PROFET BTS 736 L2
智能高侧电源开关
两个渠道： 2× 40MΩ
状态反馈
产品概述
工作电压
V
bb的（上）
活动通道
导通状态电阻
R
ON
额定负载电流
I
L（ NOM ）
电流限制
I
L（血肌酐）
4.75...41V
一
两个平行
40m
20m
4.8A
7.3A
30A
30A
包
P-DSO-20-9
概述
N沟道垂直功率MOSFET，电荷泵，接地参考CMOS兼容输入和
诊断反馈，单片集成在智能SIPMOS技术。
提供嵌入式保护功能
应用
μC与5V ， 12V和24V的诊断反馈兼容的高侧电源开关，接地载荷
各类阻性，感性和capacitve加载中
最适合负载，高浪涌电流，使灯具
替代机电继电器，熔断器和分立电路
基本功能
极低的待机电流
CMOS兼容输入
感性负载的快速退磁
在欠稳定的行为
宽工作电压范围
独立于负载地逻辑地
保护功能
短路保护
过载保护
电流限制
热关断
过电压保护（包括负载突降）与外部
电阻器
用外部电阻反向电池保护
地面损失和V损失
bb
保护
静电放电保护（ ESD ）
框图
VBB
IN1
ST1
逻辑
通道
1
逻辑
通道
2
PROFET
GND
出1
负载1
输出2
负载2
IN2
ST2
诊断功能
与开漏输出诊断反馈
开路负载检测在ON状态
热关断在ON状态反馈
半导体集团
1 14
2003-Oct-01
BTS 736 L2
最大额定值
at
T
j
= 25 ° C除非另有说明
参数
电源电压（过电压保护页4 ）
电源电压为充分短路保护
T
，开始
= -40 ...+150°C
负载电流（短路电流，见第5页）
负载突降保护
1
)
V
LoadDump
=
V
A
+
V
s
,
V
A
= 13.5 V
R
I
2
)
= 2
,
t
d
= 200毫秒; IN =低或高，
装入每个信道
R
L
= 9.0
,
工作温度范围
存储温度范围
功耗（ DC ）
4)
T
a
= 25°C:
（有源所有通道）
T
a
= 85°C:
最大可切换电感，单脉冲
V
bb
= 12V,
T
，开始
= 150°C
4)
,
I
L
= 4.0 A,
E
AS
= 296毫焦耳， 0
一个通道：
I
L
= 6.0 A,
E
AS
= 631毫焦耳， 0
两个平行的渠道：
请参阅第9页上的图
符号
V
bb
V
bb
I
L
V
负载dump3
)
T
j
T
英镑
P
合计
值
43
24
自限
60
-40 ...+150
-55 ...+150
3.8
2.0
单位
V
V
A
V
°C
W
Z
L
19.0
17.5
1.0
4.0
8.0
-10 ... +16
±2.0
±5.0
mH
静电放电能力（ ESD ）
IN：
（人体模型）
ST ：
给所有其他引脚短路：
ACC 。 MIL- STD883D ，方法3015.7和ESD ASSN 。性病。 S5.1-1993
R = 1.5kΩ上; C = 100pF的
V
ESD
kV
输入电压（直流）
电流通过输入端子（DC）的
电流通过状态引脚（ DC）
看到内部电路框图第8页
V
IN
I
IN
I
ST
V
mA
热特性
参数和条件
符号
值
民
典型值
最大
--
--
--
--
40
33
12
--
--
单位
热阻
结 - 焊接点
4),5)
每个通道：
R
thjs
结 - 环境
4)
一个通道的激活：
R
thJA
所有活动的渠道：
K / W
1
)
2)
3)
4
)
5
)
电源电压高于V高
BB （ AZ ）
需要一个外部电流限制为GND和状态引脚（一个150Ω
推荐电阻与GND连接。
R
I
=甩负荷试验脉冲发生器的内部电阻
V
负载突降
是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜面积Vbb的
连接。 PCB是垂直的不吹气。参见第14页
焊接点：器件引脚15参见第14页的焊料边缘上侧
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BTS 736 L2
电气特性
参数和条件，
每两个信道的
在T
j
= -40...+150°C,
V
bb
= 12伏，除非另有说明
符号
值
民
典型值
最大
单位
负载切换功能和特点
通态电阻（VBB为OUT ） ;
IL = 2 A，V
bb
≥
7V
每个信道
T
j
= 25°C:
R
ON
T
j
= 150°C:
两个平行的渠道，
T
j
= 25°C:
见下图，第10页
--
36
67
18
40
75
20
--
m
额定负载电流
一个通道的激活：
I
L（ NOM ）
活跃的两个平行的渠道：
4.4
6.7
--
50
50
0.15
0.15
0.15
0.15
4.8
7.3
--
100
120
--
--
--
--
A
器件在PCB上
6
),
T
a
=
85°C,
T
j
≤
150°C
输出电流
而GND断开或拉升
7
)
;
I
L（ GNDhigh ）
VBB = 30 V ，
V
IN = 0 ，见图8页
开启时间
8
)
IN
2
200
250
1
0.8
1
0.8
mA
s
打开-O FF时间
IN
R
L
= 12
上压摆率
8)
T
j
= -40 °C时的dV / dt
on
10至30％
V
OUT
,
R
L
= 12
T
j
= 25°C...150°C:
压摆率关闭
8)
T
j
= -40°C ： -dV / DT
关闭
70 ％至40％
V
OUT
,
R
L
= 12
T
j
= 25°C...150°C:
操作参数
工作电压
到90％
V
OUT
:
t
on
至10％
V
OUT
:
t
关闭
V / μs的
V / μs的
Tj=-40
T
j
=25...150°C:
过压保护
9
)
T
j
=-40°C:
I
bb
= 40毫安
T
j
=25...150°C:
待机电流
10
)
T
j
=-40°C...25°C
:
V
IN
= 0;
见图10页
T
j
=150°C:
漏输出电流（包括在
I
的bb （关闭）
)
V
IN
= 0
工作电流
11)
,
V
IN
= 5V,
I
GND
=
I
GND1
+
I
GND2
,
对一个信道：
两个通道上：
6
)
V
bb的（上）
V
BB （ AZ ）
I
的bb （关闭）
I
L（关闭）
4.75
41
43
--
--
--
--
--
--
47
10
--
1
41
43
--
52
16
50
10
V
V
A
A
I
GND
--
--
0.8
1.6
1.4
2.8
mA
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜面积Vbb的
连接。 PCB是垂直的不吹气。参见第14页
7
）不受生产测试，设计规定
8
）请参阅第11页的时序图。
9)
电源电压高于V高
BB （ AZ ）
需要一个外部电流限制为GND和状态引脚（一个150Ω
推荐电阻与GND连接）。另请参阅
V
开（ CL）的
在表中的保护功能和
电路图第8页。
10
）测量负载;对于整个装置;关闭所有通道
11
）加入
I
如果
I
ST
ST
> 0
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BTS 736 L2
参数和条件，
每两个信道的
在T
j
= -40...+150°C,
V
bb
= 12伏，除非另有说明
符号
值
民
典型值
最大
单位
保护功能
12)
电流限制，
（见时序图，第12页）
T
j
=-40°C:
I
L（ LIM ）
T
j
=25°C:
T
j
=+150°C:
重复短路电流限制，
T
j
=
T
jt
每个通道
I
L（血肌酐）
两个平行的渠道
（见时序图，第12页）
40
33
23
--
--
--
49
41
29
30
30
1.7
60
48
35
--
--
--
A
A
初步短路停机时间
T
，开始
=25°C:
t
关（ SC）的
ms
V
（请参阅第12页上的时序图）
输出钳位（感性负载开关关闭）
13)
在VON （CL） = Vbb电 - VOUT的
I
L = 40毫安
T
j
=-40°C:
V
开（ CL）的
T
j
=25°C...150°C:
热过载跳闸温度
T
jt
热滞
T
jt
电池反接
反向电池电压
14
)
漏源电压二极管
(V
OUT
＆ GT ; V
bb
)
I
L
= - 4.0 A,
T
j
= +150°C
41
43
150
--
--
47
--
10
--
52
--
--
°C
K
-V
bb
-V
ON
--
--
--
600
32
--
V
mV
12
)
集成的保护功能被设计为防止在所描述的故障条件下的IC破坏
数据表。故障条件被认为是"outside"正常工作范围。保护功能不
设计用于连续重复操作。
13
）如果信道是并联的，输出钳位通常是由具有最低的信道来完成
V
开（ CL）的
14
）需要150
电阻接地连接。逆向负载电流通过固有漏 - 源
二极管具有由所连接的负载进行限制。功耗是高于正常操作
由于跨越漏极 - 源极二极管的电压降的条件。温度保护是不活跃
在反向电流操作！输入和状态电流必须被限制（见最大额定值页3
电路第8页） 。
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2003-Oct-01
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