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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第848页 > BU2515AX
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2515AX
概述
新一代高电压，在一个塑料全包封套设计用于使用高速开关NPN晶体管
PC显示器的水平偏转电路。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
4.5
0.2
马克斯。
1500
800
9
20
45
5.0
-
0.4
单位
V
V
A
A
W
V
A
s
T
hs
≤
25 C
I
C
= 4.5 A;我
B
= 0.9 A
F = 56千赫
I
CSAT
= 4.5 A; F = 56千赫
钉扎 - SOT399
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
引脚配置
例
符号
c
b
1 2 3
孤立的情况下，
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
-I
B（ AV ）
-I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（DC）的
基极电流峰值
反向基极电流
反向基极电流峰值
1
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-
马克斯。
1500
800
9
20
5
7.5
125
6
45
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
mA
A
W
C
C
平均超过任何20 ms周期
T
hs
≤
25 C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
结到散热器
结到环境
条件
与复合散热器
在自由空气
典型值。
-
35
马克斯。
2.8
-
单位
K / W
K / W
1
关断电流。
1997年9月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2515AX
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
所有重复峰值电压
三个端子的外部
散热器
条件
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
22
-
pF
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
BV
EBO
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
参数
集电极截止电流
2
发射极截止电流
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
EB
= 7.5 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 1毫安
I
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
I
C
= 4.5 A;我
B
= 0.9 A
I
C
= 4.5 A;我
B
= 0.9 A
I
C
= 500毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 4.5 A; V
CE
= 5 V
分钟。
-
-
-
7.5
800
-
-
-
5
典型值。
-
-
-
13.5
-
-
-
17.2
8.2
马克斯。
1.0
2.0
1.0
-
-
5.0
1.0
-
10.8
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
参数
开关时间（ 56 kHz的行
偏转电路）
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
CSAT
= 4.5 A; L
C
= 250
H;
C
fb
= 4 nF的;
I
B（完）
= 0.65 ; L
B
= 1.5
H;
-V
BB
= -4 V ; -I
BM
= 2.7 A
典型值。
马克斯。
单位
2.2
0.2
3.0
0.4
s
s
晶体管
IC
二极管
ICsat
ICsat
90 %
t
IC
IB
IBend
t
8.8us
18us
ts
IB
IBend
tf
10 %
t
VCE
t
t
- IBM
图1 。开关时间波形。
图2 。开关时间的定义。
2
测量正弦半波电压（波形记录器） 。
1997年9月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2515AX
+ 150V，额定
调整ICsat
10
VCESAT / V
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
BU2515AF/X
Lc
1
IC / IB = 10
IC / IB = 5
IBend
LB
T.U.T.
CFB
0.1
-VBB
0.01
0.1
1
10
IC / A
100
如图3所示。开关时间测试电路。
图6 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F （I
C
） ;参数I
C
/I
B
的hFE
100
VCE = 1V
BU2515AF/X
1.2
VBESAT / V
BU2515AF/AX
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
IC = 6的
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
1.1
1
10
0.9
0.8
IC = 4的
0.7
1
0.01
0.1
1
10
IC / A
100
0.6
0
1
2
3
IB / A
4
图4 。高和低直流电流增益。
FE
= F（我
C
)
V
CE
= 1 V
图7 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
的hFE
100
VCE = 5 V
BU2515AF/X
100
P合计/ W
BU2515AF/DF/AX/DX
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
10
10
1
0.01
1
0.1
1
10
IC / A
100
0
0.5
1
IB / A
1.5
2
图5 。高和低直流电流增益。
FE
= F（我
C
)
V
CE
= 5 V
图8 。典型的损失。
P
合计
= F（我
B
); I
C
= 4.5 A; F = 56千赫
1997年9月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2515AX
TS / TF /美
5
BU2515AF/DF/AX/DX
VCC
4
LC
3
2
IBend
VCL
LB
T.U.T.
CFB
1
-VBB
0
0
0.5
1
1.5
IB / A
2
图9 。典型的集热器存储和下降时间。
TS = F（我
B
） ; TF = F（我
B
); I
C
= 4.5 A;吨
j
= 85℃ ; F = 56千赫
图12 。测试电路RBSOA 。 V
CC
= 150 V;
-V
BB
= 1 - 5 V;
L
C
= 1.5 mH的; V
CL
= 1450伏; L
B
= 0.3 - 2
H;
C
FB
= 0.5 - 8 nF的;我
B（完）
= 0.65 - 1.3 A
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
与复合散热器
IC / A
30
BU2515
20
区域
失败发生
10
0
100
1000
VCE / V
1500
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
图10 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
25℃
= F（T
mb
)
第Z / （K / W）
图13 。反向偏压安全工作区。牛逼
j
≤
T
JMAX
10
IC （SAT） （A ）
8
7
BU2515AF/AX
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
3
6
5
4
0.1
0.01
D=0
0.001
1E-06
1E-04
1E-02
T / S
P
D
t
p
t
p
D=
T
t
2
1
T
0
1E+00
0
10
20
30
40
50
60
70
80
频率（kHz ）
图11 。瞬态热阻抗。
Z
日J- HS
= F（T） ;参数D = T
p
/T
图14 。我
CSAT
正常运行与频率时
操作，以获得最佳性能
1997年9月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2515AX
机械数据
尺寸（mm）
净重： 5.88克
16.0最大
0.7
4.5
10.0
27
最大
25.1
25.7
22.5
最大
5.1
2.2最大
18.1
民
4.5
1.1
0.4 M
2
3.3
5.8最大
3.0
25
0.95最大
5.45
5.45
3.3
图15 。 SOT399 ;飞机座位是所有终端电气隔离。
笔记
1.请参考F-信封包安装说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1997年9月
5
启1.100
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BU2515AX
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 800V （最小值）
高
开关速度
应用
·设计
在水平偏转电路中使用
PC显示器。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CES
集电极 - 发射极电压（ V
BE
= 0)
1500
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
800
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
7.5
V
I
C
I
CM
集电极电流 - 连续
9
A
集电极电流峰值
20
A
I
B
B
基地电流 - 连续
5
A
I
BM
基极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
7.5
A
P
C
45
W
℃
℃
T
J
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
符号
参数
热阻，结到外壳
最大
2.8
单位
℃/W
R
第j个-C
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BU2515AX
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
= 0， L = 25mH
800
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
7.5
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
= 0.9A
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
= 0.9A
V
CE
= 1500V ; V
BE
= 0
V
CE
= 1500V ; V
BE
= 0; T
C
=125℃
V
EB
= 7.5V ;我
C
= 0
1.0
1.0
2.0
1.0
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 5V
17.2
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 4.5A ; V
CE
= 5V
5
10.8
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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BC808F
BL8551-25PRM
BZX84J-C15
B43857F2335M00
BCW67
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BFC237019563
BUS-61559-100Z
BA892V-02V
BQ3055DBTR
BS62UV1027TI
BUF601AU
B9400
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B41896C3688M001
BVU-3K0BE4
B39211-B3646-Z710
BCW89/T1
BA17805CP-E2
BLF6G20-180PN
供货商
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厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    联系人：杨小姐
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    BU2515AX
    -
    -
    -
    -
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联系人：林小姐 胡先生 张先生
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BU2515AX
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BU2515AX
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BU2515AX
PHILIPS
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PHILIPS/飞利浦
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