CMOS LDO稳压器系列的便携式设备
快速
负载响应
全CMOS LDO稳压器
BUTA2WNVX系列， BUTA2WHFV系列
No.09020EAT01
°说明
BU □□ TA2WNVX / HFV系列是高性能的全CMOS稳压器具有200 mA的输出，这是安装在
超小型封装SSON004X1216 （ 1.2毫米
1.6 mm
0.6毫米） &HVSOF5 （ 1.6毫米X 1.6毫米X0.6mm ） 。它有
尽管40低电路电流消耗优良的噪音特性和负载响应特性
A.
它最适合于各种应用，例如电源为逻辑集成电路，射频和相机模块。
超小型封装SSON004X1216 & HVSOF5具有内置散热器采用的包，这有助于
集合的节省空间的设计。
■特点
1 ）高精度输出电压
1%
（ 25毫伏的1.5 -V & 1.8 -V产品）
2 ）高纹波抑制： 70分贝（典型值， 1 kHz时， VOUT1.8 V） ）
3 ）兼容的小型陶瓷电容器（ CIN = CO = 1.0
F)
4 ）低电流消耗： 40
A
5） ON / OFF控制输出电压的
6 ）过电流保护电路和过热保护电路内置
7）内置输出放电电路
8 ）采用超小型功率封装SSON004X1216
■应用
电池供电的便携式设备等。
绝对最大额定值
参数
最大施加电源电压
功耗
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
符号
VMAX
Pd1
Pd2
TJMAX
TOPR
TSTG
范围
-0.3 ~ +6.5
220*
1
(SSON004X1216)
410*
2
(HVSOF5)
+125
-40 ~ +85
-55 ~ +125
单位
V
mW
mW
°C
°C
°C
* 1当1 PCB（ 70毫米
70毫米，厚度1.6毫米的玻璃环氧基）的标准ROHM板上实现。
降低到2.2毫瓦/ C在Ta = 25C或更高时使用。
*
2当1 PCB（ 70毫米
70毫米，厚度1.6毫米的玻璃环氧基）的标准ROHM板上实现。
降低到4.1毫瓦/ C在Ta = 25C或更高时使用。
推荐工作范围（不要超过钯。 ）
参数
符号
范围
输入电源电压
V
IN
2.5 ~ 5.5
最大输出电流
IMAX
200
推荐工作条件
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
3
输入电容
C
IN
0.5*
1.0
－
3
输出电容
C
O
0.5*
1.0
－
* 3将电容器的电容值，使其不低于
直流设备的特性，并随时间的变化考虑在内。
单位
V
mA
单位
条件
μF
陶瓷电容建议。
μF
陶瓷电容建议。
的最小值，取温度特性
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2009.05 - Rev.B的
BUTA2WNVX系列， BUTA2WHFV系列
框图，推荐线路图和引脚配置图
BH□□TA2WNVX
技术说明
VIN
VIN
4/3
CIN
2
VREF
OCP
VOUT
1
1/4
VOUT
Co
GND
VSTBY
STBY
STBY
3/1
放电
图1推荐电路原理图
推荐的陶瓷电容器Cin的&钴
村田制作所有限公司
GRM188B11A105KA61D
BU□□TA2WNVX(SSON004X1216)
4
3
PIN号
1
2
3
1
2
符号
VOUT
GND
STBY
VIN
功能
电压输出
接地
的ON / OFF控制
输出电压
（高：开，低： OFF）
4
电源输入
BU□□TA2WHFV(HVSOF5)
PIN号
5
4
符号
STBY
GND
VIN
VOUT
北卡罗来纳州
功能
的ON / OFF控制
输出电压
（高：开，低： OFF）
接地
电源输入
电压输出
无连接
1
2
3
4
1
2
3
5
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2009.05 - Rev.B的
BUTA2WNVX系列， BUTA2WHFV系列
技术说明
ⅵELECTRICAL
characteristics(Ta=25C,
V
IN
=V
OUT
+1.0 V
（ VIN = 3.5 V在VOUT = 1.8 V and1.5 -V产品）
， STBY = 1.5 V ，C
IN
=1.0
F,
C
O
=1.0
F,
除非另有规定编）
参数
输出电压
短路电流
短路电流（在STBY ）
符号
VOUT
分钟。
VOUT×0.99
VOUT -25毫伏
典型值。
VOUT
马克斯。
VOUT×1.01
VOUT + 25毫伏
单位条件
V
IOUT=10
μA，VOUT≥2.5
V
IOUT=10
μA，VOUT<2.5
V
IIN
ISTBY
-
-
40
-
70
95
1
μA
IOUT=0mA
μA
STBY = 0 V
VRR = -20 DBV ， FRR = 1千赫，
IOUT = 10毫安
1.5 V ≦ VOUT ≦ 1.8 V
VRR = -20 DBV ， FRR = 1千赫，
IOUT = 10毫安
2.5 V ≦ VOUT
2.5 V≤VOUT≤2.6 V
（ VIN = 0.98 * VOUT ， IOUT = 200 mA）的
2.7 V≤VOUT≤2.85 V
（ VIN = 0.98 * VOUT ， IOUT = 200 mA）的
2.9 V≤VOUT≤3.1 V
（ VIN = 0.98 * VOUT ， IOUT = 200 mA）的
3.2 V≤VOUT≤3.4 V
（ VIN = 0.98 * VOUT ， IOUT = 200 mA）的
VIN = VOUT + 1.0 V至5.5 V ，
IOUT=10
μA
IOUT = 0.01 mA至100毫安
Vo=VOUT*0.8
VO = 0 V
VIN = 4.0 V， STBY = 0 V
纹波抑制
RR
55
65
-
dB
-
400
800
mV
-
输入/输出电压差
VSAT
-
360
720
mV
330
660
mV
-
线路调整
负载调整率
过电流保护
检测电流
输出短路电流
输出放电电阻
待机下拉电阻
待机控制
ON
关闭
VDL
VDlO均
ILMAX
ISHORT
RDSC
RSTB
VSTBH
VSTBL
-
-
250
20
20
500
1.5
-0.3
300
2
10
400
70
40
1000
-
-
600
20
80
700
150
80
2000
5.5
0.3
mV
mV
mV
mA
mA
k
V
V
*本产品不具备防辐射设计。
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2009.05 - Rev.B的
BUTA2WNVX系列， BUTA2WHFV系列
阵容
■
200毫安BU □□ TA2WNVX / HFV系列
产品名称
1.5
1.8
2.5
2.6
BU□□TA2WNVX
BU□□TA2WHFV
技术说明
2.7
2.8
2.85
包
SSON004X1216
HVSOF5
○
2.9
○
3.0
○
3.1
○
3.2
○
3.3
○
3.4
○
-
-
○
○
○
○
○
○
型号名称： BU □□ TA2WNVX / HFV
a
符号
目录
输出电压的规格
产量
产量
□□
电压（V）的
电压（V）的
1.5 V（典型值）。
1.8 V （典型值）。
2.5 V （典型值）。
2.5 V （典型值）。
2.7 V （典型值）。
28
2J
29
30
31
2.8 V（典型值）。
2.85 V（典型值）。
2.9 V（典型值）。
3.0 V（典型值）。
3.1 V（典型值）。
产量
电压（V）的
3.2 V（典型值）。
3.3 V （典型值）。
3.4 V（典型值）。
-
-
□□
15
a
18
25
26
27
□□
32
33
34
-
-
输入/输出端子的等效电路示意
一根1PIN （ VOUT ）
2PIN （ GND ）
V
IN
3PIN （ STBY ）
V
IN
4PIN （ VIN ）
VOUT
STBY
图2
关于输入/输出电容
输入/输出等效电路
陶瓷电容器的容量值 - 直流叠加特性
（例）
10
0
-10
静电容量变化[ ％ ]
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
10V的耐压
f特性
4伏耐压
X6S特性
10V的耐压
f特性
10V的耐压
B特性
6.3 -V耐压
B特性
10V的耐压
B1characteristics
GRM188B11A105KA61D
建议设置一个电容器尽可能接近的销
之间的输入端子和GND输出端之间，并或
GND 。
在输入端和地之间的电容变为有效时
源阻抗增大或接线时长。较大的
输出端子和GND之间的输出电容器的容量是
在输出负载波动的更好的稳定性和特性变得。
但是，请检查实际执行情况。陶瓷的
电容器通常具有变化，温度特性，和直接
电流偏置特性和容量值也降低了与
时间取决于使用条件。建议选择一个
陶瓷电容器时询问的相关详细数据
制造商。
关于陶瓷电容器的等效串联电阻（ESR ）
电容器一般具有的ESR （等效串联电阻）和它
运行稳定，在右边显示的ESR- IOUT区。由于陶瓷
电容，钽电容，电解电容器等通常具有
不同的ESR ，请检查所使用的电容器的ESR和使用它
的稳定区域内显示范围在右曲线图，用于评价
实际应用。
直流偏置电压[ V]
图3容量 - 偏置特性
100
不稳定的地区
血沉[ Ω ]
10
1
0.1
0.01
0
50
100
IOUT [马]
150
200
稳定区
图4稳定区域特性（例）
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2009.05 - Rev.B的
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