PROFET BTS 640 S2
智能感高边
开关
特点
短路保护
电流限制
比例加载电流检测
CMOS兼容输入
开漏输出诊断
感性负载的快速退磁
与欠压和过压关断
自动重启动和滞后
过载保护
热关断
过电压保护，包括负载突降（带
外部接地电阻）
反向电池保护（外部GND-
电阻器）
地面和损失的损失
V
bb
保护
静电放电
（ ESD）保护
产品概述
工作电压
导通状态电阻
负载电流（ ISO ）
电流限制
包
TO220-7-11
V
bb的（上）
R
ON
I
L（ ISO）的
I
L（血肌酐）
5.0 ... 34
V
30 m
12.6
A
24
A
TO220-7-12
TO263-7-2
1
标准（交错）
1
SMD
1
直
应用
具有诊断反馈兼容C电源开关为12 V和24 V DC接地负载
各类阻性，感性和capacitve加载中
替代机电继电器，熔断器和分立电路
概述
N沟道垂直功率FET与电荷泵，接地参考CMOS兼容输入和诊断
反馈，负载电流，单片集成在智能SIPMOS技术的比例感。十分
嵌入式保护功能的保护。
框图
4
+ V BB
电压
来源
V
逻辑
电压
传感器
OvervoltageCurrent
保护
门
限位保护
OUT
6, 7
I
L
电荷泵
电平转换器
整流器器
对于限制
松开
IND 。负载
产量
电压
发现
3
1
IN
当前
SENSE
负载
ST
ESD
逻辑
R
温度
传感器
O
GND
5
IS
I
IS
R
IS
信号地
GND
PROFET
负载GND
2
半导体集团
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2002-Sep-30
BTS 640 S2
针
1
2
3
4
5
6&7
符号
ST
GND
IN
VBB
IS
OUT
（负载， L）
功能
诊断反馈：开漏，反显输入电平
逻辑地
输入时，激活的情况下的逻辑高信号的功率开关
正电源电压时，标签被短路到该引脚
读出电流输出，正比于负载电流，在零
的负载电流的电流限制的情况下
输出，被保护的高侧功率输出到负载。
两个输出管脚，以在并行操作连接
根据这一规范（例如
ILIS
).
设计为最大的接线。短路电流
最大额定值
at
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
参数
电源电压
（过电压保护页4 ）
电源电压为充分短路保护
T
开始= -40 ... + 150°C
符号
V
bb
V
bb
V
负载dump3
)
I
L
T
j
T
英镑
P
合计
值
43
34
60
自限
-40 ...+150
-55 ...+150
85
0,41
3,5
1.0
4.0
8.0
-10 ... +16
±2.0
±5.0
±14
单位
V
V
V
A
°C
W
J
kV
负载突降保护
1
） VLoadDump = VA + VS ， VA = 13.5V
R
I2)= 2
,
R
L= 1
,
t
D = 200毫秒， IN =低或高
负载电流
（短路电流，见第5页）
工作温度范围
存储温度范围
功耗
（ DC ） ， TC
≤
25 °C
感性负载关断能耗，单脉冲
Vbb电= 12V，
T
，开始= 150℃ ，
T
C = 150 ℃的常量。
I
L
= 12.6 A，Z
L
= 4.2 mH为0
:
E
AS
I
L
= 4 A，Z
L
= 330 mH为0
:
E
AS
静电放电能力（ ESD ）
IN：
V
ESD
（人体模型）
ST为：
给所有其他引脚短路：
ACC 。 MIL- STD883D ，方法3015.7和ESD ASSN 。性病。 S5.1-1993
R=1.5k
; C = 100pF的
输入电压
（DC）的
电流通过输入引脚
（DC）的
电流通过状态引脚
（DC）的
电流经过电流检测引脚
（DC）的
看到内部电路图第9页
V
IN
I
IN
I
ST
I
IS
V
mA
1
)
2)
3)
电源电压高于V高
BB （ AZ ）
需要一个外部电流限制为GND和状态引脚（ 150
电阻器在连接GND推荐） 。
R
I
=甩负荷试验脉冲发生器的内部电阻
V
负载突降
是设置而不根据ISO 7637-1和DIN 40839连接到发电机DUT的
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BTS 640 S2
热特性
参数和条件
热阻
符号
民
--
--
--
芯片 - 案例
:
R
thJC
结 - 环境（自由空气） ：
R
thJA
SMD版本， PCB上的元件
4)
:
值
典型值
最大
-- 1.47
--
75
33
--
单位
K / W
电气特性
参数和条件
at
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏，除非另有说明
符号
值
民
典型值
最大
单位
负载切换功能和特点
导通状态电阻
（引脚4到6&7 ）
I
L = 5 A
T
j
=25 °C:
R
ON
T
j
=150 °C:
V
开（ NL）
I
L（ ISO）的
I
L（ NOM ）
I
L（ GNDhigh ）
t
on
t
关闭
的dV / dt
on
-dV / DT
关闭
--
27
54
50
30
60
--
m
在小负载时输出电压降低限制
电流
（引脚4至6&7 ） ，请参阅第15页
I
L = 0.5 A
V
ON = 0.5 V ，
T
C = 85 °C
T
J = -40 ... + 150℃ ：
--
mV
额定负载电流， ISO标准
（引脚4到6&7 ）
11.4
4.0
--
25
25
0.1
0.1
12.6
4.5
--
70
80
--
--
--
--
8
150
200
1
1
A
A
mA
s
V / μs的
V / μs的
额定负载电流，在PCB设备
4)
T
A = 85°C ，
T
j
≤
150 °C
V
ON
≤
0.5 V,
输出电流（引脚6&7 ），而接地断开
或GND拉升，
V
BB = 30 V ，
V
IN = 0时，看到图页
10 ;没有测试，设计规定
开启时间
打开-O FF时间
R
L = 12
,
T
J = -40 ... + 150°C
IN
IN
到90％
V
OUT ：
至10％
V
OUT ：
上压摆率
10至30％
V
OUT ，
R
L = 12
,
T
J = -40 ... + 150°C
压摆率关闭
70 ％至40％
V
OUT ，
R
L = 12
,
T
J = -40 ... + 150°C
4
)
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70
米厚）铜面积为Vbb的
连接。 PCB是垂直的不吹气。
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BTS 640 S2
参数和条件
at
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏，除非另有说明
符号
值
民
典型值
最大
单位
保护功能
初步峰值短路电流限制
（引脚4到6&7 ）
I
L（ SCP ）
T
j
=-40°C:
T
j
=25°C:
T
j
=+150°C:
重复短路停机电流限制
I
L（血肌酐）
T
j =
T
JT （见时序图，第13页）
48
40
31
--
56
50
37
24
--
47
--
10
--
600
65
58
45
--
--
52
--
--
32
--
A
A
V
°C
K
V
mV
输出钳位
（感性负载开关关闭）
at
V
OUT -
V
bb -
V
开（ CL） ;
I
L = 40毫安，
T
j
=-40°C:
T
j
=+25..+150°C:
热过载跳闸温度
热滞
电池反接
（引脚4比2 ）
8
)
反向电池电压下降
（VOUT > VBB）
I
L = -5 A
T
J = 150 ° C：
诊断特性
电流检测比率
9)
静态的条件，
V
IS = 0 ... 5 V ，
V
BB （ ON） = 6.510 ） ... 27V ，
k
ILIS =
I
L /
I
IS
T
j
V
开（ CL）的
T
jt
T
jt
-V
bb
-V
ON （转）
41
43
150
--
--
--
= -40°C,
I
L
= 5 A:
k
ILIS
T
j
= -40°C,
I
L
= 0.5 A:
4550
3300
4550
4000
5000
5000
5000
5000
6.1
--
6000
8000
5550
6500
6.9
1
V
A
T
j
= 25...+150°C,
I
L
= 5 A:
,
T
j
= 25...+150°C,
I
L
= 0.5 A:
电流检测输出电压限制
T
J = -40 ... + 150°C
I
IS = 0 ，
I
L = 5 A ：
V
IS （ LIM ）
5.4
0
电流检测漏/失调电流
T
J = -40 ... + 150°C
V
IN=0,
V
IS = 0 ，
I
L = 0:
I
IS （ LL）上
8
)
要求150
电阻接地连接。逆向负载电流通过固有漏 - 源
二极管具有由所连接的负载进行限制。注意，该功耗是高于正常
操作条件下，由于在整个本征漏极 - 源极二极管的电压降。温度
保护不动作电流反向操作过程中！输入和状态电流必须被限制（见
最大。收视率第2页和电路第10页） 。
9)
该范围为电流检测比是指所有设备。的精度
k
至少可以通过提高
ILIS
两个匹配的值的一个因素
k
ILIS
对于每一个设备。
在电流限制的感测电流的情况下
I
IS
是零，并且诊断反馈电位
V
ST
is
高。见图2b ，第12页。
10)
如果有效
V
BB （U RST ）
之前被超出。
半导体集团
第5页
2002-Sep-30
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