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飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BU2725DF

概述

高电压时，在一个塑料全包封套设计用于横向使用高速开关npn晶体管

的彩色电视接收机的偏转电路。设计承受V

CES

脉冲高达1700V 。

快速参考数据

符号

V

CESM

I

C

I

CM

P

合计

V

CESAT

I

CSAT

t

s

参数

集电极 - 发射极电压峰值

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

总功耗

集电极 - 发射极饱和电压

集电极饱和电流

贮存时间

条件

V

BE

= 0 V

T

hs

≤

25 C

I

C

= 7.0 A;我

B

= 1.75 A

F = 16千赫

I

CSAT

= 7.0 A; F = 16千赫

典型值。

-

-

-

-

-

7.0

1.5

马克斯。

1700

12

30

45

1.0

-

2

单位

V

A

A

W

V

A

s

钉扎 - SOT199

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

描述

引脚配置

例

符号

c

b

RBE

孤立的情况下，

1

2

3

e

极限值

限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）

符号

V

CESM

I

C

I

CM

I

B

I

BM

-I

B（ AV ）

-I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

参数

集电极 - 发射极电压峰值

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

基极电流（DC）的

基极电流峰值

反向基极电流

反向基极电流峰值

1

总功耗

储存温度

结温

条件

V

BE

= 0 V

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

-

-65

-

马克斯。

1700

12

30

12

20

200

9

45

150

150

单位

V

A

A

A

A

mA

A

W

C

C

平均超过任何20 ms周期

T

hs

≤

25 C

ESD极限值

符号

V

C

参数

条件

分钟。

-

马克斯。

10

单位

kV

静电放电电容电压人体模型（ 250 pF的，

1.5 k)

1

关断电流。

1997年9月

1

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BU2725DF

热阻

符号

R

日J- HS

R

日J- HS

R

日J-一

参数

结到散热器

结到散热器

结到环境

条件

无散热化合物

与复合散热器

在自由空气

典型值。

-

-

35

马克斯。

3.7

2.8

-

单位

K / W

K / W

K / W

隔离限值&特性

T

hs

= 25 C除非另有说明

符号

V

ISOL

参数

所有重复峰值电压

三个端子的外部

散热器

条件

相对湿度

≤

65 ％ ;干净无尘

分钟。

-

典型值。

马克斯。

2500

单位

V

C

ISOL

电容从T2到外部F = 1 MHz的

散热器

-

22

-

pF

静态特性

T

hs

= 25 C除非另有说明

符号

I

CES

I

CES

I

EBO

B

VEBO

R

EB

V

CESAT

V

BESAT

V

F

h

FE

h

FE

参数

集电极截止电流

2

发射极截止电流

发射极 - 基极击穿电压

基极 - 发射极电阻

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

二极管的正向电压

直流电流增益

条件

V

BE

= 0 V; V

CE

= V

CESMmax

V

BE

= 0 V; V

CE

= V

CESMmax

;

T

j

= 125 C

V

EB

= 7.5 V ;我

C

= 0 A

I

B

= 1毫安

V

EB

= 7.5 V

I

C

= 7.0 A;我

B

= 1.75 A

I

C

= 7.0 A;我

B

= 1.75 A

I

F

= 7 A

I

C

= 1 ; V

CE

= 5 V

I

C

= 7 A; V

CE

= 1 V

分钟。

-

-

-

7.5

-

0.78

-

3.8

典型值。

-

-

110

13.5

70

-

0.86

1.4

19

5.8

马克斯。

1.0

2.0

-

-

1.0

0.95

2.2

-

7.8

单位

mA

mA

mA

V

V

V

V

动态特性

T

hs

= 25 C除非另有说明

符号

参数

开关时间（ 16 kHz的行

偏转电路）

t

s

t

f

关闭存储时间

关断下降时间

条件

I

CSAT

= 7.0 A; L

C

= 650

H;

C

fb

= 18 nF的;

V

CC

= 162 V ;我

B（完）

= 1.3 A; L

B

= 2

H;

-V

BB

= 4 V;

典型值。

马克斯。

单位

1.5

0.14

2

0.3

s

s

2

测量正弦半波电压（波形记录器）。

1997年9月

2

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BU2725DF

晶体管

IC

二极管

ICsat

+ 150V，额定

调整ICsat

t

Lc

IB

IBend

t

20us

26us

D.U.T.

IBend

LB

CFB

RBE

64us

VCE

-VBB

t

图1 。开关时间波形（ 16千赫）。

如图3所示。开关时间测试电路。

ICsat

90 %

IC

100

的hFE

VCE = 5 V

BU2727D/DF

部份效果= 25℃

部份效果= 85℃

10 %

tf

ts

IB

IBend

t

10

t

1

0.01

0.1

1

10

IC / A

100

- IBM

图2 。开关时间的定义。

图4 。直流电流增益。

FE

= F（我

C

)

参数T

hs

（高增益）

1997年9月

3

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BU2725DF

的hFE

100

VCE = 1V

BU2727D/DF

VBESAT / V

1

IC = 6的

BU2727D/DF

部份效果= 25℃

部份效果= 85℃

0.9

10

0.8

0.7

4A

部份效果= 85℃

部份效果= 25℃

1

0.01

0.1

1

10

IC / A

100

0.6

0

1

2

3

IB / A

4

图5 。直流电流增益。

FE

= F（我

C

)

参数T

hs

（高增益）

图7 。典型的基极 - 发射极饱和电压。

V

BESAT

= F（我

B

） ;参数I

C

VCESAT / V

BU2727D/DF

TS / TF /美

10

9

8

7

BU2527AFX,DFX

10

部份效果= 85℃

部份效果= 25℃

1

6

IC / IB = 12

IC / IB = 5

5

4

3

2

1

0.1

0.01

0.1

1

10

IC / A

100

0

0

1

2

3

IB / A

4

图6 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。

V

CESAT

= F（我

C

） ;参数I

C

/I

B

图8 。限制存储和下降时间。

t

s

= F（我

B

） ; TF = F（我

B

); T

hs

= 85℃ ; F = 16千赫

1997年9月

4

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BU2725DF

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

与复合散热器

VCC

LC

IBend

VCL

LB

T.U.T.

CFB

-VBB

0

20

40

60

80

部份效果/ C

100

120

140

图9 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100PD / PD 25°C = F （T

hs

)

图11 。测试电路RBSOA 。

V

CC

= 150 V; -V

BB

= 1 - 4 V;

L

C

= 1毫亨; V

CL

= 1500 V ; L

B

= 0.5 - 2

H;

C

FB

= 1 - 3 nF的;我

B（完）

= 0.8 - 4 A

10

第Z / （K / W）

BU2525AF

IC / A

35

30

25

20

15

BU2727A/AF/D/DF

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.1

区域

失败发生

0.01

D=0

0.001

1E-06

1E-04

1E-02

T / S

P

D

t

p

D=

t

p

T

t

10

5

0

100

VCE / V

T

1E+00

1000

1700

图10 。瞬态热阻抗。

Z

日J- HS

= F（T） ;参数D = T

p

/T

图12 。反向偏压安全工作区。牛逼

j

≤

T

JMAX

1997年9月

5

启1.100

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

BU2725DF

描述

高

开关速度

高

电压

.Built式

Ddamper Ddiode

应用

·设计

对于在颜色的水平偏转电路中使用

电视接收器。

绝对最大额定值（T

a

=25

℃)

符号

参数

价值

单位

V

CES

集电极 - 发射极电压（ V

BE

= 0)

1700

V

V

EBO

发射极 - 基极电压

7.5

V

I

C

集电极电流 - 连续

12

A

I

CM

I

B

B

集电极电流峰值

30

A

基地电流 - 连续

12

A

I

BM

基极电流峰值

集电极耗散功率

@ T

C

=25℃

结温

20

A

P

C

45

W

℃

℃

T

J

150

T

英镑

存储温度范围

-65~150

符号

参数

热阻，结到外壳

最大

2.8

单位

℃/W

R

第j个-C

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

条件

民

BU2725DF

典型值。

最大

单位

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 600mA电流，我

C

= 0

7.5

V

V

CE

（SAT）

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 7A ;我

B

= 1.75A

B

1.0

V

V

BE

（SAT）

基射极饱和电压

I

C

= 7A ;我

B

= 1.75A

B

0.95

1.0

2.0

110

V

I

CES

收藏家Cuto FF电流

V

CE

= 1700V ; V

BE

= 0

V

CE

= 1700V ; V

BE

= 0; T

C

=125℃

V

EB

= 7.5V ;我

C

= 0

mA

I

EBO

发射Cuto FF电流

mA

h

FE-1

直流电流增益

I

C

= 1A ; V

CE

= 5V

19

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= 7A ; V

CE

= 1V

3.8

7.8

V

ECF

C- ê二极管正向电压

I

F

= 7A

2.2

V

ISC的网站： www.iscsemi.cn

2

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