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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BU204
描述
高
电压V
CEX
= 1300V （最小值）
-collector
电流 - 我
C
= 2.5A
应用
·设计
在大屏幕彩色偏转电路使用。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
储存温度
价值
1300
600
5
2.5
3.0
1.0
36
115
-65~115
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
2.5
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
BU204
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100mA时我
B
= 0
600
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
= 1A
B
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
= 1A
B
1.5
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 1300V; V
BE
= 0
1.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5.0V ;我
C
= 0
10
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 2A ; V
CE
= 5V
2
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1MHz的
50
pF
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 5V ; F
TEST
= 1MHz的
4
兆赫
t
f
下降时间
I
C
= 2A ;我
B
= 1A ; L
B
= 25μH
B
0.65
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BU204
描述
高
电压V
CEX
= 1300V （最小值）
-collector
电流 - 我
C
= 2.5A
应用
·设计
在大屏幕彩色偏转电路使用。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
1300
600
5
V
V
V
2.5
A
3.0
A
1.0
36
115
-65~115
A
W
℃
℃
价值
单位
P
C
T
J
T
英镑
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
储存温度
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
2.5
单位
℃/W
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
BU204
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100mA时我
B
= 0
600
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
= 1A
B
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
= 1A
B
1.5
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 1300V; V
BE
= 0
1.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5.0V ;我
C
= 0
10
mA
h
FE
直流电流增益
C
OB
输出电容
f
T
电流增益带宽积
t
f
下降时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 2A ; V
CE
= 5V
2
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1MHz的
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 5V ; F
TEST
= 1MHz的
I
C
= 2A ;我
B
= 1A ; L
B
= 25μH
B
50
pF
4
兆赫
0.65
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2
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
博卡半导体公司
BSC
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    联系人：杨小姐
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    BU204
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