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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BU2725AF
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO ( SUS )
= 825V (最小值)
开关速度
应用
·设计
对于在颜色的水平偏转电路中使用
电视接收器。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CES
集电极 - 发射极电压( V
BE
= 0)
1700
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
825
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
7.5
V
I
C
I
CM
集电极电流 - 连续
12
A
集电极电流峰值
30
A
I
B
B
基地电流 - 连续
12
A
I
BM
基极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
20
A
P
C
45
W
T
J
150
T
英镑
存储温度范围
-65~150
符号
参数
热阻,结到外壳
最大
2.8
单位
℃/W
R
第j个-C
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
BU2725AF
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
= 0, L = 25mH
825
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
7.5
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 1.75A
B
1.0
V
V
BE
(SAT)
基射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 1.75A
B
1.1
1.0
2.0
1.0
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 1700V ; V
BE
= 0
V
CE
= 1700V ; V
BE
= 0; T
C
=125℃
V
EB
= 7.5V ;我
C
= 0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 5V
22
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 7A ; V
CE
= 1V
4
8.5
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2725AF
概述
高电压时,在一个塑料全包封套设计用于横向使用高速开关npn晶体管
的彩色电视接收机的偏转电路。设计承受V
CES
脉冲高达1700V 。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
t
s
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
贮存时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
7.0
5.8
马克斯。
1700
825
12
30
45
1.0
-
6.5
单位
V
V
A
A
W
V
A
s
T
hs
25 C
I
C
= 7.0 A;我
B
= 1.75 A
F = 16千赫
I
CSAT
= 7.0 A; F = 16千赫
钉扎 - SOT199
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
引脚配置
符号
c
b
1
2
3
孤立的情况下,
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值( IEC 134 )
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
-I
B( AV )
-I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
基极电流(DC)的
基极电流峰值
反向基极电流
反向基极电流峰值
1
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
马克斯。
1700
825
12
30
12
20
200
9
45
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
mA
A
W
C
C
平均超过任何20 ms周期
T
hs
25 C
ESD极限值
符号
V
C
参数
条件
分钟。
-
马克斯。
10
单位
kV
静电放电电容电压人体模型( 250 pF的,
1.5 k)
1
关断电流。
1997年9月
1
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2725AF
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J- HS
R
日J-一
参数
结到散热器
结到散热器
结到环境
条件
无散热化合物
与复合散热器
在自由空气
典型值。
-
-
35
马克斯。
3.7
2.8
-
单位
K / W
K / W
K / W
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
所有重复峰值电压
三个端子的外部
散热器
条件
相对湿度
65 % ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
22
-
pF
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
BV
EBO
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
参数
集电极截止电流
2
发射极截止电流
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
EB
= 7.5 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 1毫安
I
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
I
C
= 7.0 A;我
B
= 1.75 A
I
C
= 7.0 A;我
B
= 1.75 A
I
C
= 0.1 A; V
CE
= 5 V
I
C
= 7 A; V
CE
= 1 V
分钟。
-
-
-
7.5
825
-
-
-
4
典型值。
-
-
-
13.5
-
-
-
22
6
马克斯。
1.0
2.0
1.0
-
-
1.0
1.1
-
8.5
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
参数
开关时间( 16 kHz的行
偏转电路)
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
CSAT
= 7.0 A; L
C
= 650
H;
C
fb
= 18 nF的;
V
CC
= 162 V ;我
B(完)
= 1.5 A; L
B
= 2
H;
-V
BB
= 4 V;
典型值。
马克斯。
单位
5.8
0.6
6.5
0.8
s
s
2
测量正弦半波电压(波形记录器) 。
1997年9月
2
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2725AF
ICsat
+ 50v
100-200R
IC
90 %
tf
10 %
示波器
IB
t
ts
IBend
垂直
100R
6V
30-60赫兹
1R
t
- IBM
图1 。为V测试电路
CEOsust
.
图4 。开关时间的定义。
IC / MA
+ 150V,额定
调整ICsat
Lc
250
200
100
IBend
LB
T.U.T.
CFB
0
VCE / V
VCEOsust
-VBB
图2 。示波器显示V
CEOsust
.
图5 。开关时间测试电路。
晶体管
IC
二极管
ICsat
100
的hFE
VCE = 5 V
BU2727A/AF
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
t
IB
IBend
t
20us
26us
64us
10
VCE
1
0.01
0.1
1
10
IC / A
100
t
如图3所示。开关时间波形( 16千赫) 。
图6 。直流电流增益。
FE
= F(我
C
)
参数T
hs
(高增益)
1997年9月
3
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2725AF
的hFE
100
VCE = 1V
BU2727A/AF
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
TS / TF /美
10
9
8
7
6
BU2527AFX,DFX
10
5
4
3
2
1
1
0.01
0.1
1
10
IC / A
100
0
0
1
2
3
IB / A
4
图7 。直流电流增益。
FE
= F(我
C
)
参数T
hs
(高增益)
图10 。限制存储和下降时间。
t
s
= F(我
B
) ; TF = F(我
B
); T
hs
= 85℃ ; F = 16千赫
VCESAT / V
BU2727A/AF
10
部份效果= 85℃
部份效果= 25℃
120
110
100
90
80
70
60
PD %
归一化功率降额
与复合散热器
1
IC / IB = 12
IC / IB = 5
50
40
30
20
10
0
0.1
0.01
0.1
1
10
IC / A
100
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
图8 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CESAT
= F(我
C
) ;参数I
C
/I
B
图11 。归一化的功率耗散。
PD % = 100PD / PD 25°C = F (T
hs
)
VBESAT / V
1
IC = 6的
BU2727A/AF
10
第Z / (K / W)
BU2525AF
0.9
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.8
0.1
0.7
4A
部份效果= 85℃
部份效果= 25℃
0.01
D=0
0.001
1E-06
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
T
0.6
0
1
2
3
IB / A
4
1E-04
1E-02
T / S
1E+00
图9 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BESAT
= F(我
B
) ;参数I
C
图12 。瞬态热阻抗。
Z
日J- HS
= F(T) ;参数D = T
p
/T
1997年9月
4
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2725AF
VCC
IC / A
35
30
BU2727A/AF/D/DF
LC
25
20
区域
失败发生
IBend
VCL
LB
T.U.T.
CFB
15
10
5
0
100
-VBB
1000
VCE / V
1700
图13 。测试电路RBSOA 。
V
CC
= 150 V; -V
BB
= 1 - 4 V;
L
C
= 1毫亨; V
CL
= 1500 V ; L
B
= 0.5 - 2
H;
C
FB
= 1 - 3 nF的;我
B(完)
= 0.8 - 4 A
图14 。反向偏压安全工作区。牛逼
j
T
JMAX
1997年9月
5
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    BU2725AF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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BU2725AF
PHILIPS/飞利浦
2443+
23000
TO-3P
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83798683
联系人:许先生
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NXP/恩智浦
22+
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百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
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联系人:何小姐
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BU2725AF
NXP/恩智浦
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15360
TO-3PF
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原装现货上海库存,欢迎咨询
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