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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第488页 > BU508DW
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU508DW
描述
·采用TO- 247封装
·高电压，高转速
·内置阻尼二极管
应用
·对于在水平偏转电路中使用
的彩色电视接收机。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 247 ）和符号
描述
绝对最大额定值（T
C
=25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CP
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
基极电流（脉冲）
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
价值
1500
700
8
15
4
6
125
150
-65~150
单位
V
V
A
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
二极管的正向电压
跃迁频率
集电极电容
条件
I
C
= 100毫安，我
B
=0,L=25mH
I
C
= 4.5A ;我
B
=1.6A
I
C
= 4.5A ;我
B
=2A
V
CE
=1500V
,
V
BE
=0
T
j
=125
V
EB
= 5.0V ;我
C
=0
I
C
= 500毫安; V
CE
=5V
I
F
=4.5A
I
E
= 0.1A ; V
CE
=5V
V
CB
=10V;I
E
=0;f=1.0MHz
10
民
700
BU508DW
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CES
I
EBO
h
FE
V
F
f
T
C
C
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.1
1.0
2.0
300
30
1.6
7
125
2.0
V
V
mA
mA
V
兆赫
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU508DW
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU508DW
描述
·带
TO- 247封装
高
电压，高速
·带
综合效率二极管
应用
For
在水平偏转电路中使用
彩色电视接收机。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（T
C
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CP
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
基极电流（脉冲）
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
价值
1500
700
8
15
4
6
125
150
-65~150
单位
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
BU508DW
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安，我
B
=0,L=25mH
700
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
=1.6A
1.0
V
V
BE
（SAT）
I
CES
基射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
=2A
V
CE
=1500V
,
V
BE
=0
T
j
=125℃
V
EB
= 5.0V ;我
C
=0
1.1
1.0
2.0
300
V
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 500毫安; V
CE
=5V
10
30
V
F
二极管的正向电压
I
F
=4.5A
1.6
2.0
V
f
T
跃迁频率
I
E
= 0.1A ; V
CE
=5V
7
兆赫
C
C
集电极电容
V
CB
=10V;I
E
=0;f=1.0MHz
125
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU508DW
图2外形尺寸
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU508DW
概述
高电压时，在一个塑料外壳具有集成效率二极管高速开关的npn型晶体管，主要是
在彩色电视接收机的水平偏转电路中使用。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
V
F
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
二极管的正向电压
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
4.5
1.6
0.7
马克斯。
1500
700
8
15
125
1.0
-
2.0
-
单位
V
V
A
A
W
V
A
V
s
T
mb
≤
25 C
I
C
= 4.5 A;我
B
= 1.6 A
F = 16kHz的
I
F
= 4.5 A
I
CSAT
= 4.5 A; F = 16kHz的
钉扎 - SOT429
针
1
2
3
TAB
BASE
集热器
辐射源
集热器
描述
引脚配置
符号
c
b
1
2
3
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（DC）的
基极电流峰值
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
马克斯。
1500
700
8
15
4
6
125
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
C
T
mb
≤
25 C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
结到安装基座
结到环境
条件
-
在自由空气
典型值。
-
45
马克斯。
1.0
-
单位
K / W
K / W
1998年7月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU508DW
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号参数
I
CES
I
CES
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
V
F
集电极截止电流
1
条件
分钟。
-
-
700
-
-
6
-
典型值。
-
-
-
-
-
13
1.6
马克斯。
1.0
2.0
-
1.0
1.1
30
2.0
单位
mA
mA
V
V
V
V
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
集电极 - 发射极电压维持我
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
集电极 - 发射极饱和电压我
C
= 4.5 A;我
B
= 1.6 A
基射极饱和电压
I
C
= 4.5 A;我
B
= 2 A
直流电流增益
I
C
= 100毫安; V
CE
= 5 V
二极管的正向电压
I
F
= 4.5 A
动态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
f
T
C
C
参数
跃迁频率在f = 5兆赫
集电极电容在f = 1MHz的
开关时间（ 16 kHz的行
偏转电路）
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
C
= 0.1 A; V
CE
= 5 V
V
CB
= 10 V
I
CSAT
= 4.5 A ，L
c
= 1毫亨;
fb
= 4 nF的
I
B（完）
= 1.4 A; L
B
= 6
H;
-V
BB
= -4 V;
典型值。
7
125
马克斯。
-
-
单位
兆赫
pF
s
s
t
s
t
f
6.5
0.7
-
-
1
测量正弦半波电压（波形记录器） 。
1998年7月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU508DW
晶体管
IC
二极管
ICsat
+ 150V，额定
调整ICsat
t
IB
IBend
t
20us
26us
64us
1mH
D.U.T.
IBend
LB
12nF
VCE
t
-VBB
图1 。开关时间波形。
如图3所示。开关时间测试电路
ICsat
90 %
IC
h
FE
BU508AD
100
10 %
tf
ts
IB
IBend
10
t
t
1
0.1
- IBM
1
IC / A
10
图2 。开关时间的定义。
图4 。典型的直流电流增益。
FE
= F（我
C
)
参数V
CE
1998年7月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU508DW
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
VCESAT / V
BU508AD
10
第i K / W
bu508aw
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
P
D
tp
t
D = P
T
T
0.1
1
t
1.0E+1
IC / A
10
0.001
1.0E-07
1.0E-5
T / S
1.0E-3
1.0E-1
图5 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F （I
C
） ;参数I
C
/I
B
BU508AD
图8 。瞬态热阻抗。
Z
日J- HS
= F（T） ;参数D = T
p
/T
归一化功率降额
与复合散热器
1.4
VBESAT / V
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
1.2
IC = 6A
1
IC = 4.5A
IC = 3A
0.8
0.6
0
0
1
2
3
20
40
60
IB / A
4
80
部份效果/ C
100
120
140
图6 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
BU508AD
图9 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
25℃
= F（T
hs
)
VCESAT / V
10
1
IC = 6A
IC = 4.5A
IC = 3A
0.1
0.1
1
IB / A
10
图7 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
1998年7月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU508DW
图10 。正向偏置安全工作区。牛逼
hs
< 25℃
(1)
P
TOT最大
线。
(2)
第二击穿限制（独立
温度）。
I
允许的直流操作区域。
II
允许的扩展名重复脉冲
操作。
1998年7月
5
启1.200
查看更多BU508DWPDF信息
推荐型号
B82432A1124+000
BAS79C
BUZ48
B39458-M9370-M100
BH162244DGG
BZX85B160
BV-M306RD
B43504A2227M
BZY93C36
B39931-B7608-A610
B43699B5476Q000
BFW10
BFW-10
BZW07-XX
B65495-K
BZX83C3V6
BYQ28EB-150
BU932R
BS616LV8010FIG55
B65518-C3000-X101
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BU508DW
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市向鸿伟业电子有限公司
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电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
BU508DW
PHILIPS/飞利浦
2406+
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TO-3P
诚信经营！进口原装！量大价优！
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BU508DW
PHILIPS/飞利浦
2443+
23000
TO247
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深圳市诺洋电子科技有限公司
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联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BU508DW
PHILIPS/飞利浦
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深圳市华斯顿电子科技有限公司
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联系人：朱咸华
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BU508DW
PHI
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联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
BU508DW
ST
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联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
BU508DW
PHILIPS
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深圳市易信优科技有限公司
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联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
BU508DW
PHILIPS/飞利浦
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地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
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ST
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联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BU508DW
PHILIPS/飞利浦
2024
20918
TO-3P
原装现货上海库存，欢迎咨询
北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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