【TrilithIC数据表11.1概观特点BTS 7740摹四D- MOS开关驱动器免费配置为桥或四开】,IC型号BTS7740G,BTS7740G PDF资料,BTS7740G经销商,ic,电子元器件-51电子网

TrilithIC

数据表

1.1

概观

特点

BTS 7740摹

四D- MOS开关驱动器

免费配置为桥或四开关

优化的直流电机管理应用程序

低

DS ON

： 110 mτ高边开关， 100 mτ低

边开关（典型值@ 25

最大峰值电流：典型值。 8 A @ 25

非常低的静态电流：典型值。五

←A

@ 25

小尺寸，增强的功率P- DSO-包

全短路保护

可在高达40 V

状态标志诊断

过热关机与迟滞

内部钳位二极管

隔离源外部电流传感

欠压检测与迟滞

PWM频率高达1 kHz的

订购代码

Q67007-A9374

P-DSO-28-14

TYPE

BTS 7740摹

1.2

描述

包

P-DSO-28-14

该

BTS 7740摹

是的一部分

TrilithIC

家族包含三个模具在一个封装中：

其中双高边开关和两个低边开关。这三者的排水渠

垂直DMOS芯片安装在引线框架分离。的源极连接

个别引脚，因此

BTS 7740摹

可以用在H-桥 - 以及在任何其他

配置。两个双高压侧和的两个低侧开关

BTS 7740摹

在制造

SMART SIPMOS

技术，该技术结合了低

DS ON

垂直DMOS功率级与CMOS控制电路。高侧开关是

充分的保护，并包含控制和诊断电路。还低侧

开关得到充分的保障，在同等标准的产品是

BSP 77 。

与此相反的

BTS 7750 G，

它由低欧姆晶片在相同的

包，所述

BTS 7740摹

提供了一个较低的价格为应用程序，这不需要

的高电流能力

BTS 7750摹

BTS 7750 GP 。

数据表

2001-02-01

BTS 7740摹

1.3

引脚配置

（ TOP VIEW ）

DL1 1

IL1 2

DL1 3

LS-引线框架

北卡罗来纳州4

DHVS 5

GND 6

7 IH1

HS-引线框架

ST 8

IH2 9

DHVS 10

北卡罗来纳州11

LS-引线框架

DL2 12

IL2 13

DL2 14

28 DL1

27 SL1

26 SL1

25 DL1

24 DHVS

23 SH1

22 SH1

21 SH2

20 SH2

19 DHVS

18 DL2

17 SL2

16 SL2

15 DL2

图1

数据表

2001-02-01

BTS 7740摹

1.4

PIN号

引脚定义和功能

符号

DL1

IL1

北卡罗来纳州

DHVS

GND

IH1

IH2

北卡罗来纳州

DL2

IL2

SL2

SH2

SH1

SL1

功能

漏低端交换机1的，引线框架1

低端交换机1的模拟输入

没有连接

高侧开关和电源电压的流失，

引线框2

地

高端交换机1的数字输入

高边开关的状态;开漏输出

高边开关2的数字输入

没有连接

漏低侧开关2中，引线框架3

低侧开关2的模拟输入

低侧开关2的源

高边开关2的源

高端交换机1的源

低端交换机1的源

1, 3, 25, 28

5, 10, 19, 24

12, 14, 15, 18

16,17

20,21

22,23

26,27

以减小热阻这些引脚通过金属桥到引线框架直接连接。

引脚写在

黑体字

需要电源接线。

数据表

2001-02-01

BTS 7740摹

1.5

功能框图

DHVS

5,10,19,24

诊断

偏置和保护

IH1

IH2

GND

司机

IN OUT

0 0 L L

0 1 L H

1 0 H L

1 1 H H

20,21

12,14,15,18

SH2

DL2

22, 23

SH1

DL1

保护

1,3,25,28

IL1

门

司机

保护

IL2

门

司机

26, 27

16, 17

SL1

SL2

图2

框图

数据表

2001-02-01

BTS 7740摹

1.6

电路描述

输入电路

控制输入IH1,2包括TTL / CMOS兼容的施密特触发器与

滞后。缓冲放大器由这些级驱动，所述逻辑信号转换成

必要的形式，用于驱动功率输出级。该输入由ESD保护

钳二极管。

输入IL1和IL2分别连接到N信道的内部栅极驱动单元

垂直功率MOS- FET的。

输出级

输出级包括一个低

DS ON

功率型MOS H桥。在H桥

构，则D -MOS体二极管可以换向时用于续流

感性负载。如果在高压侧开关被用作单个开关，正和

驱动感性负载时出现的负电压尖峰被限制

集成的电源钳位二极管。

短路保护

输出保护，防止

- 输出对地短路

- 输出短路到电源电压，并

- 过载（负载短路）。

内部运放通过比较所述的DS-电压 - 控制所述漏源电压

降与内部参考电压。上面这个条件启动运算放大器降低了

输出电流取决于结温及电压降。

在重载高端的情况下，开关状态输出设置为低。

完全保护低边开关没有状态输出。

过热保护

高边和低边开关还集成了过温保护

电路滞后而关闭输出晶体管。在高的情况下

侧开关，状态输出设置为低。

欠压锁定（ UVLO ）

当

到达开关导通电压

UVON

该IC成为活跃的滞后。

高侧输出晶体管被关闭，如果电源电压

下面滴

开关关断值

UVOFF 。

数据表

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TrilithIC

数据表

1.1

概观

特点

BTS 7740摹

四D- MOS开关驱动器

免费配置为桥或四开关

优化的直流电机管理应用程序

低

DS ON

： 110 mτ高边开关， 100 mτ低

边开关（典型值@ 25

最大峰值电流：典型值。 8 A @ 25

非常低的静态电流：典型值。五

←A

@ 25

小尺寸，增强的功率P- DSO-包

全短路保护

可在高达40 V

状态标志诊断

过热关机与迟滞

内部钳位二极管

隔离源外部电流传感

欠压检测与迟滞

PWM频率高达1 kHz的

订购代码

Q67007-A9374

P-DSO-28-14

TYPE

BTS 7740摹

1.2

描述

包

P-DSO-28-14

该

BTS 7740摹

是的一部分

TrilithIC

家族包含三个模具在一个封装中：

其中双高边开关和两个低边开关。这三者的排水渠

垂直DMOS芯片安装在引线框架分离。的源极连接

个别引脚，因此

BTS 7740摹

可以用在H-桥 - 以及在任何其他

配置。两个双高压侧和的两个低侧开关

BTS 7740摹

在制造

SMART SIPMOS

技术，该技术结合了低

DS ON

垂直DMOS功率级与CMOS控制电路。高侧开关是

充分的保护，并包含控制和诊断电路。还低侧

开关得到充分的保障，在同等标准的产品是

BSP 77 。

与此相反的

BTS 7750 G，

它由低欧姆晶片在相同的

包，所述

BTS 7740摹

提供了一个较低的价格为应用程序，这不需要

的高电流能力

BTS 7750摹

BTS 7750 GP 。

数据表

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BTS 7740摹

1.3

引脚配置

（ TOP VIEW ）

DL1 1

IL1 2

DL1 3

LS-引线框架

北卡罗来纳州4

DHVS 5

GND 6

7 IH1

HS-引线框架

ST 8

IH2 9

DHVS 10

北卡罗来纳州11

LS-引线框架

DL2 12

IL2 13

DL2 14

28 DL1

27 SL1

26 SL1

25 DL1

24 DHVS

23 SH1

22 SH1

21 SH2

20 SH2

19 DHVS

18 DL2

17 SL2

16 SL2

15 DL2

图1

数据表

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BTS 7740摹

1.4

PIN号

引脚定义和功能

符号

DL1

IL1

北卡罗来纳州

DHVS

GND

IH1

IH2

北卡罗来纳州

DL2

IL2

SL2

SH2

SH1

SL1

功能

漏低端交换机1的，引线框架1

低端交换机1的模拟输入

没有连接

高侧开关和电源电压的流失，

引线框2

地

高端交换机1的数字输入

高边开关的状态;开漏输出

高边开关2的数字输入

没有连接

漏低侧开关2中，引线框架3

低侧开关2的模拟输入

低侧开关2的源

高边开关2的源

高端交换机1的源

低端交换机1的源

1, 3, 25, 28

5, 10, 19, 24

12, 14, 15, 18

16,17

20,21

22,23

26,27

以减小热阻这些引脚通过金属桥到引线框架直接连接。

引脚写在

黑体字

需要电源接线。

数据表

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BTS 7740摹

1.5

功能框图

DHVS

5,10,19,24

诊断

偏置和保护

IH1

IH2

GND

司机

IN OUT

0 0 L L

0 1 L H

1 0 H L

1 1 H H

20,21

12,14,15,18

SH2

DL2

22, 23

SH1

DL1

保护

1,3,25,28

IL1

门

司机

保护

IL2

门

司机

26, 27

16, 17

SL1

SL2

图2

框图

数据表

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BTS 7740摹

1.6

电路描述

输入电路

控制输入IH1,2包括TTL / CMOS兼容的施密特触发器与

滞后。缓冲放大器由这些级驱动，所述逻辑信号转换成

必要的形式，用于驱动功率输出级。该输入由ESD保护

钳二极管。

输入IL1和IL2分别连接到N信道的内部栅极驱动单元

垂直功率MOS- FET的。

输出级

输出级包括一个低

DS ON

功率型MOS H桥。在H桥

构，则D -MOS体二极管可以换向时用于续流

感性负载。如果在高压侧开关被用作单个开关，正和

驱动感性负载时出现的负电压尖峰被限制

集成的电源钳位二极管。

短路保护

输出保护，防止

- 输出对地短路

- 输出短路到电源电压，并

- 过载（负载短路）。

内部运放通过比较所述的DS-电压 - 控制所述漏源电压

降与内部参考电压。上面这个条件启动运算放大器降低了

输出电流取决于结温及电压降。

在重载高端的情况下，开关状态输出设置为低。

完全保护低边开关没有状态输出。

过热保护

高边和低边开关还集成了过温保护

电路滞后而关闭输出晶体管。在高的情况下

侧开关，状态输出设置为低。

欠压锁定（ UVLO ）

当

到达开关导通电压

UVON

该IC成为活跃的滞后。

高侧输出晶体管被关闭，如果电源电压

下面滴

开关关断值

UVOFF 。

数据表

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