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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第108页 > BU505DF
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU505DF
描述
·采用TO- 220Fa包
·高电压，高转速
·内置阻尼二极管。
应用
·对于水平偏转电路
的彩色电视接收机。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
基极电流
基极电流（峰值）
总功耗
最大工作结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
700
5
2.5
4
2
4
20
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境的热阻
最大
55
单位
K / W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU505DF
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
二极管的正向电压
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 0.1 A;我
B
=0;L=25mH
I
E
= 600mA电流，我
C
=0
I
C
= 2A ，我
B
=0.9 A
I
C
= 2A ，我
B
=0.9 A
V
CE
=1500V
;
V
BE
=0;
T
C
=125
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
I
F
=2A
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
E
=0;f=1MHz;V
CB
=10V
7
65
6
2.22
1.8
V
兆赫
pF
民
700
7.5
13.5
1.0
1.3
0.15
1.0
30
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
mA
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CES
h
FE-1
h
FE-2
V
F
f
T
C
C
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU505DF
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU505DF
描述
·带
TO- 220Fa包
高
电压，高速
·带
综合效率二极管
应用
For
色的水平偏转电路
电视接收器。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
基极电流
基极电流（峰值）
总功耗
最大工作结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
700
5
2.5
4
2
4
20
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境的热阻
最大
55
单位
K / W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU505DF
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CES
h
FE-1
h
FE-2
V
F
f
T
C
C
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
二极管的正向电压
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 0.1 A;我
B
=0;L=25mH
I
E
= 600mA电流，我
C
=0
I
C
= 2A ，我
B
=0.9 A
I
C
= 2A ，我
B
=0.9 A
V
CE
=1500V
;
V
BE
=0;
T
C
=125℃
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
I
F
=2A
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
E
=0;f=1MHz;V
CB
=10V
7
65
6
2.22
1.8
V
兆赫
pF
民
700
7.5
13.5
1.0
1.3
0.15
1.0
30
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
mA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU505DF
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
分立半导体
数据表
BU505F ; BU505DF
扩散硅功率晶体管
产品speci fi cation
取代1991年12月数据
在分离式半导体文件， SC06
1997年8月13日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
扩散硅功率晶体管
描述
高压，高速，
玻璃钝化NPN电源
晶体管在SOT186封装
电气隔离安装基座。
该BU505DF有一个集成的
效率二极管。
应用
的水平偏转电路
彩色电视接收机。
钉扎
1
2
3
MBC668
BU505F ; BU505DF
2
2
1
MBB008
1
3
MBB077
3
一。 BU505F 。
描述
B 。 BU505DF 。
针
1
2
3
mb
BASE
前视图
集热器
辐射源
安装底座;电
从所有引脚隔离
Fig.1简化外形（ SOT186 ）和符号。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
V
CESAT
V
F
I
CSAT
I
C
I
CM
P
合计
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极饱和
电压
二极管的正向电压
(BU505DF)
集电极饱和电流
集电极电流（ DC ）
集电极电流（峰值）
总功耗
下降时间
参见图4和图5
参见图4和图5
T
h
≤
25
°C;
见图2
感性负载;见图10
V
BE
= 0
开基
I
C
= 2 A;我
B
= 900毫安;参见图8
I
F
= 2 A
条件
0.7
典型值。
马克斯。
1500
700
1
1.8
2
2.5
4
20
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
s
热特性
符号
R
第j个小时
R
日J-一
笔记
1.安装
没有
散热器化合物和30
±5
牛顿的力对包装的中心。
2.安装
同
散热器化合物和30
±5
牛顿的力对包装的中心。
1997年8月13日
2
参数
条件
注2
从结点到环境的热阻
价值
6.35
3.85
55
单位
K / W
K / W
K / W
从结热阻外部散热器注1
飞利浦半导体
产品speci fi cation
扩散硅功率晶体管
隔离特性
符号
V
isolM
C
ISOL
参数
从全部终端向外部散热片的隔离电压（峰值）
从集电极到外部散热器隔离电容
BU505F ; BU505DF
典型值。
12
马克斯。
1500
V
单位
pF
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
CSAT
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压
集电极饱和电流
集电极电流（ DC ）
集电极电流（峰值）
基极电流（DC）的
基极电流（峰值）
总功耗
储存温度
结温
T
h
≤
25
°C;
见图2
参见图4和图5
参见图4和图5
V
BE
= 0
开基
条件
65
分钟。
马克斯。
1500
700
2
2.5
4
2
4
20
+150
150
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
单位
MGK674
120
手册， halfpage
P合计最大
(%)
80
10
2
手册， halfpage
MGB875
的hFE
10
(2)
40
(1)
0
0
50
100
Th
(
o
C)
150
1
10
2
10
1
1
IC （ A）
10
T
j
= 25
°C.
(1) V
CE
= 5 V.
(2) V
CE
= 1 V.
图2功率降额曲线。
图3直流电流增益;典型值。
1997年8月13日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
扩散硅功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
V
F
I
CES
参数
条件
BU505F ; BU505DF
分钟。
700
2.22
6
典型值。
马克斯。
1
1.3
1.8
0.15
1
1
30
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
集电极 - 发射极电压维持我
C
= 0.1 A;我
B
= 0; L = 25 mH的;
参见图6和图7
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 2 A;我
B
= 900毫安;
参见图8
基射极饱和电压
二极管的正向电压（ BU505DF ）
集电极 - 发射极截止电流
I
C
= 2 A;我
B
= 900毫安;
见图9
I
F
= 2 A
V
CE
= V
CESmax
; V
BE
= 0;
注1
V
CE
= V
CESmax
; V
BE
= 0;
T
j
= 125
°C;
注1
I
EBO
h
FE
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
看科幻G.3
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100毫安
13
7
65
f
T
C
c
跃迁频率
集电极电容
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100毫安;
F = 1 MHz的
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0;
F = 1 MHz的
兆赫
pF
切换时间在水平挠度电路
（见图4）
t
s
贮存时间
I
CM
= 2 A;我
B（完）
= 900毫安;
V
dr
=
4
V
L
B
= 10
H
L
B
= 15
H
L
B
= 25
H
t
f
下降时间
I
CM
= 2 A;我
B（完）
= 900毫安;
V
dr
=
4
V
L
B
= 10
H
L
B
= 15
H
L
B
= 25
H
记
1.衡量一个半正弦波电压（波形记录器） 。
0.9
0.9
0.85
s
s
s
6.5
7.5
9.5
s
s
s
1997年8月13日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
扩散硅功率晶体管
BU505F ; BU505DF
手册，全页宽
10
2
IC
(A)
MGB931
10
ICM最大
IC最大
II
1
10
1
I
10
2
10
3
10
4
1
10
10
2
10
3
VCE （ V）
10
4
安装
没有
散热器化合物和30
±5
牛顿的力对包装的中心。
T
h
= 25
°C.
I - 允许的直流操作区。
II - 允许延长重复脉冲操作。
图4正向偏置飙升。
1997年8月13日
5
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B82442T1474K050
BUX14
B41141A2226M000
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BAS40T_1
B431BR
BL1085-18CS
B65816-D2005
BYW80F-200
B43255A4477M000
B59042A1120A110
BYW80F200
BC847BPDXV6T1
BS62UV1027JI-10
BS62LV1029JI-70
BZX55-68
BZX5568
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    BU505DF
    -
    -
    -
    -
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