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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第834页 > BU2527AX
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2527AX
概述
新一代高电压，在一个塑料全包封套设计用于使用高速开关NPN晶体管
的高分辨率显示器的水平偏转电路。功能完善RBSOA性能，适用于
运行在高达64 kHz的。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
t
s
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
贮存时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
6.0
1.7
马克斯。
1500
800
12
30
45
5.0
-
2.0
单位
V
V
A
A
W
V
A
s
T
hs
≤
25 C
I
C
= 6.0 A;我
B
= 1.2 A
I
CSAT
= 6.0 A;我
B（完）
= 0.55 A
钉扎 - SOT399
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
引脚配置
例
符号
c
b
1 2 3
孤立的情况下，
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
-I
B（ AV ）
-I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（DC）的
基极电流峰值
反向基极电流
反向基极电流峰值
1
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-
马克斯。
1500
800
12
30
8
12
200
7
45
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
mA
A
W
C
C
平均超过任何20 ms周期
T
hs
≤
25 C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J- HS
R
日J-一
参数
结到散热器
结到散热器
结到环境
条件
无散热化合物
与复合散热器
在自由空气
典型值。
-
-
35
马克斯。
3.7
2.8
-
单位
K / W
K / W
K / W
1
关断电流。
1997年9月
1
启2.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2527AX
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
所有重复峰值电压
三个端子的外部
散热器
条件
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
22
-
pF
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
BV
EBO
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
参数
集电极截止电流
2
发射极截止电流
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
EB
= 7.5 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 1毫安
I
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
I
C
= 6.0 A;我
B
= 1.2 A
I
C
= 6.0 A;我
B
= 1.2 A
I
C
= 1 ; V
CE
= 5 V
I
C
= 6 A; V
CE
= 5 V
分钟。
-
-
-
7.5
800
-
-
6
5
典型值。
-
-
-
13.5
-
-
-
10
7
马克斯。
0.25
2.0
0.25
-
-
5.0
1.3
21
9
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
C
c
参数
集电极电容
开关时间（ 64 kHz的行
偏转电路）
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
E
= 0 ; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
CSAT
= 6.0 A; L
C
= 170
H;
C
fb
= 5.4 nF的;我
B（完）
= 0.55 A;
L
B
= 0.6
H;
-V
BB
= 2 V;
（ -dI
B
/ DT = 3.33 A / μs）内
典型值。
145
马克斯。
-
单位
pF
1.7
0.1
2.0
0.2
s
s
2
测量正弦半波电压（波形记录器） 。
1997年9月
2
启2.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2527AX
ICsat
+ 50v
100-200R
IC
90 %
横
tf
10 %
示波器
IB
t
ts
IBend
垂直
100R
6V
30-60赫兹
1R
t
- IBM
图1 。为V测试电路
CEOsust
.
图4 。开关时间的定义。
IC / MA
+ 150V，额定
调整ICsat
Lc
250
200
100
IBend
LB
T.U.T.
CFB
0
VCE / V
民
VCEOsust
-VBB
图2 。示波器显示V
CEOsust
.
图5 。开关时间测试电路。
晶体管
IC
二极管
ICsat
VCC
t
LC
IB
我B端
t
5我们
6.5我们
美国16
IBend
LB
T.U.T.
CFB
VCL
-VBB
VCE
t
如图3所示。开关时间波形。
图6 。测试电路RBSOA 。 V
CC
= 140 V; -V
BB
= 4 V;
L
C
= 100 - 200
H; V
CL
≤
1500 V ; L
B
= 3
H;
C
FB
= 1 - 2.2 nF的;我
B
（完） = 1 - 2 A
1997年9月
3
启2.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2527AX
100
h
FE
TJ = 85℃
TJ = 25℃
TJ = -40℃
BU2527A
1.2
1.1
1
VBESAT / V
TJ = 85℃
TJ = 25℃
BU2527A
10
0.9
0.8
0.7
IC =
7A
6A
5A
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1 1.2 1.4 1.6 1.8
IB / A
2
1
0.01
0.6
0.1
1
IC / A
10
100
图7 。典型的直流电流增益。
FE
= F（我
C
)
V
CE
= 5 V
图10 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
BU2527AF
1.2
1.1
1
VBESAT / V
TJ = 85℃
TJ = 25℃
BU2527A
100
POFF / W
IC =
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.1
1
IC / A
10
1
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1 1.2 1.4 1.6 1.8
IB / A
2
10
6A
5A
IC / IB =
3
5
图8 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F （I
C
） ;参数I
C
/I
B
图11 。典型的关断损耗。牛逼
j
= 85C
POFF = F （I
B
） ;参数I
C
; F = 64千赫
BU2527AF
10
VCESAT / V
TJ = 85℃
TJ = 25℃
BU2527A
4
3.5
3
TS ， TF /美
1
IC / IB = 5
3
0.1
2.5
2
1.5
1
0.5
5A
IC =
6A
0.01
0.1
1
IC / A
10
100
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1 1.2 1.4 1.6 1.8
IB / A
2
图9 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F （I
C
） ;参数I
C
/I
B
图12 。典型的集热器存储和下降时间。
TS = F（我
B
） ; TF = F（我
B
） ;参数I
C
; T
j
= 85℃ ; F = 64千赫
1997年9月
4
启2.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2527AX
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
与复合散热器
IC / A
100
BU2525AF
TP =
ICM
= 0.01
40我们
儿童发展中心
10
100美
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
图13 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
25℃
= F（T
hs
)
P合计
1
10
第Z / （K / W）
BU2525AF
1毫秒
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
10毫秒
DC
P
D
t
p
D=
t
p
T
0.1
0.01
D=0
0.001
1E-06
0.01
T
t
1
10
100
1000 VCE / V
1E-04
1E-02
T / S
1E+00
图14 。瞬态热阻抗。
Z
日J- HS
= F（T） ;参数D = T
p
/T
图15 。正向偏置安全工作区。牛逼
hs
= 25 C
I
疾病预防控制中心
＆放大器;我
CM
= F（V
CE
); I
CM
单脉冲;参数t
p
第二击穿限制温度的独立。
安装有散热化合物。
IC / A
30
BU2527AF
20
10
0
0
500
VCE / V
1000
1500
图16 。反向偏压安全工作区。牛逼
j
≤
T
JMAX
1997年9月
5
启2.200
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU2527AX
描述
·采用TO- 3PML包
·高电压
·高速开关
应用
·对于在水平偏转电路中使用
高分辨率显示器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流 - 峰值
基极电流（DC）的
基极电流 - 峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
1500
800
7.5
12
30
8
12
45
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
BU2527AX
符号
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安，我
B
=0,L=25mH
800
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
=0
7.5
13.5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 6A ，我
B
=1.2A
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 6A ，我
B
=1.2A
V
CE
ΔBV
CES ;
V
BE
=0
T
j
=125
V
EB
= 7.5V ;我
C
=0
1.3
0.25
2.0
0.25
V
I
CES
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
6
10
21
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 6A ; V
CE
=5V
5
7
9
C
C
集电极电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
145
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU2527AX
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BU2527AX
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 800V （最小值）
高
开关速度
应用
·设计
对于在高的水平偏转电路中使用
高分辨率显示器。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CES
集电极 - 发射极电压（ V
BE
= 0)
1500
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
800
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
7.5
V
I
C
I
CM
集电极电流 - 连续
12
A
集电极电流峰值
30
A
I
B
B
基地电流 - 连续
8
A
I
BM
基极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
12
A
P
C
45
W
℃
℃
T
J
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
符号
参数
热阻，结到外壳
最大
2.8
单位
℃/W
R
第j个-C
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BU2527AX
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
= 0， L = 25mH
800
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
7.5
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 6A ;我
B
= 1.2A
B
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 6A ;我
B
= 1.2A
B
1.3
0.25
2.0
0.25
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 1500V; V
BE
= 0
V
CE
= 1500V; V
BE
= 0; T
C
=125℃
V
EB
= 7.5V ;我
C
= 0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
6
21
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 6A ; V
CE
= 5V
5
9
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1MHz的
145
pF
开关时间
贮存时间
I
C
= 6A ，我
B(
结束
)
= 0.55A ; L
B
= 0.6μH
-V
BB
= 2V ; （ -dI
B
/ DT = 3.33A /微秒）
下降时间
0.2
2.0
μs
μs
t
英镑
t
f
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
BU2527AX
描述
·带
TO- 3PML包
高
电压
高
高速开关
应用
For
在水平偏转使用
高分辨率显示器电路
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
基极电流（脉冲）
总功耗
最大工作结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
800
7.5
12
30
8
12
45
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
BU2527AX
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安，我
B
=0,L=25mH
800
V
V
EBO
V
CESAT
发射极 - 基极击穿电压
I
B
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 6A ，我
B
=1.2A
7.5
13.5
V
集电极 - 发射极饱和电压
5.0
V
V
BESAT
发射极基极饱和电压
I
C
= 6A ，我
B
=1.2A
V
CE
ΔBV
CES ;
V
BE
=0
T
C
=125℃
V
EB
= 7.5V ;我
C
=0
1.3
0.25
2.0
0.25
V
I
CES
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
6
21
h
FE-2
C
C
直流电流增益
I
C
= 6A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
5
9
集电极电容
145
pF
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU2527AX
图2外形尺寸
JMnic
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BMH250-11R
BAS16Q62702-A739
BCX56TA
B41505A7688M007
B25835M6224K007
BF998RBW-GS08
B32564-J3106-M
B32564J3106M
BZX84C22TS
BZV55-F9V1
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