附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
霍尔IC
全极霍尔检测芯片
BU52001GUL,BU52011HFV,BU52021HFV,BU52015GUL,BU52025G,
BU52051NVX,BU52053NVX,BU52054GWZ,BU52055GWZ,
BU52056NVX,BU52061NVX,BD7411G
No.10045EFT02
°说明
在全极性霍尔IC ，可以操作两个S-和N极，在其输出变为从喜到磁性开关
低。除了常规的单输出霍尔集成电路，我们提供了双输出单元具有反向输出端的阵容（活跃
HIGH ） 。
■特点
1 ）全极检测
2）微功率操作（使用间歇操作法的小电流）（ BD7411G除外）。
3 ）超小型和超薄晶圆级封装CSP4 （ BU52054GWZ ， BU52055GWZ ）
4 ）超小型晶圆级封装CSP4 （ BU52015GUL ， BU52001GUL ）
5 ）超小外形封装SSON004X1216 （ BU52061NVX ， BU52053NVX ， BU52051NVX ， BU52056NVX ）
6 ）超小外形封装HVSOF5 （ BU52011HFV ， BU52021HFV ）
7 ）小外形封装（ BU52025G ， BD7411G ）
8 ）进线供电电压可达
对于1.8V的电源电压（ BU52054GWZ ， BU52055GWZ ， BU52015GUL ， BU52061NVX ， BU52053NVX ，
BU52051NVX ， BU52056NVX ， BU52011HFV ）
对于3.0V电源电压（ BU52001GUL ）
对于3.3V的电源电压（ BU52021HFV ， BU52025G ）
对于5.0V电源电压（ BD7411G ）
9 ）双输出型（ BU52015GUL ）
10 ）高ESD抵抗8kV的（ HBM ） （ 6kV的为BU52056NVX ）
■应用
手机，笔记本电脑，数码摄像机，数码相机，白色家电等。
Lineup
矩阵
产品名称
BU52054GWZ
BU52055GWZ
BU52015GUL
BU52001GUL
BU52061NVX
BU52053NVX
BU52051NVX
BU52056NVX
BU52011HFV
BU52021HFV
BU52025G
BD7411G
供应
电压
(V)
1.65½3.60
1.65½3.60
1.65½3.30
2.40½3.30
1.65½3.60
1.65½3.60
1.65½3.30
1.65½3.60
1.65½3.30
2.40½3.60
2.40½3.60
4.50½5.50
操作
点
（MT ）
+/-6.3
+/-4.1
+/-3.0
+/-3.7
+/-3.3
+/-3.0
+/-3.0
+/-4.6
+/-3.0
+/-3.7
+/-3.7
+/-3.4
※
迟滞
（MT ）
0.9
0.8
0.9
0.8
0.9
0.9
0.9
0.8
0.9
0.8
0.8
0.4
期
（女士）
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
-
电源电流
（ AVG）
(A)
5.0
5.0
5.0
8.0
4.0
5.0
5.0
5.0
5.0
8.0
8.0
2.0m
产量
TYPE
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
包
UCSP35L1
UCSP35L1
VCSP50L1
VCSP50L1
SSON004X1216
SSON004X1216
SSON004X1216
SSON004X1216
HVSOF5
HVSOF5
SSOP5
SSOP5
※
※
※
※
※
※
※
※
※
※
※
※加
上表达的S极;减去上的N极
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2010.12 - Rev.F
BU52001GUL,BU52011HFV,BU52021HFV,BU52015GUL,BU52025G,BU52051NVX,
BU52053NVX,BU52054GWZ,BU52055GWZ,BU52056NVX,BU52061NVX,BD7411G
“绝对
最大额定值
BU52054GWZ ， BU52055GWZ （ TA = 25 ℃ ）
参数
符号
评级
电源电压
输出电流
功耗
操作
温度范围
存储
温度范围
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
-0.1½+4.5
※
1
±0.5
100
※
2
-40½+85
-40½+125
技术说明
单位
V
mA
mW
℃
℃
BU52015GUL （ TA = 25 ℃ ）
参数
符号
电源电压
输出电流
功耗
操作
温度范围
存储
温度范围
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
评级
-0.1½+4.5
※
3
±0.5
420
※
4
-40½+85
-40½+125
单位
V
mA
mW
℃
℃
※1.
不超过钯
※2.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低1.00mW
（安装在24毫米X20毫米的玻璃环氧树脂印刷电路板）
※3.
不超过钯
※4.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低4.20mW
（安装在50毫米X20 58毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
BU52001GUL （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
操作
温度范围
存储
温度范围
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
评级
-0.1½+4.5
※
5
±1
420
※
6
-40½+85
-40½+125
单位
V
mA
mW
℃
℃
BU52061NVX ， BU52053NVX ， BU52051NVX ，
BU52056NVX(Ta=25℃)
参数
电源电压
输出电流
功耗
操作
温度范围
存储
温度范围
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
评级
-0.1½+4.5
※
7
±0.5
2049
※
8
-40½+85
-40½+125
单位
V
mA
mW
℃
℃
※5.
不超过钯
※6.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低4.20mW
（安装在50毫米X20 58毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
※7.
不超过钯
※8.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低4.20mW
（安装在50毫米X20 58毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
BU52011HFV （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
操作
温度范围
存储
温度范围
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
评级
-0.1½+4.5
※
9
±0.5
536
※
10
-40½+85
-40½+125
单位
V
mA
mW
℃
℃
BU52021HFV （ TA = 25 ℃ ）
参数
符号
电源电压
输出电流
功耗
操作
温度范围
存储
温度范围
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
评级
-0.1½+4.5
※
11
±1
536
※
12
-40½+85
-40½+125
单位
V
mA
mW
℃
℃
※9.
不超过钯
※10.
减少by5.36mW每提高1 ℃，钽超过25 ℃
（安装在70毫米X30 70毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
※11
不超过钯
※12.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低5.36mW
（安装在70毫米X30 70毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
BU52025G （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
操作
温度范围
存储
温度范围
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
评级
-0.1½+4.5
※
13
±1
540
※
14
-40½+85
-40½+125
单位
V
mA
mW
℃
℃
BD7411G （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
操作
温度范围
存储
温度范围
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
评级
-0.3½+7.0
※
15
±1
540
※
16
-40½+85
-55½+150
单位
V
mA
mW
℃
℃
※13.
不超过钯
※14.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低5.40mW
（安装在70毫米X30 70毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
※15.
不超过钯
※16.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低5.40mW
（安装在70毫米X30 70毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
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2010.12 - Rev.F
BU52001GUL,BU52011HFV,BU52021HFV,BU52015GUL,BU52025G,BU52051NVX,
BU52053NVX,BU52054GWZ,BU52055GWZ,BU52056NVX,BU52061NVX,BD7411G
●磁性，
电气特性
BU52054GWZ （除非另有规定，V
DD
= 1.80V ， TA = 25 ℃ ）
范围
参数
符号
分钟。
典型值。
电源电压
V
DD
B
OPS
B
OPN
B
RPS
B
RPN
B
hysS
B
hysN
T
p
1.65
-
-7.9
3.5
-
-
-
-
1.80
6.3
-6.3
5.4
-5.4
0.9
0.9
50
技术说明
马克斯。
3.60
7.9
-
-
-3.5
-
-
100
单位
V
条件
操作点
mT
放点
mT
迟滞
mT
期
ms
B
RPN
<B<B
RPS
I
OUT
=-0.5mA
B<B
OPN
, B
OPS
<b
I
OUT
=+0.5mA
平均
※
17
输出高电压
V
OH
V
DD
-0.2
-
-
V
输出低电压
V
OL
-
-
0.2
V
※
17
电源电流
I
DD （ AVG ）
-
5
8
A
电源电流在启动时间
I
DD （ EN ）
-
2.8
-
mA
在启动时间价值
电源电流在待机时间
I
DD （ DIS ）
-
1.8
-
A
在待机时间价值
※17
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后，需要一段的一个周期（T
P
）成为一定的输出。
辐射抗寒没有设计。
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3/31
2010.12 - Rev.F
BU52001GUL,BU52011HFV,BU52021HFV,BU52015GUL,BU52025G,BU52051NVX,
BU52053NVX,BU52054GWZ,BU52055GWZ,BU52056NVX,BU52061NVX,BD7411G
技术说明
BU52055GWZ （除非另有规定，V
DD
= 1.80V ， TA = 25 ℃ ）
范围
参数
符号
分钟。
典型值。
电源电压
V
DD
B
OPS
B
OPN
B
RPS
B
RPN
B
hysS
B
hysN
T
p
1.65
-
-5.5
1.5
-
-
-
-
1.80
4.1
-4.1
3.3
-3.3
0.8
0.8
50
马克斯。
3.60
5.5
-
-
-1.5
-
-
100
单位
V
条件
操作点
mT
放点
mT
迟滞
mT
期
ms
B
RPN
<B<B
RPS
I
OUT
=-0.5mA
B<B
OPN
, B
OPS
<b
I
OUT
=+0.5mA
平均
※
18
输出高电压
V
OH
V
DD
-0.2
-
-
V
输出低电压
V
OL
-
-
0.2
V
※
18
电源电流
I
DD （ AVG ）
-
5
8
A
电源电流在启动时间
I
DD （ EN ）
-
2.8
-
mA
在启动时间价值
电源电流在待机时间
I
DD （ DIS ）
-
1.8
-
A
在待机时间价值
※18
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后，需要一段的一个周期（T
P
）成为一定的输出。
辐射抗寒没有设计。
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2010.12 - Rev.F
BU52001GUL,BU52011HFV,BU52021HFV,BU52015GUL,BU52025G,BU52051NVX,
BU52053NVX,BU52054GWZ,BU52055GWZ,BU52056NVX,BU52061NVX,BD7411G
技术说明
BU52015GUL （除非另有规定，V
DD
= 1.80V ， TA = 25 ℃ ）
范围
参数
符号
分钟。
典型值。
电源电压
V
DD
B
OPS
B
OPN
B
RPS
B
RPN
B
hysS
B
hysN
T
p
1.65
-
-5.0
0.6
-
-
-
-
1.80
3.0
-3.0
2.1
-2.1
0.9
0.9
50
马克斯。
3.30
5.0
-
-
-0.6
-
-
100
单位
V
条件
操作点
mT
放点
mT
迟滞
mT
期
ms
OUT1 ： B
RPN
<B<B
RPS
OUT2 ： B<B
OPN
, B
OPS
<b
I
OUT
= -0.5mA
OUT1 ： B<B
OPN
, B
OPS
<b
OUT2 ： B
RPN
<B<B
RPS
I
OUT
= + 0.5毫安
V
DD
= 1.8V ，平均
V
DD
=1.8V,
在启动时间价值
V
DD
=1.8V,
在待机时间价值
V
DD
= 2.7V ，平均
V
DD
=2.7V,
在启动时间价值
V
DD
=2.7V,
在待机时间价值
※
19
输出高电压
V
OH
V
DD
-0.2
-
-
V
※
19
输出低电压
V
OL
-
-
0.2
V
电源电流1
I
DD1(AVG)
-
5
8
A
电源电流在启动时间1
I
DD1(EN)
-
2.8
-
mA
电源电流在待机时间1
I
DD1(DIS)
-
1.8
-
A
电源电流2
I
DD2(AVG)
-
8
12
A
电源电流在启动时间2
I
DD2(EN)
-
4.5
-
mA
电源电流在待机时间2
I
DD2(DIS)
-
4.0
-
A
※19
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后，需要一段的一个周期（T
P
）成为一定的输出。
辐射抗寒没有设计。
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2010.12 - Rev.F
霍尔IC系列
全极性检测
霍尔IC
BU52001GUL ， BU52011HFV ， BU52021HFV ，
BU52015GUL ， BU52025G ， BU52051NVX ， BD7411G
No.10045ECT02
°说明
双极霍尔IC是可以操作两个S -和N极，在其输出变为从喜到磁开关
低。除了常规的单输出霍尔集成电路，我们提供了一个排队的双输出单元与反向输出端
（高电平有效） 。
■特点
1 ）全极检测
2）微操作（使用间歇操作法的小电流）（ BD7411G除外）。
3 ）超小型CSP封装（ BU52001GUL ， BU52015GUL ）
4 ）超小外形封装HVSOF5 （ BU52011HFV ， BU52021HFV ）
5 ）超小外形封装SSON004X1216 （ BU52051NVXV ）
6 ）小外形封装（ BU52025G ， BD7411G ）
7 ）进线供电电压可达
对于1.8V的电源电压（ BU52011HFV ， BU52015GUL ， BU52051NVX ）
对于3.0V电源电压（ BU52001GUL ）
对于3.3V的电源电压（ BU52021HFV ， BU52025G ）
对于5.0V电源电压（ BD7411G ）
8 ）双输出型（ BU52015GUL ）
9 ）高ESD抵抗8kV的（ HBM ）
■应用
手机，笔记本电脑，数码摄像机，数码相机，白色家电等。
“产品
阵容
产品名称
BU52001GUL
BU52015GUL
BU52051NVX
BU52011HFV
BU52021HFV
BU52025G
BD7411G
供应
电压
(V)
2.40½3.30
1.65½3.30
1.65½3.30
1.65½3.30
2.40½3.60
2.40½3.60
4.50½5.50
操作
点
（MT ）
+/-3.7
※
+/-3.0
※
+/-3.0
※
+/-3.0
※
+/-3.7
※
+/-3.7
※
+/-3.4
※
迟滞
（MT ）
0.8
0.9
0.9
0.9
0.8
0.8
0.4
期
（女士）
50
50
50
50
50
50
-
电源电流
（ AVG）
(A)
8.0μ
5.0μ
5.0μ
5.0μ
8.0μ
8.0μ
2.0m
输出类型
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
包
VCSP50L1
VCSP50L1
SSON004X1216
HVSOF5
HVSOF5
SSOP5
SSOP5
※加
上表达的S极;减去上的N极
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2010.01 - Rev.C
BU52001GUL,BU52011HFV,BU52021HFV,
BU52015GUL ， BU52025G ， BU52051NVX ， BD7411G
“绝对
最大额定值
BU52001GUL （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
技术说明
符号
VDD
IOUT
Pd
TOPR
TSTG
极限
-0.1½+4.5
±1
420
※
2
※
1
单位
V
mA
mW
℃
℃
-40½+85
-40½+125
※1.
不超过钯
※2.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低4.20mW
（安装在50毫米X20 58毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
BU52015GUL （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
极限
-0.1½+4.5
±0.5
420
※
4
※
3
单位
V
mA
mW
℃
℃
-40½+85
-40½+125
※3.
不超过钯
※4.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低4.20mW
（安装在50毫米X20 58毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
BU52051NVX （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
极限
-0.1½+4.5
±0.5
2049
※
6
※
5
单位
V
mA
mW
℃
℃
-40½+85
-40½+125
※5.
不超过钯
※6.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低20.49mW
（安装在70毫米X30 70毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
BU52011HFV （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
极限
-0.1½+4.5
±0.5
536
※
8
※
7
单位
V
mA
mW
℃
℃
-40½+85
-40½+125
※7.
不超过钯
※8.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低5.36mW
（安装在70毫米X30 70毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
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2010.01 - Rev.C
BU52001GUL,BU52011HFV,BU52021HFV,
BU52015GUL ， BU52025G ， BU52051NVX ， BD7411G
BU52021NVX （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
技术说明
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
极限
-0.1½+4.5
±1
536
※
10
※
9
单位
V
mA
mW
℃
℃
-40½+85
-40½+125
※9.
不超过钯
※10.
减少by5.36mW每提高1 ℃，钽超过25 ℃
（安装在70毫米X30 70毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
BU52025G （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
极限
-0.1½+4.5
±1
540
※
12
※
11
单位
V
mA
mW
℃
℃
-40½+85
-40½+125
※11.
不超过钯
※12.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低5.40mW
（安装在70毫米X30 70毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
BD7411G （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
极限
-0.3½+7.0
±1
540
※
14
※
13
单位
V
mA
mW
℃
℃
-40½+85
-55½+150
※13.
不超过钯
※14.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低5.40mW
（安装在70毫米X30 70毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
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2010.01 - Rev.C
BU52001GUL,BU52011HFV,BU52021HFV,
BU52015GUL ， BU52025G ， BU52051NVX ， BD7411G
●磁性，
电气特性
BU52001GUL （除非另有规定，V
DD
＝3.0V,
Ta＝25℃)
极限
参数
符号
民
典型值
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
输出高电压
输出低电压
电源电流
电源电流在启动时间
供应CurrentDuring待机时间
V
DD
B
OPS
B
OPN
B
RPS
B
RPN
B
hysS
B
hysN
T
p
V
OH
V
OL
I
DD （ AVG ）
I
DD （ EN ）
I
DD （ DIS ）
2.4
-
-5.5
0.8
-
-
-
-
V
DD
-0.4
-
-
-
-
3.0
3.7
-3.7
2.9
-2.9
0.8
0.8
50
-
-
8
4.7
3.8
技术说明
最大
3.3
5.5
-
-
-0.8
-
-
100
-
0.4
12
-
-
单位
V
mT
mT
mT
ms
V
V
μA
mA
μA
条件
B
RPN
<B<B
RPS
I
OUT
=-1.0mA
B<B
OPN
,B
OPS
<b
I
OUT
=+1.0mA
平均
※
15
※
15
在启动时间价值
在待机时间价值
※15
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后，需要一段的一个周期（T
P
）成为一定的输出。
辐射抗寒没有设计。
BU52015GUL （除非另有规定，V
DD
＝1.80V,
Ta＝25℃
)
极限
参数
符号
民
典型值
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
输出高电压
输出低电压
电源电流1
电源电流在启动时间1
供应CurrentDuring待机时间1
电源电流2
电源电流在启动时间2
供应CurrentDuring待机时间2
V
DD
B
OPS
B
OPN
B
RPS
B
RPN
B
hysS
B
hysN
T
p
V
OH
V
OL
I
DD1(AVG)
I
DD1(EN)
I
DD1(DIS)
I
DD2(AVG)
I
DD2(EN)
I
DD2(DIS)
1.65
-
-5.0
0.6
-
-
-
-
V
DD
-0.2
-
-
-
-
-
-
-
1.80
3.0
-3.0
2.1
-2.1
0.9
0.9
50
-
-
5
2.8
1.8
8
4.5
4.0
最大
3.30
5.0
-
-
-0.6
-
-
100
-
0.2
8
-
-
12
-
-
单位
V
mT
mT
mT
ms
V
V
μA
mA
μA
μA
mA
μA
条件
OUT1 ： B
RPN
<B<B
RPS
OUT2 ： B<B
OPN
, B
OPS
<b
I
OUT
= -0.5mA
OUT1 ： B<B
OPN
, B
OPS
<b
OUT2 ： B
RPN
<B<B
RPS
I
OUT
= + 0.5毫安
V
DD
= 1.8V ，平均
V
DD
=1.8V,
在启动时间价值
V
DD
=1.8V,
在待机时间价值
V
DD
= 2.7V ，平均
V
DD
=2.7V,
在启动时间价值
V
DD
=2.7V,
在待机时间价值
16
※
16
※
※16
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后，需要一段的一个周期（T
P
）成为一定的输出。
辐射抗寒没有设计。
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BU52001GUL,BU52011HFV,BU52021HFV,
BU52015GUL ， BU52025G ， BU52051NVX ， BD7411G
BU52051NVX ， BU52011HFV （除非另有规定，V
DD
＝1.80V,
Ta＝25℃)
BU52021HFV ， BU52025G （除非另有规定，V
DD
＝3.0V,
Ta＝25℃)
极限
参数
符号
单位
民
TYP MAX
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
输出高电压
输出低电压
电源电流
电源电流在启动时间
供应CurrentDuring待机时间
V
DD
B
OPS
B
OPN
B
RPS
B
RPN
B
hysS
B
hysN
T
p
V
OH
V
OL
I
DD （ AVG ）
I
DD （ EN ）
I
DD （ DIS ）
2.4
-
-5.5
0.8
-
-
-
-
V
DD
-0.4
-
-
-
-
3.0
3.7
-3.7
2.9
-2.9
0.8
0.8
50
-
-
8
4.7
3.8
3.6
5.5
-
-
-0.8
-
-
100
-
0.4
12
-
-
V
mT
mT
mT
ms
V
V
μA
mA
μA
技术说明
条件
B
RPN
<B<B
RPS
I
OUT
=-1.0mA
B<B
OPN
, B
OPS
<b
I
OUT
=+1.0mA
平均
※
17
※
17
在启动时间价值
在待机时间价值
※17
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后，需要一段的一个周期（T
P
）成为一定的输出。
辐射抗寒没有设计。
BD7411G （除非另有说明， VDD = 5.0V ，TA = 25 ℃ ）
极限
参数
符号
民
典型值
电源电压
操作点
放点
迟滞
输出高电压
输出低电压
电源电流
V
DD
B
OPS
B
OPN
B
RPS
B
RPN
B
hysS
B
hysN
V
OH
V
OL
I
DD
4.5
-
-5.6
1.5
-
-
-
4.6
-
-
5.0
3.4
-3.4
3.0
-3.0
0.4
0.4
-
-
2
最大
5.5
5.6
-
-
-1.5
-
-
-
0.4
4
单位
V
mT
mT
mT
V
V
mA
条件
B
RPN
<B<B
RPS
I
OUT
=-1.0mA
B<B
OPN ，
B
OPS
<b
I
OUT
=+1.0mA
※
18
※
18
※18
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
辐射抗寒没有设计。
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