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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第26页 > BU508AFI
UTC BU508 AFI
NPN外延硅晶体管
TO-3PML
1.
2.
BASE
集热器
辐射源
硅功率DIFFUSED
晶体管
描述
在UTC BU508AFI是高电压,高速开关
NPN晶体管中的一个塑料外壳,主要用于在使用中
的彩色电视接收机的水平偏转circuites 。
1
2
3
3.
特点
*电视彩色水平偏转。
*使用TO- 3PML完全隔离的包。
绝对最大额定值TC = 25℃
参数
集电极 - 基极电压(V
BE
=0)
集电极 - 发射极电压(I
B
=0)
发射极 - 基极电压(I
C
=0)
集电极电流峰值
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
ICP
Ic
Pc
Tj
TSTG
价值
1500
700
10
15
8
60
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性TC = 25℃
参数
集电极 - 基极截断电流
发射基截断电流
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基极电流峰值
符号
I
CBO
I
EBO
V
CEO ( SUS )
V
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
H
FE
测试条件
V
cE
=1500V, V
BE
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
I
C
= 100mA时我
B
=0
I
E
= 10毫安,我
C
=0
I
C
= 4.5A ,我
B
=2A
I
C
= 4.5A ,我
B
=2A
I
C
= 100mA时V
CE
=5V
最大
2.0
100
单位
mA
uA
V
V
V
V
700
10
1.0
1.3
30
6
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R214-001,A
UTC BU508 AFI
NPN外延硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
2
QW-R214-001,A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU508AFI
描述
·带
TO- 3PML包
电压
高速开关
应用
For
在水平偏转使用
彩色电视接收机
钉扎
1
2
3
BASE
集热器
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
辐射源
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
总功耗
最大工作结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
700
10
8
15
50
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结案件
最大
2.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
BU508AFI
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安,我
B
=0,
700
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10毫安,我
C
=0
10
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
=2 A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
=2 A
1.3
V
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
V
CE
=1500V
;
V
BE
=0
T
C
=125℃
V
EB
= 5V ;我
C
=0
8
1.0
2.0
0.1
I
CES
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V;f=5MHz
7
兆赫
μs
t
s
贮存时间
t
f
下降时间
I
C
= 4.5A ; V
CC
=140V
I
B
= 1.8A ; L
C
=0.9mH
L
B
=3μH
7
0.55
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU508AFI
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU508AFI
描述
·采用TO- 3PML包
·高电压
·高速开关
应用
·对于在水平偏转应用
彩色电视接收机
钉扎
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
总功耗
最大工作结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
700
10
8
15
50
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结案件
最大
2.5
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
集电极截止电流
发射极截止电流
跃迁频率
贮存时间
下降时间
条件
I
C
= 100毫安,我
B
=0,
I
E
= 10毫安,我
C
=0
I
C
= 4.5A ;我
B
=2 A
I
C
= 4.5A ;我
B
=2 A
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
V
CE
=1500V
;
V
BE
=0
T
C
=125
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V;f=5MHz
8
700
10
BU508AFI
符号
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
I
CES
I
EBO
f
T
t
s
t
f
典型值。
最大
单位
V
V
1.0
1.3
V
V
1.0
2.0
0.1
7
7
0.55
mA
mA
兆赫
s
s
I
C
= 4.5A ; V
CC
=140V
I
B
= 1.8A ; L
C
=0.9mH
L
B
=3H
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU508AFI
图2外形尺寸
3
BU208A
BU508A/BU508AFI
高压快速切换
NPN功率晶体管
s
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPES
高电压能力( > 1500 V )
全绝缘包装( U.L.
标准) ,易于安装
TO-3
应用范围:
s
水平偏转彩色
TV
描述
该BU208A , BU508A和BU508AFI是
制成的
运用
Multiepitaxial
台面
技术,具有成本效益的高性能
并用空心发射极结构,提高
开关速度。
1
2
3
2
3
2
TO-218
1
ISOWATT218
1
内部原理图
对于TO- 3 :
C =标签
E = PIN2码。
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 发射极电压(V
BE
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值(T
p
& LT ; 5毫秒)
BU208A
TO - 3
150
价值
1500
700
10
8
15
BU508A
BU508AFI
TO - 218 ISOWATT218
125
50
2500
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
P
合计
V
ISOL
T
英镑
T
j
总功耗在T
c
= 25
o
C
绝缘从所有的耐压( RMS)
三导致Exernal散热器
储存温度
马克斯。工作结温
W
V
o
o
-65 175 -65 150
175
150
C
C
2002年4月
1/8
BU208A / BU508A / BU508AFI
热数据
TO-3
R
THJ情况
热阻结案件
最大
1
TO-218
1
ISOWATT218
2.5
o
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
CES
I
EBO
参数
集电极截止
电流(V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 1500 V
V
CE
= 1500 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 100毫安
700
T
C
= 125
o
C
分钟。
典型值。
马克斯。
1
2
100
单位
mA
mA
A
V
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
发射极电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
感性负载
贮存时间
下降时间
跃迁频率
I
E
= 10毫安
I
C
= 4.5 A
I
C
= 4.5 A
I
B
= 2 A
I
B
= 2 A
10
1
1.3
V
V
V
t
s
t
f
f
T
I
C
= 4.5 A ^ h
FE
= 2.5 V
CC
= 140 V
L
C
= 0.9 mH的L
B
= 3
H
I
C
= 0.1 A
V
CE
= 5 V
F = 5兆赫
7
550
7
s
ns
兆赫
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
安全工作区( TO- 3 )
安全工作区( TO- 218 / ISOWATT218 )
2/8
BU208A / BU508A / BU508AFI
降额曲线( TO- 3 )
降额曲线( TO- 218 / ISOWATT218 )
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
切换时间感性负载
3/8
BU208A / BU508A / BU508AFI
切换时间感性负载
图1:
感应负载开关测试电路。
4/8
BU208A / BU508A / BU508AFI
TO- 3机械数据
mm
分钟。
A
B
C
D
E
G
N
P
R
U
V
11.00
0.97
1.50
8.32
19.00
10.70
16.50
25.00
4.00
38.50
30.00
典型值。
马克斯。
13.10
1.15
1.65
8.92
20.00
11.10
17.20
26.00
4.09
39.30
30.30
分钟。
0.433
0.038
0.059
0.327
0.748
0.421
0.649
0.984
0.157
1.515
1.187
典型值。
马克斯。
0.516
0.045
0.065
0.351
0.787
0.437
0.677
1.023
0.161
1.547
1.193
DIM 。
P
G
A
D
C
U
V
O
N
R
B
P003F
5/8
E
BU208A
BU508A/BU508AFI
高压快速切换
NPN功率晶体管
s
s
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPES
高电压能力
U.L.认可ISOWATT218包装
( U.L.文件# E81734 (N )
JEDEC TO - 3金属为例。
TO-3
1
2
应用范围:
s
水平偏转彩色
TV
描述
该BU208A , BU508A和BU508AFI是
制成的
运用
Multiepitaxial
台面
技术,具有成本效益的高性能
并用空心发射极结构,提高
开关速度。
3
2
3
2
TO-218
1
ISOWATT218
1
内部原理图
对于TO- 3 :
C =标签
E = PIN2码。
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
吨OT
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压(V
BE
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值(T
p
& LT ; 5毫秒)
TO - 3
总功耗在T
c
= 25
o
C
圣ORAGE温度
马克斯。工作结温
150
175
价值
1500
700
10
8
15
TO - 218
125
150
ISOW AT T218
50
-65到150
150
W
o
o
单位
V
V
V
A
A
-65 175 -65 150
C
C
1/8
1999年11月
BU208A / BU508A / BU508AFI
热数据
T O服务- 3
R
吨HJ -CA SE
热阻结案件
最大
1
TO -218
1
ISO WATT218
2.5
o
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
SYMB OL
I
CES
I
EBO
参数
集电极截止
电流(V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试电导率银行足球比赛s
V
CE
= 1500 V
V
CE
= 1500 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 100毫安
700
T
C
= 125 C
o
分钟。
典型值。
马克斯。
1
2
100
取消它
mA
mA
A
V
V
CEO ( SUS)
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
EBO
V
CE (SAT)
V
BE (S AT)
发射极电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
BASE- ER Emitt
饱和电压
电感LO AD
贮存时间
下降时间
跃迁频率
I
E
= 10毫安
I
C
= 4.5 A
I
C
= 4.5 A
I
B
= 2 A
I
B
= 2 A
10
1
1.3
V
V
V
t
s
t
f
f
T
I
C
= 4.5 A ^ h
F ê
= 2.5 V
CC
= 140 V
L
C
= 0.9 mH的L
B
= 3
H
I
C
= 0.1 A
V
CE
= 5 V
F = 5兆赫
7
0.55
7
s
s
兆赫
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
安全工作区( TO- 3 )
安全工作区( TO- 218 / ISOWATT218 )
2/8
BU208A / BU508A / BU508AFI
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极饱和电压
切换时间感性负载
开关时间感性负载(见图1 )
3/8
BU208A / BU508A / BU508AFI
图1:
感应负载开关测试电路。
4/8
BU208A / BU508A / BU508AFI
TO- 3机械数据
mm
分钟。
A
B
C
D
E
G
N
P
R
U
V
11.00
0.97
1.50
8.32
19.00
10.70
16.50
25.00
4.00
38.50
30.00
典型值。
马克斯。
13.10
1.15
1.65
8.92
20.00
11.10
17.20
26.00
4.09
39.30
30.30
分钟。
0.433
0.038
0.059
0.327
0.748
0.421
0.649
0.984
0.157
1.515
1.187
典型值。
马克斯。
0.516
0.045
0.065
0.351
0.787
0.437
0.677
1.023
0.161
1.547
1.193
DIM 。
P
G
A
D
C
U
V
O
N
R
B
P003F
5/8
E
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单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BU508AFI
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2433532182 复制

电话:0755-23607529/23603360/83258002
联系人:江先生
地址:深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
BU508AFI
STM
2003+
5
TO-3P
公司原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1965785011 复制

电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
BU508AFI
SANYO
17+
5000
TO-3PF
进口原装正品现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
BU508AFI
STMicroelectronics
24+
10000
ISOWATT-218FX
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BU508AFI
ST
2443+
23000
TO-3P
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BU508AFI
ST/意法
24+
12300
TO-3PF
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
BU508AFI
ST
24+
9850
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