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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BU4525AX
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 800V （最小值）
高
开关速度
应用
·设计
对于在颜色的水平偏转电路中使用
电视接收器和电脑显示器。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CES
集电极 - 发射极电压（ V
BE
= 0)
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
I
CM
集电极电流 - 连续
集电极电流峰值
I
B
B
基地电流 - 连续
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
1500
V
800
V
7.5
V
12
A
30
A
8
A
12
A
45
W
℃
℃
150
I
BM
基极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
P
C
T
J
T
英镑
存储温度范围
-55~150
热特性
符号
参数
热阻，结到外壳
最大
2.8
单位
℃/W
R
第j个-C
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BU4525AX
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
= 0， L = 25mH
800
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
7.5
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 9A ;我
B
= 2.25A
B
3.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 9A ;我
B
= 2.25A
B
1.06
1.0
2.0
0.1
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
（ 16kHz的行偏转电路）开关时间
贮存时间
下降时间
t
英镑
t
f
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
EB
= 6V ;我
C
= 0
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
I
C
= 9A ; V
CE
= 5V
4.2
I
C
= 9A ，我
B1
= 1.8A ;我
B2
= -4.5A
V
CE
= 1500V; V
BE
= 0
V
CE
= 1500V; V
BE
= 0; T
C
=125℃
mA
mA
12
7.6
4.5
0.55
μs
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4525AX
概述
增强的性能，新一代的高电压，在一个塑料全包高速开关npn晶体管
信封用于在彩色电视接收机和电脑显示器的水平偏转电路中使用。产品特点
优异的耐受性，以基极驱动和集电极电流的负载变化从而导致非常低的最坏情况
耗散。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
9.0
7.0
0.4
0.15
马克斯。
1500
800
12
30
45
3.0
-
-
0.55
-
单位
V
V
A
A
W
V
A
A
s
s
T
hs
≤
25 C
I
C
= 9.0 A;我
B
= 2.25 A
F = 16千赫
F = 70千赫
I
CSAT
= 9.0 A; F = 16千赫
I
CSAT
= 7.0 A; F = 70千赫
钉扎 - SOT399
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
引脚配置
例
符号
c
b
1 2 3
孤立的情况下，
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
-I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（DC）的
基极电流峰值
反向基极电流峰值
1
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-
马克斯。
1500
800
12
30
8
12
7
45
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
C
C
T
hs
≤
25 C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
结到散热器
结到环境
条件
与复合散热器
在自由空气
典型值。
-
35
马克斯。
2.8
-
单位
K / W
K / W
1
关断电流。
1998年10月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4525AX
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
所有重复峰值电压
三个端子的外部
散热器
条件
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
22
-
pF
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
BV
EBO
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
参数
集电极截止电流
2
发射极截止电流
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
EB
= 6.0 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 1毫安
I
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
I
C
= 9.0 A;我
B
= 2.25A
I
C
= 9.0 A;我
B
= 2.25A
I
C
= 1.0 A; V
CE
= 5 V
I
C
= 9.0 A; V
CE
= 5 V
分钟。
-
-
-
7.5
800
-
0.88
-
4.2
典型值。
-
-
-
13.5
-
-
0.97
12
5.8
马克斯。
1.0
2.0
100
-
-
3.0
1.06
-
7.6
单位
mA
mA
A
V
V
V
V
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
C
c
参数
集电极电容
开关时间（ 16 kHz的行
偏转电路）
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
开关时间（ 70 kHz的行
偏转电路）
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
I
CSAT
= 7.0 A;我
B1
= 1.4 A
(I
B2
= -4.5 A)
2
0.15
-
-
s
s
条件
I
E
= 0 ; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
CSAT
= 9.0 A;我
B1
= 1.8 A
(I
B2
= -4.5 A)
3.7
0.4
4.5
0.55
s
s
典型值。
145
马克斯。
-
单位
pF
2
测量正弦半波电压（波形记录器） 。
1998年10月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4525AX
ICsat
+ 50v
100-200R
IC
90 %
横
tf
10 %
示波器
IB
t
ts
IB1
垂直
100R
6V
30-60赫兹
1R
t
- IB2
图1 。为V测试电路
CEOsust
.
图4 。开关时间的定义。
IC / MA
+ 150V，额定
调整ICsat
Lc
250
200
100
IBend
LB
T.U.T.
CFB
0
VCE / V
民
VCEOsust
-VBB
图2 。示波器显示V
CEOsust
.
图5 。开关时间测试电路。
晶体管
IC
二极管
ICsat
100
的hFE
BU4525 1V
t
VCE = 1V
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
IB
IB1
t
20us
26us
64us
IB2
10
VCE
1
0.01
0.1
1
10
100
t
IC / A
如图3所示。开关时间波形（ 16千赫） 。
图6 。高和低直流电流增益。
1998年10月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4525AX
的hFE
100
120
部份效果= 25℃
VCE = 5V
部份效果= 85
5V
BU4525
C
PD ％
归一化功率降额
与复合散热器
110
100
90
80
70
10
60
50
40
30
20
10
0
1
0.01
0.1
1
10
100
0
20
40
60
IC / A
80
部份效果/ C
100
120
140
图7 。高和低直流电流增益。
图10 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
25℃
BU4525AF
VBESAT / V
1.2
BU4525AF/X/W
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
10
第i K / W
1.1
IC = 9的
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
1
0.9
0.8
IC = 7的
0.01
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
1.0E+01
0.7
0.001
1.0E-07
0
1.0E-05
1.0E-03
T
1.0E-01
0.6
0
1
2
3
IB / A
4
T / S
图8 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
图11 。瞬态热阻抗。
10
TS / TF /美
10
IC （SAT） （A ）
8
ts
ICsat = 9的
部份效果= 85℃
频率= 16千赫
8
6
6
4
4
2
2
tf
0
0
0
1
2
3
IB / A
4
0
20
40
60
频率（kHz ）
80
100
图9 。典型的集热器存储和下降时间。
I
C
= 9 A;牛逼
j
= 85℃ ; F = 16kHz的
图12 。我
CSAT
正常运行与频率时
操作，以获得最佳性能
1998年10月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4525AX
机械数据
尺寸（mm）
净重： 5.88克
16.0最大
0.7
4.5
10.0
27
最大
25.1
25.7
22.5
最大
5.1
2.2最大
18.1
民
4.5
1.1
0.4 M
2
5.45
5.45
3.3
5.8最大
3.0
25
0.9最大
3.3
图13 。 SOT399 ;飞机座位是所有终端电气隔离。
笔记
1.请参考F-信封包安装说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1998年10月
5
启1.100
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BU4525AX
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 800V （最小值）
高
开关速度
应用
·设计
对于在颜色的水平偏转电路中使用
电视接收器和电脑显示器。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CES
集电极 - 发射极电压（ V
BE
= 0)
1500
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
800
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
7.5
V
I
C
I
CM
集电极电流 - 连续
12
A
集电极电流峰值
30
A
I
B
B
基地电流 - 连续
8
A
I
BM
基极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
12
A
P
C
45
W
℃
℃
T
J
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
热特性
符号
参数
热阻，结到外壳
最大
2.8
单位
℃/W
R
第j个-C
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BU4525AX
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
= 0， L = 25mH
800
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
7.5
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 9A ;我
B
= 2.25A
B
3.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 9A ;我
B
= 2.25A
B
1.06
1.0
2.0
0.1
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 1500V; V
BE
= 0
V
CE
= 1500V; V
BE
= 0; T
C
=125℃
V
EB
= 6V ;我
C
= 0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
12
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 9A ; V
CE
= 5V
4.2
7.6
（ 16kHz的行偏转电路）开关时间
贮存时间
I
C
= 9A ，我
B1
= 1.8A ;我
B2
= -4.5A
t
f
下降时间
0.55
μs
4.5
μs
t
英镑
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