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TEMPFET
BTS 112一
特点
q
q
q
q
N沟道
增强型
温度传感器晶闸管特性
漏极引脚electricalIy短路的标签
1
2
3
针
1
G
2
D
3
S
TYPE
BTS 112A
V
DS
60 V
I
D
12 A
R
DS （ ON）
0.15
包
TO-220AB
订购代码
C67078-S5014-A3
最大额定值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压，
R
GS
= 20 k
栅源电压
连续漏电流，
T
C
= 33
°C
ISO漏电流
T
C
= 85
°C,
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 0.5 V
脉冲漏极电流，
短路电流，
符号
值
60
60
±
20
12
2.5
48
27
400
40
– 55 ... + 150
E
55/150/56
K / W
≤
3.1
≤
75
°C
–
W
A
单位
V
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D- ISO
I
PULS
I
SC
P
SCmax
P
合计
T
j
,
T
英镑
–
–
T
C
= 25
°C
T
j
= – 55 ... + 150
°C
短路损耗，
T
j
= – 55 ... + 150
°C
功耗
工作和存储温度范围
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
热阻
芯片案
芯片环境
R
日JC
R
日JA
1
19.02.04
TEMPFET
BTS 112一
电气特性
at
T
j
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0
, I
D
= 0.25毫安
栅极阈值电压
V
GS
=
V
DS
, I
D
= 1.0毫安
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 60 V,
V
DS
= 0
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=
±
20 V,
V
DS
= 0
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V
, I
D
= 7.5 A
动态特性
正向跨导
V
DS
≥
2
×
I
D
×
R
DS （ ON）最大值
,
I
D
= 7.5 A
输入电容
V
GS
= 0
, V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0
, V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
V
GS
= 0
, V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
60
–
3.0
–
3.5
V
V
GS （ TH）
2.5
I
DSS
–
–
0.1
10
1.0
100
A
I
GSS
–
–
10
2
0.12
100
4
0.15
nA
A
–
R
DS （ ON）
g
fs
3.0
5.7
360
160
50
15
30
40
55
–
S
pF
–
480
250
90
25
45
55
75
ns
C
国际空间站
C
OSS
–
C
RSS
–
–
–
–
–
开启时间
t
on
, (
t
on
=
t
D（上）
+
t
r
)
t
D（上）
V
CC
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A,
R
GS
= 50
t
r
打开-O FF时间
t
关闭
, (
t
关闭
=
t
D（关闭）
+
t
f
)
t
D（关闭）
V
CC
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A,
R
GS
= 50
t
f
2
19.02.04
TEMPFET
BTS 112一
电气特性
（续）
at
T
j
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
反向二极管
连续源电流
脉冲源电流
二极管正向导通电压
I
F
= 12 A,
V
GS
= 0 V
反向恢复时间
I
F
=
I
S
, d
i
F
/d
t
= 100 A / μs的，
V
R
= 30 V
反向恢复电荷
I
F
=
I
S
, d
i
F
/d
t
= 100 A / μs的，
V
R
= 30 V
温度传感器
正向电压
I
的TS （上）
= 10毫安，
T
j
= – 55 ... + 150
°C
传感器覆盖，
t
p
≤
100
s
T
j
= – 55 ... + 160
°C
正向电流
T
j
= – 55 ... + 150
°C
传感器覆盖，
t
p
≤
100
s
T
j
= – 55 ... + 160
°C
保持电流，
V
的TS （关闭）
= 5.0 V,
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
温度开关
V
TS
= 5.0 V
打开-O FF时间
V
TS
= 5.0 V,
I
的TS （上）
= 2毫安
值
典型值。
马克斯。
单位
I
S
I
SM
V
SD
–
–
–
–
–
1.3
60
0.1
12
48
A
V
1.6
ns
–
C
–
t
rr
–
Q
rr
–
V
的TS （上）
–
–
1.4
–
–
–
0.1
0.2
–
–
1.5
10
V
I
的TS （上）
–
–
10
600
0.5
0.3
mA
I
H
T
的TS （上）
0.05
0.05
150
°C
–
s
0.5
2.5
t
关闭
3
19.02.04
TEMPFET
BTS 112一
短路保护范例
at
T
j
= – 55 ... + 150
°C,
除非另有规定ED 。
参数
符号
1
示例
2
–
单位
漏源电压
栅源电压
短路电流
短路耗散
响应时间
T
j
= 25
°C,
短路前
V
DS
V
GS
I
SC
P
SC
t
SC （关闭）
15
6.8
27
400
20
30
5.0
11
330
20
–
–
–
–
–
V
A
W
ms
短路保护
I
SC
=
f
(
V
DS
)
参数
: V
GS
图确定
I
SC
为
T
j
= – 55 ... +150°C
马克斯。栅极电压
V
GS （ SC ）
=
f
(
V
DS
)
参数：
T
j
= – 55 ... + 150
°C
4
19.02.04
TEMPFET
BTS 112一
马克斯。功耗
P
合计
=
f
(
T
C
)
典型值。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
=
f
(
I
D
)
参数
: V
GS
典型的输出特性
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数
: t
p
= 80 s
安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25
°C
5
19.02.04
TEMPFET
BTS 112A
特点
q
q
q
q
N沟道
增强型
温度传感器晶闸管特性
漏极引脚electricalIy短路的标签
1
2
3
针
1
G
2
D
3
S
TYPE
BTS 112A
V
DS
60 V
I
D
12 A
R
DS （ ON）
0.15
包
TO-220AB
订购代码
C67078-S5014-A3
最大额定值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压，
R
GS
= 20 k
栅源电压
连续漏电流，
T
C
= 33
°C
ISO漏电流
T
C
= 85
°C,
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 0.5 V
脉冲漏极电流，
短路电流，
符号
值
60
60
±
20
12
2.5
48
27
400
40
– 55 ... + 150
E
55/150/56
K / W
≤
3.1
≤
75
°C
–
W
A
单位
V
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D- ISO
I
PULS
I
SC
P
SCmax
P
合计
T
j
,
T
英镑
–
–
T
C
= 25
°C
T
j
= – 55 ... + 150
°C
短路损耗，
T
j
= – 55 ... + 150
°C
功耗
工作和存储温度范围
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
热阻
芯片案
芯片环境
R
日JC
R
日JA
半导体集团
1
04.97
BTS 112A
电气特性
at
T
j
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0
, I
D
= 0.25毫安
栅极阈值电压
V
GS
=
V
DS
, I
D
= 1.0毫安
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 60 V,
V
DS
= 0
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=
±
20 V,
V
DS
= 0
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V
, I
D
= 7.5 A
动态特性
正向跨导
V
DS
≥
2
×
I
D
×
R
DS （ ON）最大值
,
I
D
= 7.5 A
输入电容
V
GS
= 0
, V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0
, V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
V
GS
= 0
, V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
60
–
3.0
–
3.5
V
V
GS （ TH）
2.5
I
DSS
–
–
0.1
10
1.0
100
A
I
GSS
–
–
10
2
0.12
100
4
0.15
nA
A
–
R
DS （ ON）
g
fs
3.0
5.7
360
160
50
15
30
40
55
–
S
pF
–
480
250
90
25
45
55
75
ns
C
国际空间站
C
OSS
–
C
RSS
–
–
–
–
–
开启时间
t
on
, (
t
on
=
t
D（上）
+
t
r
)
t
D（上）
V
CC
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A,
R
GS
= 50
t
r
打开-O FF时间
t
关闭
, (
t
关闭
=
t
D（关闭）
+
t
f
)
t
D（关闭）
V
CC
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A,
R
GS
= 50
t
f
半导体集团
2
BTS 112A
电气特性
（续）
at
T
j
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
反向二极管
连续源电流
脉冲源电流
二极管正向导通电压
I
F
= 24 A,
V
GS
= 0
反向恢复时间
I
F
=
I
S
, d
i
F
/d
t
= 100 A / μs的，
V
R
= 30 V
反向恢复电荷
I
F
=
I
S
, d
i
F
/d
t
= 100 A / μs的，
V
R
= 30 V
温度传感器
正向电压
I
的TS （上）
= 10毫安，
T
j
= – 55 ... + 150
°C
传感器覆盖，
t
p
≤
100
s
T
j
= – 55 ... + 160
°C
正向电流
T
j
= – 55 ... + 150
°C
传感器覆盖，
t
p
≤
100
s
T
j
= – 55 ... + 160
°C
保持电流，
V
的TS （关闭）
= 5.0 V,
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
温度开关
V
TS
= 5.0 V
打开-O FF时间
V
TS
= 5.0 V,
I
的TS （上）
= 2毫安
值
典型值。
马克斯。
单位
I
S
I
SM
V
SD
–
–
–
–
–
1.5
60
0.1
12
48
A
V
1.8
ns
–
C
–
t
rr
–
Q
rr
–
V
的TS （上）
–
–
1.4
–
–
–
0.1
0.2
–
–
1.5
10
V
I
的TS （上）
–
–
10
600
0.5
0.3
mA
I
H
T
的TS （上）
0.05
0.05
150
°C
–
s
0.5
2.5
t
关闭
半导体集团
3
BTS 112A
短路保护范例
at
T
j
= – 55 ... + 150
°C,
除非另有规定ED 。
参数
符号
1
示例
2
–
单位
漏源电压
栅源电压
短路电流
短路耗散
响应时间
T
j
= 25
°C,
短路前
V
DS
V
GS
I
SC
P
SC
t
SC （关闭）
15
6.8
27
400
20
30
5.0
11
330
20
–
–
–
–
–
V
A
W
ms
短路保护
I
SC
=
f
(
V
DS
)
参数
: V
GS
图确定
I
SC
为
T
j
= – 55 ... +150°C
马克斯。栅极电压
V
GS （ SC ）
=
f
(
V
DS
)
参数：
T
j
= – 55 ... + 150
°C
半导体集团
4
BTS 112A
马克斯。功耗
P
合计
=
f
(
T
C
)
典型值。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
=
f
(
I
D
)
参数
: V
GS
典型的输出特性
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数
: t
p
= 80
s
安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25
°C
半导体集团
5
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BUS-61559-110Y
b37871k5101j060
BUZ102SL-4
B82724J2252N001
B32024B3334M000
BUZ102SL4
BPT-BP1331
BAT43W-V-GS18
BS616LV2019TIG70
BTS112-A
BS62LV4006TC-70
BS62LV4006TC70
BPA-1504
BA6132F
B59100M1100A070
B32326-A6305
B37981M1153K054
BD2061AFJ-E2
BQ24401
BFM520T/R
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BTS112A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
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BTS112A
Infineon Technologies
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TO-220-3
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BTS112A
INENOI
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18650
SOT263
全新原装现货，原厂代理。
源辰芯科技（深圳）有限公司
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联系人：李经理
地址：深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
BTS112A
INFINEON/英飞凌
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有挂就有货 支持订货.备货
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联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
BTS112A
INF
14+
56000
DIP
全新原装正品/质量有保证
深圳诚思涵科技有限公司
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联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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联系人：李先生，夏小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室
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INFINEON
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全新原装现货
深圳勤思达科技有限公司
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电话：0755-83264115
联系人：朱生
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BTS112A
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5000
TO-220AB
全新原装，优势热卖
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BTS112A
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22+
90818
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