PROFET BTS 425 L1
海赛德智能电源开关
特点
过载保护
电流限制
短路保护
热关断
过电压保护（包括负载突降）
反向电池保护
1)
与欠压和过压关断
自动重启动和滞后
开漏输出诊断
开路负载检测在ON状态
CMOS兼容输入
地面和损失的损失
V
bb
保护
静电放电
（ ESD）保护
产品概述
过压保护
工作电压
导通状态电阻
负载电流（ ISO ）
电流限制
V
BB （ AZ ）
V
bb的（上）
R
ON
I
L（ ISO）的
I
L（血肌酐）
43
V
5.0 ... 24 V
60 m
7.0
A
17
A
TO-220AB/5
5
1
直脚
5
5
1
应用
标准
SMD
C
诊断与兼容的电源开关
反馈12 V DC接地负载
最适合于电阻和灯负载
概述
N沟道垂直功率FET与电荷泵，接地参考CMOS兼容输入和诊断
反馈，单片集成在智能SIPMOS
技术。通过嵌入式的保护完全保护
功能。
+ V BB
3
电压
来源
过压
保护
当前
极限
门
保护
V
逻辑
电压
传感器
电荷泵
电平转换器
整流器器
ESD
逻辑
负载开路
短到VBB
发现
R
O
OUT
2
IN
温度
传感器
5
负载
4
ST
GND
PROFET
负载GND
GND
1
信号地
1
)
与外部电流限制（例如电阻R
GND
=150
)
在GND连接，电阻器串联ST
连接，反向负载电流受限于连接的负载。
半导体集团
1
02.97
BTS 425 L1
针
1
2
3
4
5
符号
GND
IN
VBB
ST
OUT
（负载， L）
-
I
+
S
O
功能
逻辑地
输入时，激活的情况下的逻辑高信号的功率开关
正电源电压，
标签短路到该引脚
诊断反馈，低故障
输出到负载
最大额定值
at
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
参数
电源电压（过电压保护页3 ）
电源电压为充分短路保护
T
开始
=-40 ...+150°C
负载突降保护
2
)
V
LoadDump
=
U
A
+
V
s
,
U
A
= 13.5 V
R
I
3
)
= 2
,
R
L
= 1.7
,
t
d
= 200毫秒， IN =低或高
负载电流（短路电流，见第4页）
工作温度范围
存储温度范围
功耗（ DC ） ，T
C
≤
25 °C
静电放电能力（ ESD ）
IN：
（人体模型）
所有其它引脚：
ACC 。 MIL- STD883D ，方法3015.7和ESD ASSN 。性病。 S5.1-1993
符号
V
bb
V
bb
值
43
24
60
自限
-40 ...+150
-55 ...+150
75
1.0
2.0
-10 ... +16
±2.0
±5.0
单位
V
V
V
A
°C
W
kV
V
mA
V
负载dump4
)
I
L
T
j
T
英镑
P
合计
V
ESD
V
IN
I
IN
I
ST
输入电压（直流）
电流通过输入端子（DC）的
电流通过状态引脚（ DC）
看到内部电路图第6页
热特性
参数和条件
热阻
符号
民
--
--
--
芯片 - 案例：
R
thJC
结 - 环境（自由空气） ：
R
thJA
SMD版本， PCB上的元件
5)
:
值
典型值
最大
-- 1.67
--
75
34
--
单位
K / W
2
)
3)
4)
5
)
电源电压高于V高
BB （ AZ ）
需要一个外部电流限制为GND和状态引脚，如有
150
电阻在GND连接和15 kΩ电阻串联在状态引脚。电阻为
保护输入的集成。
R
I
=甩负荷试验脉冲发生器的内部电阻
V
负载突降
是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜面积Vbb的
连接。 PCB是垂直的不吹气。
半导体集团
2
BTS 425 L1
参数和条件
at
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏，除非另有说明
符号
值
民
典型值
最大
单位
保护功能
初始峰值短路电流限制（引脚35）
T
j
=-40°C:
T
j
=25°C:
T
j
=+150°C:
重复短路停机电流限制
T
j
=
T
jt
（见时序图，第9页）
热过载跳闸温度
热滞
电池反接（引脚3 1 ）
9
)
反向电池电压下降
(V
OUT
＆ GT ; V
bb
)
I
L
= -2 A
T
j
=150 °C:
诊断特性
负载开路检测电流
（导通状态， ）
I
L（ SCP ）
27
20
12
37
30
18
17
--
10
--
610
47
40
25
--
--
--
32
--
A
I
L（血肌酐）
T
jt
T
jt
-V
bb
-V
ON （转）
--
150
--
--
--
A
°C
K
V
mV
T
j
=-40 °C
:
I
L（ OL ）
T
j
=25..150°C:
150
150
2
600
450
3
950
750
4
mA
V
负载开路检测电压
10
） （关条件）
V
OUT （ OL ）
T
j
=-40..150°C:
内部输出上拉下来
（引脚5为1） ，
V
OUT
=5 V,
T
j
=-40..150°C
R
O
4
10
30
k
9
)
要求150
电阻接地连接。逆向负载电流通过固有漏 - 源
二极管具有由所连接的负载进行限制。注意，该功耗是高于正常
操作条件下，由于在整个本征漏极 - 源极二极管的电压降。温度
保护不动作电流反向操作过程中！输入和状态电流必须被限制（见
最大。收视率第2页和电路第7页） 。
10)
所需的负载开路检测关断状态外部上拉电阻。
半导体集团
4
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