霍尔IC
单极检测
霍尔IC
BU52002GUL,BU52003GUL,BU52012NVX,BU52012HFV,BU52013HFV
°说明
单极检测霍尔IC检测仅采用了N极和S极。
打开输出（低电平有效），当检测到。
■特点
1 ）单极检测
2）微操作（使用间歇操作法的小电流）
3 ）超小型封装CSP4 （ BU52002GUL ， BU52003GUL ）
4 ）超小型封装（ BU52012NVX ）
5 ）小外形封装（ BU52012HFV ， BU52013HFV ）
6 ）进线供电电压可达
对于1.8V的电源电压（ BU52012NVX ， BU52012HFV ， BU52013HFV ）
对于3.0V电源电压（ BU52002GUL ， BU52003GUL ）
7 ）高ESD抵抗8kV的（ HBM ）
■应用
移动电话，笔记本电脑，数字摄像机，数字照相机等
Lineup
矩阵
供应
电压
(V)
2.40½3.30
1.65½3.60
1.65½3.30
2.40½3.30
1.65½3.30
操作
点
（MT ）
3.7
3.0
3.0
-3.7
-3.0
※
No.10045ECT03
功能产品名称
迟滞
（MT ）
0.8
0.9
0.9
0.8
0.9
期
（女士）
50
50
50
50
50
供应
当前
（平均）。
(A)
6.5
3.5
3.5
6.5
3.5
输出类型
包
BU52002GUL
S极
BU52012NVX
BU52012HFV
BU52003GUL
N极
BU52013HFV
CMOS
COMS
CMOS
CMOS
CMOS
VCSP50L1
SSON004X1216
HVSOF5
VCSP50L1
HVSOF5
※
※
※
※
※加
上表达的S极;减去上的N极
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BU52002GUL,BU52003GUL,BU52012NVX,BU52012HFV,BU52013HFV
“绝对
最大额定值
BU52002GUL ， BU52003GUL （ TA = 25 ℃ ）
参数
符号
评级
电源电压
输出电流
功耗
操作
温度范围
存储
温度范围
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
-0.1½+4.5
※
±1
420
※
2
-40½+85
-40½+125
1
技术说明
单位
V
mA
mW
℃
℃
BU52012NVX （ TA = 25 ℃ ）
参数
符号
电源电压
输出电流
功耗
操作
温度范围
存储
温度范围
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
评级
-0.1½+4.5
※
±0.5
2049
※
4
单位
3
V
mA
mW
℃
℃
-40½+85
-40½+125
※1.
不超过钯
※2.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低4.20mW
（安装在50毫米X20 58毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
※3.
不超过钯
※4.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低5.36mW
（安装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
BU52012HFV ， BU52013HFV （ TA = 25 ℃ ）
参数
符号
评级
电源电压
输出电流
功耗
操作
温度范围
存储
温度范围
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
-0.1½+4.5
※
5
±0.5
536
※
6
-40½+85
-40½+125
单位
V
mA
mW
℃
℃
※5.
不超过钯
※6.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低5.36mW
（安装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
●磁性，
电气特性
BU52002GUL （除非另有规定，V
DD
= 3.0V ， TA = 25 ℃ ）
范围
参数
符号
分钟。
典型值。
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
输出高电压
输出低电压
电源电流
电源电流
在启动时间
电源电流
在待机时间
V
DD
B
OPS
B
RPS
B
hysS
T
P
V
OH
V
OL
I
DD （ AVG ）
I
DD （ EN ）
I
DD （ DIS ）
2.4
-
0.8
-
-
V
DD
-0.4
-
-
-
-
3.0
3.7
2.9
0.8
50
-
-
6.5
4.7
3.8
马克斯。
3.3
5.5
-
-
100
-
0.4
9
-
-
单位
V
mT
mT
mT
ms
V
V
A
mA
A
条件
B<B
RPS
I
OUT
=-1.0mA
B
OPS
<b
I
OUT
=+1.0mA
平均
※
7
※
7
在启动时间价值
在待机时间价值
※7.
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后，需要一段的一个周期（T
P
）成为一定的输出。
辐射抗寒没有设计。
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BU52002GUL,BU52003GUL,BU52012NVX,BU52012HFV,BU52013HFV
BU52003GUL （除非另有规定，V
DD
= 3.0V ， TA = 25 ℃ ）
范围
参数
符号
分钟。
典型值。
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
输出高电压
输出低电压
电源电流
电源电流
在启动时间
电源电流
在待机时间
V
DD
B
OPN
B
RPN
B
hysN
T
P
V
OH
V
OL
I
DD （ AVG ）
I
DD （ EN ）
I
DD （ DIS ）
2.4
-5.5
-
-
-
V
DD
-0.4
-
-
-
-
3.0
-3.7
-2.9
0.8
50
-
-
6.5
4.7
3.8
技术说明
马克斯。
3.3
-
-0.8
-
100
-
0.4
9
-
-
单位
V
mT
mT
mT
ms
V
V
A
mA
A
条件
B
RPN
<b
I
OUT
=-1.0mA
B<B
OPN
I
OUT
=+1.0mA
平均
※
8
※
8
在启动时间价值
在待机时间价值
※8.
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后，需要一段的一个周期（T
P
）成为一定的输出。
辐射抗寒没有设计。
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BU52002GUL,BU52003GUL,BU52012NVX,BU52012HFV,BU52013HFV
BU52012NVX （除非另有规定，V
DD
= 1.80V ， TA = 25 ℃ ）
范围
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
输出高电压
输出低电压
电源电流1
电源电流
在启动时间1
电源电流
在待机时间1
电源电流2
电源电流
在启动时间2
电源电流
在待机时间2
V
DD
B
OPS
B
RPS
B
hysS
T
P
V
OH
V
OL
I
DD1(AVG)
I
DD1(EN)
I
DD1(DIS)
I
DD2(AVG)
I
DD2(EN)
I
DD2(DIS)
1.65
-
0.6
-
-
V
DD
-0.2
-
-
-
-
-
-
-
1.80
3.0
2.1
0.9
50
-
-
3.5
2.8
1.8
8.0
5.3
5.2
3.60
5.0
-
-
100
-
0.2
5.5
-
-
12.5
-
-
技术说明
单位
V
mT
mT
mT
ms
V
V
A
mA
A
A
mA
A
条件
B<B
RPS
I
OUT
=-0.5mA
B
OPS
<b
I
OUT
=+0.5mA
V
DD
= 1.8V ，平均
※
9
※
9
V
DD
=1.8V,
在启动时间价值
V
DD
=1.8V,
在待机时间价值
V
DD
= 3.0V ，平均
V
DD
=3.0V,
在启动时间价值
V
DD
=3.0V,
在待机时间价值
※9.
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后，需要一段的一个周期（T
P
）成为一定的输出。
辐射抗寒没有设计。
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BU52002GUL,BU52003GUL,BU52012NVX,BU52012HFV,BU52013HFV
BU52012HFV （除非另有规定，V
DD
= 1.80V ， TA = 25 ℃ ）
范围
参数
符号
分钟。
典型值。
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
输出高电压
输出低电压
电源电流1
电源电流
在启动时间1
电源电流
在待机时间1
电源电流2
电源电流
在启动时间2
电源电流
在待机时间2
V
DD
B
OPS
B
RPS
B
hysS
T
P
V
OH
V
OL
I
DD1(AVG)
I
DD1(EN)
I
DD1(DIS)
I
DD2(AVG)
I
DD2(EN)
I
DD2(DIS)
1.65
-
0.6
-
-
V
DD
-0.2
-
-
-
-
-
-
-
1.80
3.0
2.1
0.9
50
-
-
3.5
2.8
1.8
6.5
4.5
4.0
技术说明
马克斯。
3.30
5.0
-
-
100
-
0.2
5.5
-
-
9
-
-
单位
V
mT
mT
mT
ms
V
V
A
mA
A
A
mA
A
条件
B<B
RPS
I
OUT
=-0.5mA
B
OPS
<b
I
OUT
=+0.5mA
V
DD
= 1.8V ，平均
※
10
※
10
V
DD
=1.8V,
在启动时间价值
V
DD
=1.8V,
在待机时间价值
V
DD
= 2.7V ，平均
V
DD
=2.7V,
在启动时间价值
V
DD
=2.7V,
在待机时间价值
※10.
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后，需要一段的一个周期（T
P
）成为一定的输出。
辐射抗寒没有设计。
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附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
霍尔IC系列
单极检测
霍尔IC
BU52002GUL,BU52003GUL,BU52012HFV,BU52013HFV
No.10045EBT03
°说明
单极检测霍尔IC检测仅采用了N极和S极。打开输出（低电平有效），当检测到。
它是对严格单极检测和时更低的功耗需要最合适的。
■特点
1 ）单极检测
2）微操作（使用间歇操作法的小电流）
3 ）超小型封装CSP4 （ BU52002GUL ， BU52003GUL ）
4 ）小外形封装（ BU52012HFV ， BU52013HFV ）
5 ）进线供电电压可达
对于1.8V的电源电压（ BU52012HFV ， BU52013HFV ）
对于3.0V电源电压（ BU52002GUL ， BU52003GUL ）
6 ）高ESD抵抗8kV的（ HBM ）
■应用
移动电话，笔记本电脑，数字摄像机，数字照相机等
“产品
阵容
产品名称
BU52002GUL
BU52003GUL
BU52012HFV
BU52013HFV
电源电压工作点
(V)
（MT ）
2.40½3.30
3.7
※
2.40½3.30
-3.7
※
1.65½3.30
3.0
※
1.65½3.30
-3.0
※
迟滞
（MT ）
0.8
0.8
0.9
0.9
期
（女士）
50
50
50
50
电源电流
（ AVG ）。 （ μA ）
6.5
6.5
3.5
3.5
输出类型
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
包
VCSP50L1
VCSP50L1
HVSOF5
HVSOF5
※加
上表达的S极;减去上的N极
“绝对
最大额定值
BU52002GUL ， BU52003GUL （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
极限
-0.1½+4.5
※
1
±1
2
420
※
-40½+85
-40½+125
单位
V
mA
mW
℃
℃
※1.
不超过钯
※2.
在25℃以上降低4.20mW为1 ℃每上升TA（安装在50毫米X20 58毫米玻璃环氧PCB）
BU52012HFV ， BU52013HFV （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
极限
-0.1½+4.5
※
3
±0.5
536
※
4
-40½+85
-40½+125
单位
V
mA
mW
℃
℃
※3.
不超过钯
※4.
在25℃以上降低5.36mW为1 ℃每上升TA（安装在70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧PCB）
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2010.01 - Rev.B的
BU52002GUL,BU52003GUL,BU52012HFV,BU52013HFV
●磁性，
电气特性
BU52002GUL （除非另有规定，V
DD
＝3.0V,
Ta＝25℃)
参数
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
Output High Vol½age
输出低电压
电源电流
电源电流在启动时间
电源电流在待机时间
符号
V
DD
B
OPS
B
RPS
B
hysS
T
P
V
OH
V
OL
I
DD （ AVG ）
I
DD （ EN ）
I
DD （ DIS ）
民
2.4
-
0.8
-
-
V
DD
-0.4
-
-
-
-
极限
典型值
3.0
3.7
2.9
0.8
50
-
-
6.5
4.7
3.8
最大
3.3
5.5
-
-
100
-
0.4
9
-
-
单位
V
mT
mT
mT
ms
V
V
μA
mA
μA
技术说明
条件
B<B
RPS
※
5
, I
OUT
=-1.0mA
B
OPS
<b
※
5
, I
OUT
=+1.0mA
平均
在启动时间价值
在待机时间价值
※5.
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后，需要一段的一个周期（T
P
）成为一定的输出。辐射抗寒没有设计。
BU52003GUL （除非另有规定，V
DD
＝3.0V,
Ta＝25℃)
极限
参数
符号
民
典型值
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
Output High Vol½age
输出低电压
电源电流
电源电流在启动时间
电源电流在待机时间
V
DD
B
OPN
B
RPN
B
hysN
T
P
V
OH
V
OL
I
DD （ AVG ）
I
DD （ EN ）
I
DD （ DIS ）
2.4
-5.5
-
-
-
V
DD
-0.4
-
-
-
-
3.0
-3.7
-2.9
0.8
50
-
-
6.5
4.7
3.8
最大
3.3
-
-0.8
-
100
-
0.4
9
-
-
单位
V
mT
mT
mT
ms
V
V
μA
mA
μA
条件
B
RPN
<B ※ 6 ，我
OUT
=-1.0mA
B<B
OPN
※6
, I
OUT
=+1.0mA
平均
在启动时间价值
在待机时间价值
※6.
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后，需要一段的一个周期（T
P
）成为一定的输出。辐射抗寒没有设计。
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2/13
2010.01 - Rev.B的
BU52002GUL,BU52003GUL,BU52012HFV,BU52013HFV
技术说明
BU52012HFV （除非另有规定，V
DD
＝1.80V,
Ta＝25℃)
极限
参数
符号
民
典型值
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
Output High Vol½age
输出低电压
电源电流1
电源电流在启动时间1
供应CurrentDuring待机时间1
电源电流2
电源电流在启动时间2
供应CurrentDuring待机时间2
V
DD
B
OPS
B
RPS
B
hysS
T
P
V
OH
V
OL
I
DD1(AVG)
I
DD1(EN)
I
DD1(DIS)
I
DD2(AVG)
I
DD2(EN)
I
DD2(DIS)
1.65
-
0.6
-
-
V
DD
-0.2
-
-
-
-
-
-
-
1.80
3.0
2.1
0.9
50
-
-
3.5
2.8
1.8
6.5
4.5
4.0
最大
3.30
5.0
-
-
100
-
0.2
5.5
-
-
9
-
-
单位
V
mT
mT
mT
ms
V
V
μA
mA
μA
μA
mA
μA
条件
B<B
RPS
※6
, I
OUT
=-0.5mA
B
OPS
<B ※ 6 ，我
OUT
=+0.5mA
V
DD
= 1.8V ，平均
V
DD
=1.8V,
在启动时间价值
V
DD
=1.8V,
在待机时间价值
V
DD
= 2.7V ，平均
V
DD
=2.7V,
在启动时间价值
V
DD
=2.7V,
在待机时间价值
※6.
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后，需要一段的一个周期（T
P
）成为一定的输出。辐射抗寒没有设计。
BU52013HFV （除非另有规定，V
DD
＝1.80V,
Ta＝25℃)
极限
参数
符号
民
典型值
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
输出高电压
输出低电压
电源电流1
电源电流在启动时间1
供应CurrentDuring待机时间1
电源电流2
电源电流在启动时间2
供应CurrentDuring待机时间2
V
DD
B
OPN
B
RPN
B
hysN
T
P
V
OH
V
OL
I
DD1(AVG)
I
DD1(EN)
I
DD1(DIS)
I
DD2(AVG)
I
DD2(EN)
I
DD2(DIS)
1.65
-5.0
-
-
-
V
DD
-0.2
-
-
-
-
-
-
-
1.80
-3.0
-2.1
0.9
50
-
-
3.5
2.8
1.8
6.5
4.5
4.0
最大
3.30
-
-0.6
-
100
-
0.2
5.5
-
-
9
-
-
单位
V
mT
mT
mT
ms
V
V
μA
mA
μA
μA
mA
μA
条件
B
RPN
<b
※
7
, I
OUT
=-0.5mA
B<B
OPN
※
7
, I
OUT
=+0.5mA
V
DD
= 1.8V ，平均
V
DD
=1.8V,
在启动时间价值
V
DD
=1.8V,
在待机时间价值
V
DD
=2.7V,Average
V
DD
=2.7V,
在启动时间价值
V
DD
=2.7V,
在待机时间价值
※7
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后，需要一段的一个周期（T
P
）成为一定的输出。辐射抗寒没有设计。
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2010.01 - Rev.B的
BU52002GUL,BU52003GUL,BU52012HFV,BU52013HFV
？图
测宽电路
B
op
/B
rp
T
p
200
技术说明
VDD
VDD
VDD
VDD
OUT
示波器
V
GND
OUT
100μF
GND
波普和BRP测量与施加的磁场
从外面。
周期由示波器监视。
Fig.1
B
op
,B
rp
测宽电路
Fig.2
T
p
测宽电路
V
OH
产品名称
BU52002GUL ， BU52003GUL
VDD
I
OUT
1.0mA
0.5mA
VDD
BU52012HFV ， BU52013HFV
I
OUT
100μF
GND
OUT
V
Fig.3
V
OH
测宽电路
V
OL
产品名称
BU52002GUL ， BU52003GUL
VDD
I
OUT
1.0mA
0.5mA
BU52012HFV ， BU52013HFV
OUT
VDD
100μF
GND
V
I
OUT
Fig.4
V
OL
测宽电路
I
DD
A
2200μF
VDD
OUT
GND
VDD
Fig.5
I
DD
测宽电路
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2010.01 - Rev.B的
BU52002GUL,BU52003GUL,BU52012HFV,BU52013HFV
●技术
（参考）数据
BU52002GUL （V
DD
=2.4½3.3V type)
8.0
磁通密度[ OT]
磁通密度[ OT]
技术说明
8.0
V
DD
=3.0V
波普S
6.0
4.0
2.0
0.0
-2.0
-4.0
-6.0
-8.0
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
期[毫秒]
100
6.0
4.0
2.0
0.0
-2.0
-4.0
-6.0
-8.0
TA = 25°C
90
波普S
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V
DD
=3.0V
BRP S
BRP S
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100
环境温度[
℃
]
电源电压
［
V
½
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100
环境温度[
℃
]
Fig.6
100
90
80
期[毫秒]
70
60
50
40
30
20
10
0
防喷器， BRP - 环境温度
Fig.7
20.0
18.0
16.0
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
防喷器， BRP - 电源电压
图8牛逼
P
=环境温度
20.0
18.0
16.0
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
电源电压[V]
TA = 25°C
平均电源电流[ μA ]
TA = 25°C
V
DD
=3.0V
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100
电源电压[V]
环境温度[
℃
]
平均电源电流[ μA ]
图9牛逼
P
电源电压
图10我
DD
=环境温度
图11我
DD
电源电压
BU52003GUL （V
DD
=2.4½3.3V type)
8.0
磁通密度[ OT]
8.0
磁通密度[ OT]
6.0
4.0
2.0
0.0
-2.0
-4.0
-6.0
-8.0
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
电源电压
［
V
½
期[毫秒]
100
90
6.0
4.0
2.0
0.0
-2.0
-4.0
-6.0
-8.0
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100
V
DD
=3.0V
TA = 25°C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V
DD
=3.0V
BRP
BRP
波普
波普
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100
环境温度[
℃
]
环境温度[
℃
]
图12防喷器， BRP - 环境温度
图13防喷器， BRP - 电源电压
图14牛逼
P
=环境温度
90
80
期[毫秒]
70
60
50
40
30
20
10
0
2.0
TA = 25°C
18.0
16.0
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
平均电源电流[ μA ]
平均电源电流[ μA ]
100
20.0
20.0
18.0
16.0
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
2.0
2.4
2.8
3.2
电源电压[V]
3.6
TA = 25°C
V
DD
=3.0V
2.4
2.8
3.2
电源电压[V]
3.6
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100
环境温度[
℃
]
图15牛逼
P
●电源电压
图16我
DD
=环境温度
图17我
DD
电源电压
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