飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2725AF
概述
高电压时,在一个塑料全包封套设计用于横向使用高速开关npn晶体管
的彩色电视接收机的偏转电路。设计承受V
CES
脉冲高达1700V 。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
t
s
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
贮存时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
7.0
5.8
马克斯。
1700
825
12
30
45
1.0
-
6.5
单位
V
V
A
A
W
V
A
s
T
hs
≤
25 C
I
C
= 7.0 A;我
B
= 1.75 A
F = 16千赫
I
CSAT
= 7.0 A; F = 16千赫
钉扎 - SOT199
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
引脚配置
例
符号
c
b
1
2
3
孤立的情况下,
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值( IEC 134 )
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
-I
B( AV )
-I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
基极电流(DC)的
基极电流峰值
反向基极电流
反向基极电流峰值
1
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
马克斯。
1700
825
12
30
12
20
200
9
45
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
mA
A
W
C
C
平均超过任何20 ms周期
T
hs
≤
25 C
ESD极限值
符号
V
C
参数
条件
分钟。
-
马克斯。
10
单位
kV
静电放电电容电压人体模型( 250 pF的,
1.5 k)
1
关断电流。
1997年9月
1
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2725AF
的hFE
100
VCE = 1V
BU2727A/AF
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
TS / TF /美
10
9
8
7
6
BU2527AFX,DFX
10
5
4
3
2
1
1
0.01
0.1
1
10
IC / A
100
0
0
1
2
3
IB / A
4
图7 。直流电流增益。
FE
= F(我
C
)
参数T
hs
(高增益)
图10 。限制存储和下降时间。
t
s
= F(我
B
) ; TF = F(我
B
); T
hs
= 85℃ ; F = 16千赫
VCESAT / V
BU2727A/AF
10
部份效果= 85℃
部份效果= 25℃
120
110
100
90
80
70
60
PD %
归一化功率降额
与复合散热器
1
IC / IB = 12
IC / IB = 5
50
40
30
20
10
0
0.1
0.01
0.1
1
10
IC / A
100
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
图8 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CESAT
= F(我
C
) ;参数I
C
/I
B
图11 。归一化的功率耗散。
PD % = 100PD / PD 25°C = F (T
hs
)
VBESAT / V
1
IC = 6的
BU2727A/AF
10
第Z / (K / W)
BU2525AF
0.9
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.8
0.1
0.7
4A
部份效果= 85℃
部份效果= 25℃
0.01
D=0
0.001
1E-06
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
T
0.6
0
1
2
3
IB / A
4
1E-04
1E-02
T / S
1E+00
图9 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BESAT
= F(我
B
) ;参数I
C
图12 。瞬态热阻抗。
Z
日J- HS
= F(T) ;参数D = T
p
/T
1997年9月
4
启1.300