增编的PCN 2004-018 -A
BTS 5440
G
增编的PCN -数据2004-018 -A ： BTS 5440
G
本附加条款和PCN -数据是指PCN 2004-018 -A ：
“小表为适应BTS 5240 L， BTS 5240 G， BTS 5440 G” 。
在PCN -数据表附有效期的起始2004年8月。
有数据表中进行以下更改（第7页） ：
老：
电流限制调节阈值电压
新：
电流限制调节阈值电压
符号
V
CLA （ T-）
民
2.0
-
典型值
-
-
最大
-
4.0
单位
V
符号
V
CLA （ T-）
民
2.6
-
典型值
-
-
最大
-
3.6
单位
V
PCN 2004-018 -A ：
BTS 5440G
智能高侧电源开关
四通道： 4× 25MΩ
智能感知
产品概述
工作电压
V
bb的（上）
活动通道
导通状态电阻
额定负载电流
电流限制
低
高
R
ON
I
L（ NOM ）
I
L（血肌酐）
一
25
6.2
10
40
4,5...28
（ Loaddump ： 40 V ）
四个平行
6.5
13.9
m
A
A
V
包
P-DSO-28-19
概述
N沟道垂直功率MOSFET，电荷泵，接地参考CMOS兼容输入和
诊断反馈，单片集成在智能SIPMOS技术。
提供嵌入式保护功能。
EXTERN可调电流限制。
应用
各类阻性，感性和容性负载
μC与诊断反馈兼容的高侧电源开关12 V负载接地
由于可调节的电流限制最适合于负载，高浪涌电流，使灯具
替代机电继电器，熔断器和分立电路
基本功能
极低的待机电流
CMOS兼容输入
改进的电磁兼容性（EMC）。
在低电池电压稳定的行为
框图
VBB
IN1
IS1
IS2
IN2
CLA 1/2
IN3
IS3
IS4
IN4
CLA 3/4
逻辑
通道1
通道2
保护功能
用外部电阻反向电池保护
短路保护
过载保护
电流限制
热关断
过电压保护，外接电阻
GND和损失的损失
V
bb保护
静电放电保护（ ESD ）
负载1
负载2
逻辑
通道3
第4频道
负载3
GND
负载4
诊断功能：智能感知
比例负载电流检测（与定义的故障信号，热关断和过载时）
额外的负载开路检测关 - 状态
故障信号的抑制热来回切换
第1页
2004-Mar-08
PCN 2004-018 -A ：
BTS 5440G
引脚定义和功能
针
1,14,
15,28
3
6
9
12
25,26,27
22,23,24
19,20,21
16,17,18
4
5
10
11
7
13
2
8
IN1
IN2
IN3
IN4
OUT1
OUT2
OUT3
OUT4
IS1
IS2
IS3
IS4
CLA 1/2
CLA 3/4
GND 1/2
GND 3/4
诊断反馈1 ... 4
信道1 4中
在国家：先进的电流检测用的情况下定义的信号
过载或短路的
关机状态：高失败
电流限制调节;
电流限制为通道1/2和3/4罐
被选择为高电平（电势< 2,6V ）或低（电势> 3,6V ） 。
地
芯片1的（信道1,2）
地
芯片2的（信道3,4）
输出1,2,3,4
受保护的高侧功率输出通道1,2,3,4 。
设计为最大的接线。短路电流
符号
V
bb
功能
正电源电压。
设计的布线
同时最大。短路电流从信道1到4
并且还实现低热阻
输入1,2,3,4
激活的情况下，逻辑高信号的信道1,2,3,4
引脚配置
（ TOP VIEW ）
V
bb
GND ½
IN 1
1
2
IN 2
C LA ½
GND -
IN 3
3
4
在4
LA
V
bb
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28 V
b b
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
ü T1
ü T1
ü T1
OUT2
OUT2
OUT2
OUT3
OUT3
OUT3
OUT4
单位的T4
单位的T4
V
bb
第3页
2004-Mar-08
PCN 2004-018 -A ：
BTS 5440G
最大额定值
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
电源电压（过电压保护第6页）
电源电压为充分短路保护;吨
j
= -40...150°C
跨DMOS最大电压
负载突降保护
3)
V
LoadDump4)
=
V
A
+
V
S
;
V
A
= 13,5 V
在=高或低;
t
d
= 400毫秒;
R
I4)
= 2
R
L
= 2.25
R
L
= 6.8
负载电流（短路 - 短路电流，见第7页）
工作温度范围
存储温度范围
动力温升开关
功耗
6)
（ DC）时，所有通道活性
最大可切换电感，单脉冲
V
bb
=12V,
T
的jStart
=150°C;
（请参阅第12页上的图）
符号
V
bb
V
BB （ SC ）
V
ON
V
LoadDump
价值
28
1)
28
2)
52
单位
V
40
53
I
L
T
j
T
英镑
dT
T
A
= 85 °C
P
合计
Z
L（ S）
一个通道：
两个平行的渠道：
IN：
V
ESD
是：
OUT ：
V
IN
V
CLA
I
CLA
I
IN
（见第11页）
I
L(lim)5)
-55...+150
60
1,6
A
-40...+150 °C
K
W
mH
9.8
5.2
1,0
2,0
4,0
-10...16
-10...16
±5.0
±5.0
-5...+10
mA
V
kV
I
L
= 6 A,
E
AS
= 0.319 J,
R
L
= 0
,
I
L
= 12 A,
E
AS
= 0.679 J,
R
L
= 0
,
静电放电
电压
（人体模型）
根据ANSI EOS / ESD - S5.1 - 1993年， ESD STM5.1 - 1998年
连续输入电压
电压电流限制调节引脚
电流经过电流限制调节引脚
电流通过输入端子（DC）的
电流通过检测引脚（ DC）
I
IS
118 ... 28 V 100小时
2仅单个脉冲
R
= 200 m ;
L
= 8 μH ; R和L的描述完整的电路阻抗包括
L
线，接触和发电机阻抗。
3Supply电压高于
V
BB （ AZ）需要一个外部电流限制为GND （ 150Ω电阻）和检测引脚。
4
R
=甩负荷试验脉冲发生器的内阻。
I
5
电流限制保护功能。操作中的电流限制被认为是"outside"正常操作
范围内。保护功能不被设计为连续的重复操作。
6Device上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）铜面积为V
bb
连接。 PCB是垂直的不吹气。
第4页
2004-Mar-08
增编的PCN 2004-018 -A
BTS 5440
G
增编的PCN -数据2004-018 -A ： BTS 5440
G
本附加条款和PCN -数据是指PCN 2004-018 -A ：
“小表为适应BTS 5240 L， BTS 5240 G， BTS 5440 G” 。
在PCN -数据表附有效期的起始2004年8月。
有数据表中进行以下更改（第7页） ：
老：
电流限制调节阈值电压
新：
电流限制调节阈值电压
符号
V
CLA （ T-）
民
2.0
-
典型值
-
-
最大
-
4.0
单位
V
符号
V
CLA （ T-）
民
2.6
-
典型值
-
-
最大
-
3.6
单位
V
PCN 2004-018 -A ：
BTS 5440G
智能高侧电源开关
四通道： 4× 25MΩ
智能感知
产品概述
工作电压
V
bb的（上）
活动通道
导通状态电阻
额定负载电流
电流限制
低
高
R
ON
I
L（ NOM ）
I
L（血肌酐）
一
25
6.2
10
40
4,5...28
（ Loaddump ： 40 V ）
四个平行
6.5
13.9
m
A
A
V
包
P-DSO-28-19
概述
N沟道垂直功率MOSFET，电荷泵，接地参考CMOS兼容输入和
诊断反馈，单片集成在智能SIPMOS技术。
提供嵌入式保护功能。
EXTERN可调电流限制。
应用
各类阻性，感性和容性负载
μC与诊断反馈兼容的高侧电源开关12 V负载接地
由于可调节的电流限制最适合于负载，高浪涌电流，使灯具
替代机电继电器，熔断器和分立电路
基本功能
极低的待机电流
CMOS兼容输入
改进的电磁兼容性（EMC）。
在低电池电压稳定的行为
框图
VBB
IN1
IS1
IS2
IN2
CLA 1/2
IN3
IS3
IS4
IN4
CLA 3/4
逻辑
通道1
通道2
保护功能
用外部电阻反向电池保护
短路保护
过载保护
电流限制
热关断
过电压保护，外接电阻
GND和损失的损失
V
bb保护
静电放电保护（ ESD ）
负载1
负载2
逻辑
通道3
第4频道
负载3
GND
负载4
诊断功能：智能感知
比例负载电流检测（与定义的故障信号，热关断和过载时）
额外的负载开路检测关 - 状态
故障信号的抑制热来回切换
第1页
2004-Mar-08
PCN 2004-018 -A ：
BTS 5440G
引脚定义和功能
针
1,14,
15,28
3
6
9
12
25,26,27
22,23,24
19,20,21
16,17,18
4
5
10
11
7
13
2
8
IN1
IN2
IN3
IN4
OUT1
OUT2
OUT3
OUT4
IS1
IS2
IS3
IS4
CLA 1/2
CLA 3/4
GND 1/2
GND 3/4
诊断反馈1 ... 4
信道1 4中
在国家：先进的电流检测用的情况下定义的信号
过载或短路的
关机状态：高失败
电流限制调节;
电流限制为通道1/2和3/4罐
被选择为高电平（电势< 2,6V ）或低（电势> 3,6V ） 。
地
芯片1的（信道1,2）
地
芯片2的（信道3,4）
输出1,2,3,4
受保护的高侧功率输出通道1,2,3,4 。
设计为最大的接线。短路电流
符号
V
bb
功能
正电源电压。
设计的布线
同时最大。短路电流从信道1到4
并且还实现低热阻
输入1,2,3,4
激活的情况下，逻辑高信号的信道1,2,3,4
引脚配置
（ TOP VIEW ）
V
bb
GND ½
IN 1
1
2
IN 2
C LA ½
GND -
IN 3
3
4
在4
LA
V
bb
1
2
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5
6
7
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28 V
b b
27
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20
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18
17
16
15
ü T1
ü T1
ü T1
OUT2
OUT2
OUT2
OUT3
OUT3
OUT3
OUT4
单位的T4
单位的T4
V
bb
第3页
2004-Mar-08
PCN 2004-018 -A ：
BTS 5440G
最大额定值
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
电源电压（过电压保护第6页）
电源电压为充分短路保护;吨
j
= -40...150°C
跨DMOS最大电压
负载突降保护
3)
V
LoadDump4)
=
V
A
+
V
S
;
V
A
= 13,5 V
在=高或低;
t
d
= 400毫秒;
R
I4)
= 2
R
L
= 2.25
R
L
= 6.8
负载电流（短路 - 短路电流，见第7页）
工作温度范围
存储温度范围
动力温升开关
功耗
6)
（ DC）时，所有通道活性
最大可切换电感，单脉冲
V
bb
=12V,
T
的jStart
=150°C;
（请参阅第12页上的图）
符号
V
bb
V
BB （ SC ）
V
ON
V
LoadDump
价值
28
1)
28
2)
52
单位
V
40
53
I
L
T
j
T
英镑
dT
T
A
= 85 °C
P
合计
Z
L（ S）
一个通道：
两个平行的渠道：
IN：
V
ESD
是：
OUT ：
V
IN
V
CLA
I
CLA
I
IN
（见第11页）
I
L(lim)5)
-55...+150
60
1,6
A
-40...+150 °C
K
W
mH
9.8
5.2
1,0
2,0
4,0
-10...16
-10...16
±5.0
±5.0
-5...+10
mA
V
kV
I
L
= 6 A,
E
AS
= 0.319 J,
R
L
= 0
,
I
L
= 12 A,
E
AS
= 0.679 J,
R
L
= 0
,
静电放电
电压
（人体模型）
根据ANSI EOS / ESD - S5.1 - 1993年， ESD STM5.1 - 1998年
连续输入电压
电压电流限制调节引脚
电流经过电流限制调节引脚
电流通过输入端子（DC）的
电流通过检测引脚（ DC）
I
IS
118 ... 28 V 100小时
2仅单个脉冲
R
= 200 m ;
L
= 8 μH ; R和L的描述完整的电路阻抗包括
L
线，接触和发电机阻抗。
3Supply电压高于
V
BB （ AZ）需要一个外部电流限制为GND （ 150Ω电阻）和检测引脚。
4
R
=甩负荷试验脉冲发生器的内阻。
I
5
电流限制保护功能。操作中的电流限制被认为是"outside"正常操作
范围内。保护功能不被设计为连续的重复操作。
6Device上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）铜面积为V
bb
连接。 PCB是垂直的不吹气。
第4页
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