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飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BU2523DX

概述

新一代的高电压，以在一个全塑料的综合的阻尼二极管高速开关npn晶体管

封套设计用于HDTV接收器和电脑显示器的水平偏转电路中使用。

快速参考数据

符号

CESM

首席执行官

合计

CESAT

CSAT

参数

集电极 - 发射极电压峰值

集电极 - 发射极电压（开基）

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

总功耗

集电极 - 发射极饱和电压

集电极饱和电流

二极管的正向电压

下降时间

条件

= 0 V

典型值。

5.5

0.15

马克斯。

1500

800

5.0

2.2

0.3

单位

≤

25 C

= 5.5 A;我

= 1.1 A

F = 64千赫

= 5.5 A

CSAT

= 5.5 A; F = 64千赫

钉扎 - SOT399

针

BASE

集热器

辐射源

描述

引脚配置

例

符号

RBE

孤立的情况下，

1 2 3

极限值

限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）

符号

CESM

首席执行官

-I

B（ AV ）

-I

合计

英镑

参数

集电极 - 发射极电压峰值

集电极 - 发射极电压（开基）

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

基极电流（DC）的

基极电流峰值

反向基极电流

反向基极电流峰值

总功耗

储存温度

结温

条件

= 0 V

分钟。

-55

马克斯。

1500

800

175

150

单位

平均超过任何20 ms周期

≤

25 C

热阻

符号

日J- HS

日J-一

参数

结到散热器

结到环境

条件

与复合散热器

在自由空气

典型值。

马克斯。

2.8

单位

K / W

关断电流。

1997年9月

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

BU2523DX

隔离限值&特性

= 25 C除非另有说明

符号

ISOL

参数

所有重复峰值电压

三个端子的外部

散热器

条件

相对湿度

≤

65 ％ ;干净无尘

分钟。

典型值。

马克斯。

2500

单位

ISOL

电容从T2到外部F = 1 MHz的

散热器

静态特性

= 25 C除非另有说明

符号

CES

EBO

CEOsust

CESAT

BESAT

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极电压维持

基极 - 发射极电阻

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

直流电流增益

二极管的正向电压

条件

= 0 V; V

= V

CESMmax

= 0 V; V

= V

CESMmax

;

= 125 C

= 6.0 V ;我

= 0 A

= 600毫安

= 0 ;我

= 100毫安;

L = 25毫亨

= 7.5 V

= 5.5 A;我

= 1.1 A

= 5.5 A;我

= 1.1 A

= 1.0 A; V

= 5 V

= 5.5 A; V

= 5 V

= 5.5 A

分钟。

7.5

800

典型值。

130

13.5

7.5

马克斯。

1.0

2.0

170

5.0

1.0

10.8

2.2

单位

动态特性

= 25 C除非另有说明

符号

参数

开关时间（ 64 kHz的行

偏转电路）

条件

CSAT

= 5.5 A; L

= 200

= 4 nF的;

= 145 V ;我

B（完）

= 0.56 A;

= 0.4

-V

= -4 V;

-I

= 3.3 A

1.5

0.15

= 5.5 A;的dI

/ DT = 50 A / μs的

= 5 V

16.5

375

0.3

典型值。

马克斯。

单位

关闭存储时间

关断下降时间

反并联二极管正向恢复

电压

反并联二极管正向恢复

时间

测量正弦半波电压（波形记录器）。

1997年9月

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硅扩散型功率晶体管

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晶体管

二极管

ICsat

+ 150V，额定

调整ICsat

我B端

5我们

6.5我们

D.U.T.

IBend

CFB

RBE

美国16

VCE

-VBB

图1 。开关时间波形。

图4 。开关时间测试电路。

ICsat

90 %

100

的hFE

VCE = 1V

BU2523DF/X

部份效果= 25℃

部份效果= 85℃

10 %

IBend

0.01

- IBM

0.1

IC / A

100

图2 。开关时间的定义。

图5 。高和低直流电流增益。

= F（我

)

= 1 V

的hFE

BU2523DF/X

部份效果= 25℃

部份效果= 85℃

100

VCE = 5 V

10%

吨FR

时间

0.01

0.1

IC / A

100

如图3所示。的反并联二极管V定义

和T

图6 。高和低直流电流增益。

= F（我

)

= 5 V

1997年9月

启1.200

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BU2523DX

VCESAT / V

部份效果= 25℃

部份效果= 85℃

BU2523DF/X

TS / TF /美

BU2523AF/DF/AX/DX

IC / IB = 10

IC / IB = 5

0.1

0.01

0.1

IC / A

100

0.5

1.5

IB / A

图7 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。

SAT = F （I

） ;参数I

图10 。典型的集热器存储和下降时间。

TS = F（我

） ; TF = F（我

); I

= 5.5 A;牛逼

= 85℃ ; F = 64千赫

归一化功率降额

与复合散热器

VBESAT / V

1.2

BU2523DF/X

部份效果= 25℃

部份效果= 85℃

IC = 6的

120

110

100

PD ％

1.1

0.9

0.8

IC = 4.5 A

0.7

0.6

IB / A

部份效果/ C

100

120

140

图8 。典型的基极 - 发射极饱和电压。

SAT = F （I

） ;参数I

图11 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

25℃

= F（T

)

P合计/ W

100

BU2523AF/DF/AX/DX

第Z / （K / W）

BU2525AF

部份效果= 25℃

部份效果= 85℃

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.1

0.01

D=0

0.001

1E-06

0.5

IB / A

1.5

1E-04

1E-02

T / S

1E+00

图9 。典型的损失。

合计

= F（我

); I

= 5.5 A; F = 64千赫

图12 。瞬态热阻抗。

日J- HS

= F（T） ;参数D = T

1997年9月

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VCC

IC （SAT）（A ）

BU2523AF/AX

IBend

VCL

T.U.T.

CFB

-VBB

图13 。测试电路RBSOA 。 V

= 150 V;

-V

= 1 - 5 V;

= 1.5 mH的; V

= 1450伏; L

= 0.3 - 2

= 0.5 - 8 nF的;我

B（完）

= 0.55 - 1.1 A

频率（kHz ）

图15 。我

CSAT

正常运行与频率时

操作，以获得最佳性能

IC / A

BU2523

区域

失败发生

100

VCE / V

1000

1500

图14 。反向偏压安全工作区。牛逼

≤

JMAX

1997年9月

启1.200

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