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PROFET BTS 412B2
海赛德智能电源开关
特点
过载保护
电流限制
短路保护
热关断
过电压保护(包括负载突降)
感性负载的快速退磁
反向电池保护
1)
与欠压和过压关断
自动重启动和滞后
CMOS诊断输出
负载开路检测OFF状态
CMOS兼容输入
地面和损失的损失
V
bb
保护
静电放电
( ESD)保护
产品概述
过压保护
工作电压
导通状态电阻
负载电流( ISO )
电流限制
V
BB ( AZ )
V
bb的(上)
R
ON
I
L( ISO)的
I
L(血肌酐)
65
V
4.7 ... 42 V
220 m
1.8
A
5
A
TO-220AB/5
5
1
直脚
5
5
1
标准
SMD
应用
C
具有诊断反馈兼容的电源开关为12 V和24 V DC接地负载
各类阻性,感性和capacitve加载中
替代机电继电器,熔断器和分立电路
概述
N沟道垂直功率FET与电荷泵,接地参考CMOS兼容输入和诊断
反馈,单片集成在智能SIPMOS
技术。通过嵌入式的保护完全保护
功能。
+ V BB
3
电压
来源
过压
保护
当前
极限
保护
V
逻辑
电压
传感器
电荷泵
电平转换器
整流器器
负载开路
ESD
逻辑
发现
对于限制
松开
IND 。负载
OUT
2
IN
温度
传感器
5
负载
4
ST
短路
发现
GND
PROFET
负载GND
1
信号地
1
)
与外部电流限制(例如电阻R
GND
=150
)
在GND连接,电阻器串联ST
连接,反向负载电流受限于连接的负载。
半导体集团
1
03.97
BTS 412B2
1
2
3
4
5
符号
GND
IN
VBB
ST
OUT
(负载, L)
-
I
+
S
O
功能
逻辑地
输入时,激活的情况下的逻辑高信号的功率开关
正电源电压,
标签短路到该引脚
诊断反馈,低故障
输出到负载
最大额定值
at
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
参数
电源电压(过电压保护页3 )
负载突降保护
2
)
V
LoadDump
=
U
A
+
V
s
,
U
A
= 13.5 V
R
I
3
)
= 0.5
,
R
L
= 6.6
,
t
d
= 400毫秒, IN =低或高
负载电流(短路电流,见第4页)
工作温度范围
存储温度范围
功耗( DC ) ,T
C
25 °C
感性负载关断能耗,单脉冲
V
bb
= 12V,
T
,开始
= 150°C,
T
C
= 150 ℃的常量。
I
L
= 1.8 A,Z
L
= 2.3 H, 0
:
静电放电能力( ESD )
IN:
(人体模型)
所有其它引脚:
ACC 。 MIL- STD883D ,方法3015.7和ESD ASSN 。性病。 S5.1-1993
符号
V
bb
V
负载dump4
)
65
100
自限
-40 ...+150
-55 ...+150
50
4.5
1
2
-10 ... +16
±5.0
±5.0
单位
V
V
A
°C
W
J
kV
V
mA
I
L
T
j
T
英镑
P
合计
E
AS
V
ESD
V
IN
I
IN
I
ST
输入电压(直流)
电流通过输入端子(DC)的
电流通过状态引脚( DC)
看到内部电路图第6页
热特性
参数和条件
热阻
符号
--
--
--
芯片 - 案例:
R
thJC
结 - 环境(自由空气) :
R
thJA
SMD版本, PCB上的元件
5)
:
典型值
最大
--
2.5
--
75
35
--
单位
K / W
2
)
3)
4)
5
)
电源电压高于V高
BB ( AZ )
需要一个外部电流限制为GND和状态引脚,如有
150
电阻在GND连接和15 kΩ电阻串联在状态引脚。电阻为
保护输入的集成。
R
I
=甩负荷试验脉冲发生器的内部电阻
V
负载突降
是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
( 1层, 70微米厚)的铜面积Vbb的
连接。 PCB是垂直的不吹气。
半导体集团
2
BTS 412B2
电气特性
参数和条件
at
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏,除非另有说明
符号
典型值
最大
单位
负载切换功能和特点
T
j
=25 °C:
T
j
=150 °C:
额定负载电流,ISO标准(引脚3 5)
V
ON
= 0.5 V,
T
C
= 85 °C
输出电流(引脚
5
),而GND断开或
GND拉升,
V
bb
=30 V,
V
IN
= 0时,看到图
第7页
开启时间
IN
到90%
V
OUT
:
至10%
V
OUT
:
打开-O FF时间
IN
R
L
= 12
,
T
j
=-40...+150°C
上压摆率
10至30%
V
OUT
,
R
L
= 12
,
T
j
=-40...+150°C
压摆率关闭
70 %至40%
V
OUT
,
R
L
= 12
,
T
j
=-40...+150°C
操作参数
工作电压
6
)
欠压关断
通态电阻(引脚35)
I
L
= 1.6 A
R
ON
--
190
390
220
440
--
1
m
I
L( ISO)的
I
L( GNDhigh )
1.6
--
1.8
--
A
mA
s
t
on
t
关闭
的dV / dt
on
-dV / DT
关闭
15
5
--
--
--
--
--
--
125
85
3
6
V / μs的
V / μs的
T
j
=-40...+150°C:
T
j
=25°C:
T
j
=-40...+150°C:
T
j
=-40...+150°C:
欠压重启
电荷泵欠压重启
见图12页
欠压滞后
V
BB (下)
=
V
BB (U RST )
-
V
BB (下)
T
j
=-40...+150°C:
过压关断
T
j
=-40...+150°C:
过电压启动
T
j
=-40...+150°C:
过电压滞后
T
j
=-40...+150°C:
过压保护
7
)
I
bb
= 40毫安
待机电流(引脚3 )
,
V
IN
=0, I
ST
≤0
T
j
=-40...+150°C:
工作电流(引脚1 )
8)
,
V
IN
=5 V
V
bb的(上)
V
BB (下)
V
BB (U RST )
V
BB ( UCP )
V
BB (下)
4.7
2.9
2.7
--
--
--
42
40
--
65
--
--
--
--
5.6
0.1
--
--
0.1
70
42
4.5
4.7
4.9
6.0
--
52
--
--
--
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
V
bb的(过)
V
BB (O RST )
V
bb的(过)
V
BB ( AZ )
I
的bb (关闭)
I
GND
--
--
40
1
70
--
mA
6
)
7)
8
)
在电源电压增加至
V
bb
= 5.6 V (典型值)没有电荷泵,
V
OUT
V
bb
- 2 V
Meassured空载
.
参见
V
开( CL)的
在表中的保护功能和电路图页7 。
添加
I
ST
如果
I
ST
& GT ; 0 ,加
I
IN
如果
V
IN
& GT ; 5.5 V
半导体集团
3
BTS 412B2
参数和条件
at
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏,除非另有说明
符号
典型值
最大
单位
保护功能
初始峰值短路电流限制(引脚35)
9
)
,
I
L( SCP )
(最大450
s
if
V
ON
& GT ;
V
开( SC)的
)
T
j
=-40°C:
T
j
=25°C:
T
j
=+150°C:
过载关断电流限制
I
L(血肌酐)
V
ON
= 8 V,
T
j
=
T
jt
(见时序图,第10页)
输入POS机后短路停机延时。坡
V
ON
& GT ;
V
开( SC)的
,
T
j
=-40..+150°C:
t
D( SC )
最小值唯一有效的,如果输入"low"时间超过60
s
9
--
4
--
--
--
12
--
5
--
23
--
15
--
450
A
A
s
V
输出钳位(感性负载开关关闭)
at
V
OUT
=
V
bb
-
V
开( CL)的
I
L
= 40毫安,
T
j
=-40..+150°C:
I
L
= 1 A,
T
j
=-40..+150°C:
短路停机检测电压
(引脚35)
热过载跳闸温度
热滞
电池反接(引脚3 1 )
10
)
诊断特性
负载开路检测电流
(包括在待机电流
I
的bb (关闭)
)
V
开( CL)的
61
--
--
150
--
--
68
--
8.5
--
10
--
73
75
--
--
--
32
V
开( SC)的
T
jt
T
jt
-V
bb
V
°C
K
V
T
j
=-40...+150°C:
I
L(关闭)
T
j
=-40..150°C:
V
OUT ( OL )
15
2
30
3
60
4
A
V
负载开路检测电压
9
)
短路电流限制为最大。吨的持续时间
D( SC )最大
=450
s,
在关闭之前
10
)需要150
电阻接地连接。逆向负载电流通过固有漏 - 源
二极管具有由所连接的负载进行限制。注意,该功耗是高于正常
操作条件下,由于在整个本征漏极 - 源极二极管的电压降。温度
保护不动作电流反向操作过程中!输入和状态电流必须被限制(见
最大。收视率第2页和电路第7页) 。
半导体集团
4
BTS 412B2
参数和条件
at
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏,除非另有说明
符号
典型值
最大
单位
输入和状态反馈
11
)
输入阻抗
看到电路第6页
输入端导通阈值电压
T
j
=-40..+150°C:
T
j
=-40..+150°C:
输入关断阈值电压
输入阈值迟滞
关机状态下的输入电流(引脚2 )
V
IN
= 0.4 V
在状态输入电流(引脚2 )
V
IN
= 3.5 V
延迟时间与负载开路状态
之后,输入负。斜率(见图第11页)
R
I
V
IN( T + )
V
IN( T-)
V
IN( T)
I
中(关闭)
I
IN(上)
t
D( ST OL3 )
t
D( ST ,SC)
--
1.5
1.0
--
1
10
--
--
9
--
--
0.5
--
25
200
--
--
2.4
--
--
30
70
--
450
k
V
V
V
A
A
s
s
状态积极投入斜坡后失效
Tj=-40
... +150°C:
(短路)
状态输出( CMOS )
T
j
=-40...+150°C,
I
ST
=
-
50
A:
T
j
=-40...+150°C,
I
ST
= 1.6毫安:
马克斯。状态电流
电流源
(下) :
有效的状态输出,
灌电流
(中) :
T
j
=-40...+150°C
V
ST(high)12
)
V
意法半导体(低)
-I
ST
+I
ST13)
4.4
--
--
--
5.1
--
--
--
6.5
0.4
0.25
1.6
V
mA
11)
如果接地电阻R
GND
用加电阻两端的电压降。
VSt上高
V
bb
在欠压关断
13
)在欠压关断无电流吸收能力
12
)
半导体集团
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    联系人:杨小姐
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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21+
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电话:0755-83035161
联系人:肖先生
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