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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BU4506AZ
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO ( SUS )
= 800V (最小值)
开关速度
应用
·设计
在水平偏转电路中使用
彩色电视接收机。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 发射极电压( V
BE
= 0)
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极电流峰值
基地电流 - 连续
基极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
1500
800
7.5
5
8
3
5
32
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
I
BM
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
参数
热阻,结到外壳
最大
3.9
单位
℃/W
R
第j个-C
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
BU4506AZ
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
= 0, L = 25mH
800
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
7.5
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.75A
B
3.0
V
V
BE
(SAT)
基射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.75A
B
0.98
1.0
2.0
1.0
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 1500V; V
BE
= 0
V
CE
= 1500V; V
BE
= 0; T
C
=125℃
V
EB
= 7.5V ;我
C
= 0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 5V
10
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
= 5V
4.2
7.3
( 16kHz的行偏转电路)开关时间
贮存时间
I
C
= 3A ,我
B1
= 0.6A ;我
B2
= -1.5A
t
f
下降时间
0.45
μs
4.6
μs
t
英镑
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4506AZ
概述
增强的性能,新一代的高电压,在一个塑料全包高速开关npn晶体管
信封设计用于彩色电视接收机的水平偏转电路中使用。特殊功能
公差到基极驱动和导致非常低的最坏情况下的耗散集电极电流的负载变化。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
3.0
300
马克斯。
1500
800
5
8
32
3.0
-
450
单位
V
V
A
A
W
V
A
ns
T
hs
25 C
I
C
= 3 A;我
B
= 0.75 A
F = 16千赫
I
CSAT
= 3.0 A; F = 16千赫
钉扎 - SOT186A
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
引脚配置
符号
c
b
1 2 3
孤立的情况下,
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值( IEC 134 )
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
-I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
基极电流(DC)的
基极电流峰值
反向基极电流峰值
1
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
马克斯。
1500
800
5
8
3
5
4
32
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
C
C
T
hs
25 C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
结到散热器
结到环境
条件
与复合散热器
在自由空气
典型值。
-
55
马克斯。
3.9
-
单位
K / W
K / W
1
关断电流。
1999年7月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4506AZ
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
均方根所有隔离电压
三个端子的外部
散热器
条件
F = 50-60赫兹;正弦
波形;
相对湿度
65 % ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
10
-
pF
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
BV
EBO
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
参数
集电极截止电流
2
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
I
B
= 1毫安
I
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
I
C
= 3.0 A;我
B
= 0.75 A
I
C
= 3.0 A;我
B
= 0.75 A
I
C
= 0.5 A; V
CE
= 5 V
I
C
= 3 A; V
CE
= 5 V
分钟。
-
-
7.5
800
-
0.8
-
4.2
典型值。
-
-
13.5
-
-
0.89
10
5.5
马克斯。
1.0
2.0
-
-
3.0
0.98
-
7.3
单位
mA
mA
V
V
V
V
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
参数
开关时间( 16kHz的行
偏转电路)
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
CSAT
= 3.0 A;我
B1
= 0.6 A; (我
B2
= -1.5 A)
3.7
300
4.6
450
s
ns
典型值。
马克斯。
单位
t
s
t
f
IC / MA
+ 50v
100-200R
250
示波器
垂直
100R
6V
30-60赫兹
1R
200
100
0
VCE / V
VCEOsust
图1 。为V测试电路
CEOsust
.
图2 。示波器显示V
CEOsust
.
2
测量正弦半波电压(波形记录器) 。
1999年7月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4506AZ
晶体管
IC
二极管
ICsat
100
的hFE
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
t
VCE = 1V
IB
IB1
t
20us
26us
64us
IB2
10
VCE
1
0.01
t
0.1
1
IC / 10
如图3所示。开关时间波形( 16千赫) 。
图6 。高和低直流电流增益。
ICsat
90 %
IC
100
的hFE
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
VCE = 5 V
10 %
tf
ts
IB
IB1
t
10
t
1
0.01
- IB2
0.1
1
IC / A
10
图4 。开关时间的定义。
图7 。高和低直流电流增益。
+ 150V,额定
调整ICsat
1
VCESAT / V
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
0.8
Lc
0.6
0.4
IBend
LB
T.U.T.
CFB
0.2
-VBB
0
0.1
1
IC / A
10
图5 。开关时间测试电路。
图8 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
1999年7月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4506AZ
VBESAT / V
1.2
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
120
110
100
90
80
70
60
50
IC = 3] A
PD %
归一化功率降额
与复合散热器
1.1
1
0.9
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
0.8
0.7
0.6
0
1
2
3
IB / A
4
图9 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
图11 。归一化的功率耗散。
PD % = 100
P
D
/P
25℃
10
TS / TF /美
ICsat = 3] A
部份效果= 85℃
频率= 16千赫
第i (K / W)
10
0.5
BU4506DZ
8
1
6
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
4
P
D
tp
D = TP / T
0.01
2
D=0
T
0
t
0
0.5
1
1.5
IB / A
2
0.001
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03 1E-02
T / S
1E-01 1E+00 1E+01
图10 。典型的集热器存储和下降时间。
I
C
= 3 A;牛逼
j
= 85℃ ; F = 16kHz的
图12 。瞬态热阻抗。
1999年7月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4506AZ
机械数据
尺寸(mm)
净重: 2克
10.3
最大
3.2
3.0
4.6
最大
2.9最大
凹口( 2×)
2.5
0.8最大。深度
2.8
6.4
15.8
19
最大。最大。
座位
飞机
15.8
最大
3最大。
不镀锡
3
2.5
13.5
分钟。
1
0.4
M
2
3
1.0 (2x)
0.6
2.54
0.5
2.5
1.3
0.9
0.7
5.08
图13 。 SOT186A ;飞机座位是所有终端电气隔离。
笔记
1.请参考F-信封包安装说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1999年7月
5
启1.000
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    联系人:杨小姐
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    BU4506AZ
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BU4506AZ
ST
2443+
23000
TO-220F
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
BU4506AZ
ST
24+
32000
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百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BU4506AZ
PHILIPS
2024
20918
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原装现货上海库存,欢迎查询
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