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PROFET BTS 432 D2
海赛德智能电源开关
特点
负载突降和反向电池保护
1)
于输出的负电压的钳
短路保护
电流限制
热关断
诊断反馈
开路负载检测在ON状态
CMOS兼容输入
静电放电
( ESD)保护
地面损失和V损失
bb
保护
2)
过压保护
欠压和过压自动关机
启动和滞后
产品概述
V
负载突降
80
V
bb
-V
OUT
雪崩钳
58
V
bb的(操作)
4.5 ... 42
V
BB (反向)
-32
R
ON
38
I
L( SCP )
44
I
L(血肌酐)
35
I
L( ISO)的
11
V
V
V
V
m
A
A
A
应用
5
5
5
C
具有诊断反馈兼容的电源开关
12 V和24 V DC接地负载
各类阻性,感性和capacitve加载中
替代机电继电器和分立
电路
1
直脚
1
SMD
标准
概述
N沟道垂直功率FET与电荷泵,接地参考CMOS兼容输入和诊断
反馈,集成在智能SIPMOS
芯片上的芯片技术。通过嵌入式的保护完全保护
功能。
BB
+ V BB
3
voltag
e
来源
V
逻辑
voltag
e
传感器
Overvoltag
eprotectio
n
收费
水平
Rectifie
r
CURREN
吨限
保护中
n
OUT
2
IN
对于限制
unclampe
d
IND 。
负载
开放
负载
detectio
n
电路
detectio
n
。温度
ê传感器
5
负载
ESD
逻辑
4
ST
GND
1
信号地
潘宗光
ET
负载GND
1)
2)
无需外部元件,逆向负载电流受限于连接的负载。
需要充电电感性负载额外的外部二极管
英飞凌科技股份公司
第14页1
1999-03-22
BTS 432 D2
1
2
3
4
5
符号
GND
IN
VBB
ST
OUT
(负载, L)
-
I
+
S
O
功能
逻辑地
输入时,激活的情况下的逻辑高信号的功率开关
正电源电压,
标签短路到该引脚
诊断反馈,低故障
输出到负载
最大额定值
在T
j
= 25 ° C除非另有规定编
参数
电源电压(过电压保护页3 )
负载突降保护
V
LoadDump
=
U
A
+
V
s
,
U
A
= 13.5 V
R
I
= 2
,
R
L
= 1.1
,
t
d
= 200毫秒, IN =低或高
负载电流(短路电流,见第4页)
工作温度范围
存储温度范围
功耗( DC )
感性负载关断能量耗散,
单脉冲
T
j
=150 °C:
静电放电能力( ESD )
(人体模型)
输入电压(直流)
电流通过输入端子(DC)的
电流通过状态引脚( DC)
看到内部电路图第6页...
符号
V
bb
V
s 3
)
I
L
T
j
T
英镑
P
合计
E
AS
V
ESD
V
IN
I
IN
I
ST
63
66.5
自限
-40 ...+150
-55 ...+150
125
1.7
2.0
-0.5 ... +6
±5.0
±5.0
1
75
待定
单位
V
V
A
°C
W
J
kV
V
mA
热阻
芯片 - 案例:
R
thJC
结 - 环境(自由空气) :
R
thJA
SMD版本, PCB上的元件
4)
:
K / W
3)
4
)
V
S
在没有设置DUT连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
( 1层, 70微米厚)的铜面积Vbb的
连接。 PCB是垂直的不吹气。
英飞凌科技股份公司
第2页
1999-Mar.-22
BTS 432 D2
电气特性
参数和条件
在T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏,除非另有说明
符号
典型值
最大
单位
负载切换功能和特点
通态电阻(引脚35)
I
L
= 2 A
T
j
=25 °C:
R
ON
T
j
=150 °C:
额定负载电流(引脚35)
ISO建议:
V
ON
= 0.5 V,
T
C
= 85 °C
输出电流(引脚
5
),而GND断开或
GND拉升,V
IN
= 0 ,见图7页,
T
j
=-40...+150°C
开启时间
到90%
V
OUT
:
打开-O FF时间
至10%
V
OUT
:
R
L
= 12
,
T
j
=-40...+150°C
上压摆率
10至30%
V
OUT
,
R
L
= 12
,
T
j
=-40...+150°C
压摆率关闭
70 %至40%
V
OUT
,
R
L
= 12
,
T
j
=-40...+150°C
操作参数
工作电压
5
)
T
j
=-40...+150°C:
欠压关断
T
j
=-40...+150°C:
欠压重启
T
j
=-40...+150°C:
电荷泵欠压重启
见图12页
T
j
=-40...+150°C:
欠压滞后
V
BB (下)
=
V
BB (U RST )
-
V
BB (下)
过压关断
T
j
=-40...+150°C:
过电压启动
T
j
=-40...+150°C:
过电压滞后
T
j
=-40...+150°C:
过压保护
6
)
T
j
=-40°C:
I
bb
= 40毫安
T
j
=25...+150°C:
待机电流(引脚3 )
T
j
=-40...+25°C
:
V
IN
=0, I
ST
=0
,
T
j
=150°C:
漏输出电流(包括在
I
的bb (关闭)
)
V
IN
=0
工作电流(引脚1 )
7)
,
V
IN
=5 V
5
)
6)
--
9
--
30
55
11
--
38
70
--
1
m
A
mA
s
I
L( ISO)的
I
L( GNDhigh )
t
on
t
关闭
的dV / dt
on
-dV / DT
关闭
50
10
0.4
1
160
--
--
--
300
80
2.5
5
V / μs的
V / μs的
V
bb的(上)
V
BB (下)
V
BB (U RST )
V
BB ( UCP )
V
BB (下)
V
bb的(过)
V
BB (O RST )
V
bb的(过)
V
BB ( AZ )
I
的bb (关闭)
I
L(关闭)
I
GND
4.5
2.4
--
--
--
42
42
--
60
63
--
--
--
--
--
--
--
6.5
0.2
--
--
0.2
--
67
12
18
6
1.1
42
4.5
4.5
7.5
--
52
--
--
--
25
60
--
--
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
在电源电压增加至
V
bb
= 6.5 V (典型值)没有电荷泵,
V
OUT
≈V
bb
- 2 V
参见
V
开( CL)的
在表的保护功能和电路图第7页空载Meassured
.
英飞凌科技股份公司
第3页
1999-Mar.-22
BTS 432 D2
保护功能
初始峰值短路电流限制(引脚35)
8
)
,
I
L( SCP )
(最大400
s
如果V
ON
& GT ; V
开( SC)的
)
T
j
=-40°C:
T
j
=25°C:
T
j
=+150°C:
重复短路电流限制
I
L(血肌酐)
T
j
=
T
jt
(见时序图,第10页)
输入POS机后短路停机延时。坡
V
ON
& GT ;
V
开( SC)的
,
T
j
=-40..+150°C:
t
D( SC )
最小值唯一有效的,如果输入"low"时间超过30
s
--
--
24
22
80
--
44
--
35
--
74
--
--
--
400
A
A
s
V
V
°C
K
J
输出钳位(感性负载开关关闭)
在V
OUT
= V
bb
- V
开( CL)
I
L
= 30毫安
短路停机检测电压
(引脚35)
热过载跳闸温度
热滞
感性负载关断能耗
9)
,
T
开始
= 150℃,单脉冲
V
bb
= 12 V:
V
bb
= 24 V:
电池反接(引脚3 1 )
10
)
集成电阻V
bb
LINE
诊断特性
负载开路检测电流
(视情)
V
开( CL)的
V
开( SC)的
T
jt
T
jt
E
AS
E
Load12
E
Load24
-V
bb
R
bb
--
--
150
--
--
58
8.3
--
10
--
--
--
--
--
1.7
1.3
1.0
32
--
--
--
--
120
V
T
j
=-40 °C
:
I
L( OL )
T
j
=25..150°C:
2
2
--
--
900
750
mA
7
)
8
)
9)
添加
I
ST
如果
I
ST
& GT ; 0 ,加
I
IN
如果
V
IN
& GT ; 5.5 V
短路电流限制为最大。 400持续时间
s,
在关闭之前(见T
D( SC )
第4页)
虽然消磁负载电感,消耗的能量是PROFET
E
AS
=
V
开( CL)的
*
i
L
( t)的DT ,约
V
开( CL)的
2
E
AS
=
1
/
2
*
L
*
I
L
* (
) ,见图8页
V
开( CL)的
-
V
bb
10
)反向负载电流(通过固有漏 - 源极二极管)一般是由所连接的负载的限制。反向
电流I
GND
of
0.3 A在V
bb
= -32 V通过逻辑加热设备。在这些允许的时间
条件是依赖于散热器的大小。相反的我
GND
可以通过一个附加的外部减小
接地电阻( 150
).
输入和状态电流必须被限制(见最大额定值页2和电路页
7).
英飞凌科技股份公司
第4页
1999-Mar.-22
BTS 432 D2
输入和状态反馈
11
)
输入端导通阈值电压
T
j
=-40..+150°C:
输入关断阈值电压
T
j
=-40..+150°C:
输入阈值迟滞
关机状态下的输入电流(引脚2 )
在状态输入电流(引脚2 )
V
IN( T + )
V
IN( T-)
V
IN( T)
V
IN
= 0.4 V:
I
中(关闭)
V
IN
= 3.5 V:
I
IN(上)
t
D( ST ,SC)
t
D( ST)的
1.5
1.0
--
1
10
80
350
--
--
0.5
--
25
200
--
2.4
--
--
30
50
400
1600
V
V
V
A
A
s
s
状态积极投入斜坡后失效
(短路)
T
J = -40 ... + 150℃ :
状态积极投入斜坡后失效
(开路)
T
J = -40 ... + 150℃ :
状态输出( CMOS )
T
j
=-40...+150°C,
I
ST
=
-
50
A:
T
j
=-40...+150°C,
I
ST
= 1.6毫安:
马克斯。状态电流
电流源
(下) :
有效的状态输出,
灌电流
(中) :
T
j
=-40...+150°C
V
ST(high)12
)
V
意法半导体(低)
-I
ST
+I
ST13)
4.4
--
--
--
5.1
--
--
--
6.5
0.4
0.25
1.6
V
mA
11)
如果接地电阻R
GND
用加电阻两端的电压降。
12
) V
圣高
V
bb
在欠压关断
13
)在欠压关断无电流吸收能力
英飞凌科技股份公司
第5页
1999-Mar.-22
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