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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BU111
描述
-collector极 - 发射极
维持Voltag-
: V
CEO （ SUS ）
= 300V （最小值）
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE （ SAT ）
= 1.5V （最大值） @我
C
= 2.5A
应用
·设计
在彩色电视接收机菜刀用品的使用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值重复
基极电流
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
500
300
6
6
8
3
50
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
P
C
T
J
T
英镑
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
BU111
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安，我
B
= 0
200
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
= 0
6
V
V
CE（
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2.5A ;我
B
= 0.5A
1.5
V
V
BE （
SAT
)
基射极饱和电压
I
C
= 2.5A ;我
B
= 0.5A
1.4
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 400V ;我
E
=0
0.1
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 6V ;我
C
=0
0.1
mA
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V
10
兆赫
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2
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B32327-C1606
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    BU111
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