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DA TA S等他,再诉1 .1 ,德丙EM BER 2 00 4
BTS 7960
高电流PN半桥
NovalithIC
TM
4 3 A, 7米
+ 9 m
金吨o的钼T I已经P 2 O WE R
的Ne V é
S T O·P
吨H I N·K I N克。
高电流PN半桥
BTS 7960
产品概述
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2
基本特点
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2
1概述
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3
1.1框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3
1.2条款。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4
2引脚配置
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5
2.1引脚分配。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5
2.2引脚定义和功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5
3最大额定值
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6
4块描述及特点
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7
4.1供应特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.7
4.2功率级。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8
4.2.1功率级 - 静态特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
4.2.2开关时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
4.2.3功率级 - 动态特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
4.3保护功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.13
4.3.1过压锁定输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
4.3.2欠压关机。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
4.3.3过热保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
4.3.4电流限制。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
4.3.5短路保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
4.3.6电气特性 - 保护功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
4.4控制和诊断。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.17
4.4.1输入电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
4.4.2死区时间生成。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
4.4.3可调摆率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
4.4.4状态标志诊断电流检测能力。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
4.4.5真值表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
4.4.6电气特性 - 控制和诊断。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
5热特性
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21
6应用
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22
6.1应用实例。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.22
6.2布局考虑。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.22
7包装说明P- TO- 263-7
8封装外形P- TO- 220-7
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24
9修订历史记录
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25
数据表
1
修订版1.1 , 2004-12-07
高电流PN半桥
NovalithIC
TM
BTS 7960B
BTS 7960P
产品概述
BTS 7960
是一个完全集成的高电流的一半
桥电机驱动应用。它的一部分
NovalithIC
TM
包含一个P沟道高边系列
MOSFET和一个n沟道低侧MOSFET,具有一个
集成驱动器IC在一个封装中。由于P沟道
高侧开关需要一个电荷泵被消除
从而减少EMI。与微控制器是
轻松的集成驱动IC为特色
逻辑电平输入,诊断与电流检测,转换率
调整,死区时间生成和保护,防止
过热,
过压,
欠压,
过流和短路。
BTS 7960
提供了一种成本优化的解决方案
受保护的高电流PWM马达驱动器具有非常低
电路板空间的消耗。
BTS 7960B
P-TO-263-7
BTS 7960P
P-TO-220-7
基本特点
典型的通道阻力。 16毫欧@ 25
°C
(典型值)的低静态电流。 7
A
@ 25
°C
高达25kHz的结合活性续流PWM功能
开关模式电流限制在过电流降低功耗
43一个典型电流限制水平。
状态标志诊断电流检测能力
过热关机与锁的行为
过压锁定
欠压关闭
驱动电路与逻辑电平输入
可调摆率,优化EMI
订购代码
Q67060-S6160
根据要求
2
TYPE
BTS 7960B
BTS 7960P
数据表
P-TO-263-7
P-TO-220-7
修订版1.1 , 2004-12-07
高电流PN半桥
BTS 7960
概观
1
概观
BTS 7960
是的一部分
NovalithIC
家族包含三种不同的芯片
包:一个P沟道高边MOSFET和一个N沟道MOSFET低边
连同一个驱动器IC ,从而形成一个完全集成的高电流半桥。所有这三个
芯片被安装在一个共用的引线框架,使用该芯片上的芯片和芯片通过芯片
技术。电源开关采用垂直MOS技术,以确保最佳的
态电阻。由于P沟道高边开关需要一个电荷泵是
淘汰从而减少EMI。接口与微控制器变得容易了
集成的驱动IC为特色的逻辑电平输入,诊断与电流检测,摆
利率调整,死区时间生成和防止过热,
过压,欠压,过流和短路。在BTS 7960可
结合其他BTS 7960 ,形成H桥和三相驱动器配置。
1.1
框图
BTS 7960
HS基片
VS
顶片
IN
INH
SR
IS
栅极驱动器
死区时间创
压摆率调。
UV关闭
OV锁闭
OT关闭
当前LIM 。
诊断
电流检测
OUT
LS基片
GND
图1
框图
数据表
3
修订版1.1 , 2004-12-07
高电流PN半桥
BTS 7960
概观
1.2
条款
下图显示了在此数据表中使用的术语。
V
VS
,V
S
I
IN
V
IN
V
在H
V
SR
V
IS
I
在H
I
SR
I
IS
IN
VS
I
VS
, -I
(H S)
V
S( H S测定)
INH
BTS 7960
OUT
I
OU牛逼
, I
L
V
SD (L S)
V
OU牛逼
SR
IS
GND
I
GN D,
I
(L S)
图2
条款
数据表
4
修订版1.1 , 2004-12-07
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    BTS7960B
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    -
    -
    -
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BTS7960B
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