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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU426AF
描述
·采用TO- 3PML包
·高电压，高转速
应用
·开关型彩色拟使用
电视供应系统
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
900
400
10
6
8
3
65
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
价值
2.08
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU426AF
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 4A ;我
B
=1.25A
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 4A ;我
B
=1.25A
V
CE
=900V ;V
BE
=0
T
C
=125
V
EB
= 10V ;我
C
=0
I
C
= 0.6A ; V
CE
=5V
30
民
400
1.5
3.0
1.4
1.6
1.0
2.0
10
60
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BEsat-1
V
BEsat-2
I
CES
I
EBO
h
FE
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 2.5A ; V
CC
=250V
I
B1
=0.5A
0.5
3.5
0.5
s
s
s
I
C
= 2.5A ; V
CC
=250V
I
B1
= 0.5A ;我
B2
=-1A
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU426AF
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU426AF
描述
·带
TO- 3PML包
高
电压，高速
应用
·预期
在开关模式颜色使用
电视供应系统
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
900
400
10
6
8
3
65
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
价值
2.08
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU426AF
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BEsat-1
V
BEsat-2
I
CES
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 4A ;我
B
=1.25A
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 4A ;我
B
=1.25A
V
CE
=900V ;V
BE
=0
T
C
=125℃
V
EB
= 10V ;我
C
=0
I
C
= 0.6A ; V
CE
=5V
30
民
400
1.5
3.0
1.4
1.6
1.0
2.0
10
60
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
I
C
= 2.5A ; V
CC
=250V
I
B1
= 0.5A ;我
B2
=-1A
下降时间
0.5
I
C
= 2.5A ; V
CC
=250V
I
B1
=0.5A
0.5
3.5
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU426AF
图2外形尺寸
3
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BCW65CLT1G
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B37627K9102J070
BTW68N1000
BTW68N-1000
B43508B2477M080
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BU426AF
PHILIPS
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