms
V
V
A
mA
A
A
mA
A
条件
B<B
RPS
I
OUT
=-0.5mA
B
OPS
<b
I
OUT
=+0.5mA
V
DD
= 1.8V ,平均
※
10
※
10
V
DD
=1.8V,
在启动时间价值
V
DD
=1.8V,
在待机时间价值
V
DD
= 2.7V ,平均
V
DD
=2.7V,
在启动时间价值
V
DD
=2.7V,
在待机时间价值
※10.
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正( “+”)极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后,需要一段的一个周期(T
P
)成为一定的输出。
辐射抗寒没有设计。
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