PROFET BTS 410 F2
海赛德智能电源开关
过载保护
电流限制
短路保护
热关断
过电压保护（包括负载突降）
感性负载的快速退磁
反向电池保护
1
)
与欠压和过压关断
自动重启动和滞后
开漏输出诊断
开路负载检测在ON状态
CMOS兼容输入
地面和损失的损失
V
bb
保护
静电放电
（ ESD）保护
特点
产品概述
过压保护
工作电压
导通状态电阻
负载电流（ ISO ）
电流限制
V
BB （ AZ ）
V
bb的（上）
R
ON
I
L（ ISO）的
I
L（血肌酐）
65
V
4.7 ... 42 V
220 m
1.8
A
2.7
A
TO-220AB/5
5
5
1
直脚
1
5
标准
SMD
C
具有诊断反馈兼容的电源开关为12 V和24 V DC接地负载
最适合感性负载
替代机电继电器，熔断器和分立电路
应用
概述
N沟道垂直功率FET与电荷泵，接地参考CMOS兼容输入和诊断
反馈，单片集成在智能SIPMOS技术。提供嵌入式保护功能。
+ V BB
电压
来源
V
逻辑
电压
传感器
3
过压
保护
当前
极限
门
保护
OUT
电荷泵
电平转换器
整流器器
对于限制
松开
IND 。负载
负载开路
2
IN
温度
传感器
5
ESD
逻辑
负载
发现
短路
发现
GND
4
ST
PROFET
负载GND
1
信号地
1
)
与外部电流限制（例如电阻R
GND
=150
)
在GND连接，串联电阻与和ST
连接，反向负载电流受限于连接的负载。
半导体集团
1 15
2003-Oct-01
BTS 410 F2
针
1
2
3
4
5
符号
GND
IN
VBB
ST
OUT
（负载， L）
-
I
+
S
O
功能
逻辑地
输入时，激活的情况下的逻辑高信号的功率开关
正电源电压，
标签短路到该引脚
诊断反馈，低故障
输出到负载
最大额定值
at
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
参数
电源电压（过电压保护页3 ）
2
负载突降保护
)
V
LoadDump
=
U
A
+
V
s
,
U
A
= 13.5 V
3
R
I
)
= 2
,
R
L
= 6.6
,
t
d
= 400毫秒， IN =低或高
负载电流（短路电流，见第4页）
工作温度范围
存储温度范围
功耗（ DC ） ，T
C
≤
25 °C
感性负载关断能耗，单脉冲
V
bb
= 12V,
T
，开始
= 150°C,
T
C
= 150 ℃的常量。
I
L
= 1.8 A，Z
L
= 2.3 H, 0
:
静电放电能力（ ESD ）
IN：
（人体模型）
所有其它引脚：
ACC 。 MIL- STD883D ，方法3015.7和ESD ASSN 。性病。 S5.1-1993
符号
V
bb
4
V
负载突降
)
I
L
T
j
T
英镑
P
合计
E
AS
V
ESD
V
IN
I
IN
I
ST
值
65
100
自限
-40 ...+150
-55 ...+150
50
4.5
1
2
-0.5 ... +6
±5.0
±5.0
单位
V
V
A
°C
W
J
kV
V
mA
输入电压（直流）
电流通过输入端子（DC）的
电流通过状态引脚（ DC）
看到内部电路图第6页
热特性
参数和条件
热阻
符号
民
--
--
--
值
典型值
最大
--
2.5
--
75
35
--
单位
K / W
芯片 - 案例：
R
thJC
结 - 环境（自由空气） ：
R
thJA
SMD版本， PCB上的元件
5
)
:
2
)
3
)
4
)
5
)
电源电压高于V高
BB （ AZ ）
需要一个外部电流限制为GND和状态引脚，如有
150
电阻在GND连接和15 kΩ电阻串联在状态引脚。电阻为
保护输入的集成。
R
I
=甩负荷试验脉冲发生器的内部电阻
V
负载突降
是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜面积Vbb的
连接。 PCB是垂直的不吹气。
半导体集团
2
2003-Oct-01
BTS 410 F2
参数和条件
at
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏，除非另有说明
9
符号
值
民
典型值
最大
单位
保护功能
)
10
初始峰值短路电流限制（引脚35）
)
,
I
L（ SCP ）
（最大450
s
if
V
ON
＆ GT ;
V
开（ SC）的
)
T
j
=-40°C:
T
j
=25°C:
T
j
=+150°C:
过载关断电流限制
I
L（血肌酐）
V
ON
= 8 V,
T
j
=
T
jt
（见时序图，第11页）
输入POS机后短路停机延时。坡
V
ON
＆ GT ;
V
开（ SC）的
,
T
j
=-40..+150°C:
t
D（ SC ）
最小值唯一有效的，如果输入"low"时间超过60
s
4.0
3.5
2.0
--
--
--
5.5
3.5
2.7
--
11
10
7.5
--
450
A
A
s
V
V
°C
K
V
输出钳位（感性负载开关关闭）
at
V
OUT
=
V
bb
-
V
开（ CL）的
I
L
= 40毫安，
T
j
=-40..+150°C:
I
L
= 1 A,
T
j
=-40..+150°C:
短路关断检测电压（引脚3 5）
热过载跳闸温度
热滞
电池反接（引脚3 1 ）
11
)
诊断特性
负载开路检测电流
（视情）
V
开（ CL）的
V
开（ SC）的
T
jt
T
jt
-V
bb
61
--
--
150
--
--
68
--
8.5
--
10
--
73
75
--
--
--
32
I
L（ OL ）
T
j
=-40 ..150°C:
2
--
150
mA
9
集成的保护功能被设计为防止在所描述的故障条件下的IC破坏
数据表。故障条件被认为是“外”的正常操作范围。保护功能不
设计用于连续重复操作。
10
)
短路电流限制为最大。吨的持续时间
D（ SC ）最大
=450
s,
在关闭之前
11
)
要求150
电阻接地连接。逆向负载电流通过固有漏 - 源
二极管具有由所连接的负载进行限制。注意，该功耗是高于正常
操作条件下，由于在整个本征漏极 - 源极二极管的电压降。温度
保护不动作电流反向操作过程中！输入和状态电流必须被限制（见
最大。收视率第2页和电路第7页） 。
)
半导体集团
4
2003-Oct-01
PROFET BTS 410 F2
海赛德智能电源开关
特点
过载保护
电流限制
短路保护
热关断
过电压保护（包括负载突降）
感性负载的快速退磁
反向电池保护
1)
与欠压和过压关断
自动重启动和滞后
开漏输出诊断
开路负载检测在ON状态
CMOS兼容输入
地面和损失的损失
V
bb
保护
静电放电
（ ESD）保护
产品概述
过压保护
工作电压
导通状态电阻
负载电流（ ISO ）
电流限制
V
BB （ AZ ）
V
bb的（上）
R
ON
I
L（ ISO）的
I
L（血肌酐）
65
V
4.7 ... 42 V
220 m
1.8
A
2.7
A
TO-220AB/5
5
1
直脚
5
5
1
标准
SMD
应用
C
具有诊断反馈兼容的电源开关为12 V和24 V DC接地负载
最适合感性负载
替代机电继电器，熔断器和分立电路
概述
N沟道垂直功率FET与电荷泵，接地参考CMOS兼容输入和诊断
反馈，单片集成在智能SIPMOS
技术。通过嵌入式的保护完全保护
功能。
+ V BB
3
电压
来源
过压
保护
当前
极限
门
保护
V
逻辑
电压
传感器
电荷泵
电平转换器
整流器器
负载开路
ESD
逻辑
发现
对于限制
松开
IND 。负载
OUT
2
IN
温度
传感器
5
负载
4
ST
短路
发现
GND
PROFET
负载GND
1
信号地
1
)
与外部电流限制（例如电阻R
GND
=150
)
在GND连接，串联电阻与和ST
连接，反向负载电流受限于连接的负载。
半导体集团
1
03.97
BTS 410 F2
针
1
2
3
4
5
符号
GND
IN
VBB
ST
OUT
（负载， L）
-
I
+
S
O
功能
逻辑地
输入时，激活的情况下的逻辑高信号的功率开关
正电源电压，
标签短路到该引脚
诊断反馈，低故障
输出到负载
最大额定值
at
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
参数
电源电压（过电压保护页3 ）
负载突降保护
2
)
V
LoadDump
=
U
A
+
V
s
,
U
A
= 13.5 V
R
I
3
)
= 2
,
R
L
= 6.6
,
t
d
= 400毫秒， IN =低或高
负载电流（短路电流，见第4页）
工作温度范围
存储温度范围
功耗（ DC ） ，T
C
≤
25 °C
感性负载关断能耗，单脉冲
V
bb
= 12V,
T
，开始
= 150°C,
T
C
= 150 ℃的常量。
I
L
= 1.8 A，Z
L
= 2.3 H, 0
:
静电放电能力（ ESD ）
IN：
（人体模型）
所有其它引脚：
ACC 。 MIL- STD883D ，方法3015.7和ESD ASSN 。性病。 S5.1-1993
符号
V
bb
V
负载dump4
)
值
65
100
自限
-40 ...+150
-55 ...+150
50
4.5
1
2
-0.5 ... +6
±5.0
±5.0
单位
V
V
A
°C
W
J
kV
V
mA
I
L
T
j
T
英镑
P
合计
E
AS
V
ESD
V
IN
I
IN
I
ST
输入电压（直流）
电流通过输入端子（DC）的
电流通过状态引脚（ DC）
看到内部电路图第6页
热特性
参数和条件
热阻
符号
民
--
--
--
芯片 - 案例：
R
thJC
结 - 环境（自由空气） ：
R
thJA
SMD版本， PCB上的元件
5)
:
值
典型值
最大
--
2.5
--
75
35
--
单位
K / W
2
)
3)
4)
5
)
电源电压高于V高
BB （ AZ ）
需要一个外部电流限制为GND和状态引脚，如有
150
电阻在GND连接和15 kΩ电阻串联在状态引脚。电阻为
保护输入的集成。
R
I
=甩负荷试验脉冲发生器的内部电阻
V
负载突降
是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜面积Vbb的
连接。 PCB是垂直的不吹气。
半导体集团
2
BTS 410 F2
保护功能
初始峰值短路电流限制（引脚35）
9
)
,
I
L（ SCP ）
（最大450
s
if
V
ON
＆ GT ;
V
开（ SC）的
)
T
j
=-40°C:
T
j
=25°C:
T
j
=+150°C:
过载关断电流限制
I
L（血肌酐）
V
ON
= 8 V,
T
j
=
T
jt
（见时序图，第10页）
输入POS机后短路停机延时。坡
V
ON
＆ GT ;
V
开（ SC）的
,
T
j
=-40..+150°C:
t
D（ SC ）
最小值唯一有效的，如果输入"low"时间超过60
s
4.0
3.5
2.0
--
--
--
5.5
3.5
2.7
--
11
10
7.5
--
450
A
A
s
V
输出钳位（感性负载开关关闭）
at
V
OUT
=
V
bb
-
V
开（ CL）的
I
L
= 40毫安，
T
j
=-40..+150°C:
I
L
= 1 A,
T
j
=-40..+150°C:
短路停机检测电压
（引脚35）
热过载跳闸温度
热滞
电池反接（引脚3 1 ）
10
)
诊断特性
负载开路检测电流
（视情）
V
开（ CL）的
61
--
--
150
--
--
68
--
8.5
--
10
--
73
75
--
--
--
32
V
开（ SC）的
T
jt
T
jt
-V
bb
V
°C
K
V
T
j
=-40 ..150°C:
I
L（ OL ）
2
--
150
mA
输入和状态反馈
11
)
输入端导通阈值电压
T
j
=-40..+150°C:
T
j
=-40..+150°C:
输入关断阈值电压
输入阈值迟滞
关机状态下的输入电流（引脚2 ）
V
IN
= 0.4 V
在状态输入电流（引脚2 ）
V
IN
= 5 V
状态积极投入斜坡后失效
Tj=-40
... +150°C:
（短路）
状态积极投入斜坡后失效
Tj=-40
... +150°C:
（开路）
状态输出（漏极开路）
齐纳电压的限制
T
j
=-40...+150°C,
I
ST
= 50微安：
意法半导体的低电压
T
j
=-40...+150°C,
I
ST
= 1.6毫安：
V
IN（ T + ）
V
IN（ T-）
V
IN（ T）
I
中（关闭）
I
IN（上）
t
D（ ST ，SC）
t
D（ ST）的
1.5
1.0
--
1
10
--
300
--
--
0.5
--
25
--
--
2.4
--
--
30
70
450
1400
V
V
V
A
A
s
s
V
意法半导体（高）
V
意法半导体（低）
5.0
--
6
--
--
0.4
V
8
)
9
)
添加
I
ST
如果
I
ST
＆ GT ; 0 ，加
I
IN
如果
V
IN
＆ GT ; 5.5 V
短路电流限制为最大。吨的持续时间
D（ SC ）最大
=450
s,
在关闭之前
10
）需要150
电阻接地连接。逆向负载电流通过固有漏 - 源
二极管具有由所连接的负载进行限制。注意，该功耗是高于正常
操作条件下，由于在整个本征漏极 - 源极二极管的电压降。温度
保护不动作电流反向操作过程中！输入和状态电流必须被限制（见
最大。收视率第2页和电路第6页） 。
11)
如果接地电阻R
GND
用加电阻两端的电压降。
半导体集团
4
BTS 410 F2
真值表
输入 -
水平
正常
手术
负载开路
短路
到GND
短路
到V
bb
Overtem-
perature
理解
电压
过压
L = "Low"水平
H = "High"水平
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
产量
水平
L
H
12
)
状态
412
B2
H
H
L
H
H
L
L
H
L
L
L
14)
L
14)
L
L
410
D2
H
H
H
L
H
L
H
^ h （L
13)
)
L
L
L
14)
L
14)
L
L
410
E2/F2
H
H
H
L
H
L
H
^ h （L
13)
)
L
L
H
H
H
H
410
G2
H
H
H
L
H
H
H
^ h （L
13)
)
L
L
H
H
H
H
410
H2
H
H
L
H
H
L
L
H
L
L
H
H
H
H
H
L
L
H
H
L
L
L
L
L
L
X =不关心
Z =高阻抗，潜力取决于外部电路
状态信号在图中所示的时间延迟后（参照图5，页11 12）
12
)
功率晶体管关闭，高阻抗，版本BTS 410H ， BTS 412B ：内部上拉电流源
负载开路检测功能。
13
），低电阻短
V
输出可以在ON状态通过空载检测被检测
bb
14
）在欠压关断无电流吸收能力
半导体集团
5
QQ：2881677436 复制
