PROFET BTS 542 D2
海赛德智能电源开关
特点
·
过载保护
·
电流限制
·
短路保护
·
热关断
·
过电压保护（包括负载突降）
·
感性负载的快速退磁
·
反向电池保护
1)
·
与欠压和过压关断
自动重启动和滞后
·
CMOS诊断输出
·
开路负载检测在ON状态
·
CMOS兼容输入
·
地面和损失的损失
V
bb
保护
2)
·
静电放电
（ ESD）保护
产品概述
过压保护
工作电压
导通状态电阻
负载电流（ ISO ）
电流限制
V
BB （ AZ ）
V
bb的（上）
R
ON
I
L（ ISO）的
I
L（血肌酐）
63
V
4.5 ... 42 V
18 m
W
21
A
70
A
TO-218AB/5
5
标准
应用
· m
诊断与C兼容型开关电源
反馈12 V和24 V DC接地负载
·
各类阻性，感性和capacitve加载中
·
替代机电继电器和分立电路
概述
N沟道垂直功率FET与电荷泵，接地参考CMOS兼容输入和诊断
反馈，集成在智能SIPMOS
芯片上的芯片技术。通过嵌入式的保护完全保护
功能。
R
bb
+ V
bb
3
电压
来源
过压
保护
当前
极限
门
保护
8
逻辑
电压
传感器
电荷泵
电平转换器
整流器器
对于限制
松开
IND 。负载
负载开路
OUT
2
IN
温度
传感器
5
ESD
逻辑
发现
负载
4
ST
短路
发现
GND
PROFET
负载GND
1
信号地
1)
2)
无需外部元件，逆向负载电流受限于连接的负载。
需要充电电感性负载额外的外部二极管
半导体集团
分页： 13 1
13.Nov.95
BTS 542 D2
针
1
2
3
4
5
符号
GND
IN
VBB
ST
OUT
（负载， L）
-
I
+
S
O
功能
逻辑地
输入时，激活的情况下的逻辑高信号的功率开关
正电源电压，
标签短路到该引脚
诊断反馈，低故障
输出到负载
最大额定值
at
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
参数
电源电压（过电压保护页3 ）
负载突降保护
V
LoadDump
=
U
A
+
V
s
,
U
A
= 13.5 V
R
I
= 2
W
,
R
L
= 1.1
W
,
t
d
= 200毫秒， IN =低或高
负载电流（短路电流，见第4页）
工作温度范围
存储温度范围
功耗（ DC ）
感性负载关断能量耗散，
单脉冲
T
j
=150 °C:
静电放电能力（ ESD ）
（人体模型）
输入电压（直流）
电流通过输入端子（DC）的
电流通过状态引脚（ DC）
看到内部电路图第6页...
符号
V
bb
V
负载dump3
)
值
63
80
自限
-40 ...+150
-55 ...+150
167
2.1
2.0
-0.5 ... +6
±
5.0
±
5.0
单位
V
V
A
°C
W
J
kV
V
mA
I
L
T
j
T
英镑
P
合计
E
AS
V
ESD
V
IN
I
IN
I
ST
热阻
芯片 - 案例：
结 - 环境（自由空气） ：
R
thJC
R
thJA
0.75 K / W
45
3)
V
负载突降
是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
半导体集团
第2页
13.Nov.95
BTS 542 D2
电气特性
参数和条件
at
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏，除非另有说明
符号
值
民
典型值
最大
单位
负载切换功能和特点
T
j
=25 °C:
R
ON
T
j
=150 °C:
额定负载电流（引脚35）
I
L（ ISO）的
ISO建议：
V
ON
= 0.5 V,
T
C
= 85 °C
输出电流（引脚
5
），而GND断开或
I
L（ GNDhigh ）
GND拉升，
V
IN
= 0 ，见图7页，
T
j
=-40...+150°C
开启时间
到90％
V
OUT
:
t
on
打开-O FF时间
至10％
V
OUT
:
t
关闭
R
L
= 12
W
,
T
j
=-40...+150°C
上压摆率
的dV / dt
on
10至30％
V
OUT
,
R
L
= 12
W
,
T
j
=-40...+150°C
压摆率关闭
-dV / DT
关闭
70 ％至40％
V
OUT
,
R
L
= 12
W
,
T
j
=-40...+150°C
操作参数
工作电压
4
)
T
j
=-40...+150°C:
欠压关断
T
j
=-40...+150°C:
欠压重启
T
j
=-40...+150°C:
电荷泵欠压重启
见图12页
T
j
=-40...+150°C:
欠压滞后
D
V
BB （下）
=
V
BB （U RST ）
-
V
BB （下）
过压关断
T
j
=-40...+150°C:
过电压启动
T
j
=-40...+150°C:
过电压滞后
T
j
=-40...+150°C:
过压保护
5
)
T
j
=-40°C:
I
bb
= 40毫安
T
j
=25...+150°C:
待机电流（引脚3 ）
T
j
=-40...+25°C
:
V
IN
=0, I
ST
=0
,
T
j
=150°C:
漏输出电流（包括在
I
的bb （关闭）
)
V
IN
=0
工作电流（引脚1 ）
6)
,
V
IN
=5 V
通态电阻（引脚35）
I
L
= 5 A
--
17
--
15
28
21
--
18
35
--
1
m
W
A
mA
100
10
0.2
0.4
--
--
--
--
350
130
2
5
m
s
V/
m
s
V/
m
s
V
bb的（上）
V
BB （下）
V
BB （U RST ）
V
BB （ UCP ）
4.5
2.4
--
--
--
42
42
--
60
63
--
--
--
--
--
--
--
6.5
0.2
--
--
0.2
--
67
12
18
6
1.1
42
4.5
4.5
7.5
--
52
--
--
--
25
60
--
--
V
V
V
V
V
V
V
V
V
D
V
BB （下）
V
bb的（过）
V
BB （O RST ）
D
V
bb的（过）
V
BB （ AZ ）
I
的bb （关闭）
I
L（关闭）
I
GND
m
A
m
A
mA
4
)
5)
6
)
在电源电压增加至
V
bb
= 6.5 V （典型值）没有电荷泵，
V
OUT
V
bb
- 2 V
参见
V
开（ CL）的
在表的保护功能和电路图第7页空载Meassured
.
添加
I
ST
如果
I
ST
＆ GT ; 0 ，加
I
IN
如果
V
IN
＆ GT ; 5.5 V
半导体集团
第3页
13.Nov.95
BTS 542 D2
参数和条件
at
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏，除非另有说明
符号
值
民
典型值
最大
单位
保护功能
初始峰值短路电流限制（引脚35）
7
)
,
I
L（ SCP ）
（最大400
m
■如果
V
ON
＆ GT ;
V
开（ SC）的
)
T
j
=-40°C:
T
j
=25°C:
T
j
=+150°C:
重复短路电流限制
I
L（血肌酐）
T
j
=
T
jt
（见时序图，第10页）
输入POS机后短路停机延时。坡
V
ON
＆ GT ;
V
开（ SC）的
,
T
j
=-40..+150°C:
t
D（ SC ）
最小值唯一有效的，如果输入"low"时间超过30
m
s
--
--
45
30
80
--
--
150
--
--
--
95
--
70
--
58
8.3
--
10
--
140
--
--
--
400
--
--
--
--
2.1
1.7
1.2
32
--
A
A
m
s
V
V
°C
K
J
输出钳位（感性负载开关关闭）
at
V
OUT
=
V
bb
-
V
开（ CL）
I
L
= 30毫安
短路停机检测电压
（引脚35）
热过载跳闸温度
热滞
感性负载关断能耗
8)
,
T
开始
= 150℃，单脉冲
V
bb
= 12 V:
V
bb
= 24 V:
电池反接（引脚3 1 ）
9
)
集成电阻
V
bb
LINE
诊断特性
负载开路检测电流
（视情）
V
开（ CL）的
V
开（ SC）的
T
jt
,
T
jt
E
AS
E
Load12
E
Load24
-V
bb
R
bb
--
--
--
120
W
V
T
j
=-40 °C
:
I
L（ OL ）
T
j
=25..150°C:
2
2
--
--
1900
1500
mA
7
)
8)
短路电流限制为最大。吨的持续时间
D（ SC ）最大
=400
m
S，在关闭之前
虽然消磁负载电感，消耗的能量是PROFET
E
AS
=
ò
V
开（ CL）的
*
i
L
（ t）的DT ，约
V
开（ CL）的
2
E
AS
=
1
/
2
*
L
*
I
L
* (
） ，见图8页
V
开（ CL）的
-
V
bb
逆向负载电流（通过固有漏 - 源极二极管）一般是由所连接的负载的限制。
反向电流I
GND
of
0.3 A在V
bb
= -32 V通过逻辑加热设备。在允许的时间
这些条件是依赖于散热器的大小。相反的我
GND
可以通过一个额外的减少
外部接地电阻（ 150
W
） 。输入和状态电流必须被限制（见最大额定值第2页
电路第7页） 。
9
)
半导体集团
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13.Nov.95
QQ：2880707522 复制
