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CYStech电子股份有限公司
高电压NPN外延平面晶体管
规格。编号： C210N3 -H
发行日期： 2003.06.12
修订日期：
页页次： 1/4
BTNA44N3
特点
高击穿电压。 （ BV
首席执行官
=400V)
低饱和电压，通常V
CE
（SAT）
=我在0.1V
C
/I
B
=10mA/1mA.
补充BTPA94N3
符号
BTNA44N3
概要
SOT-23
B：基本
C：收藏家
E：发射器
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
热阻，结到环境
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pd
R
θJA
Tj
TSTG
极限
400
400
6
300
225
（注）
556
150
-55~+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
°C
注意：当安装在FR- 5板面积测量1.0 × 0.75 × 0.062英寸
BTNA44N3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特征
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
1
*V
CE （ SAT ）
2
*V
CE （ SAT ）
3
*V
BE （ SAT ）
h
FE
1
h
FE
2
*h
FE
3
*h
FE
4
f
T
COB
分钟。
400
400
6
-
-
-
-
-
-
40
52
45
40
20
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
0.1
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
10
10
0.4
0.5
0.75
1.5
-
270
-
-
-
7
单位
V
V
V
A
A
V
V
V
V
-
-
-
-
兆赫
pF
规格。编号： C210N3 -H
发行日期： 2003.06.12
修订日期：
页页次： 2/4
测试条件
I
C
= 50μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 50μA ，我
C
=0
V
CB
= 400V 。我
E
=0
V
EB
=6V,I
C
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0.1mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
V
CE
= 10V ，我
C
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA
V
CE
= 10V ，我
C
=100mA
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安中，f = 100MHz的
V
CB
= 20V ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380s,
值班Cycle≤2 ％
中hFE2分类
秩
范围
K
52~120
P
82~180
Q
120~270
BTNA44N3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特性曲线
电流增益VS集电极电流
1000
HFE@VCE=10V
电流增益---
的hFE
10000
饱和电压 - （毫伏）
规格。编号： C210N3 -H
发行日期： 2003.06.12
修订日期：
页页次： 3/4
饱和电压与集电极电流
VCESAT@IC=10IB
1000
100
100
10
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC --- （MA ）
10
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC --- （MA ）
饱和电压与集电极电流
10000
饱和电压 - （毫伏）
VBESAT@IC=10IB
功耗--- PD （MW ）
250
200
150
100
50
0
功率降额曲线
1000
100
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC --- （MA ）
0
50
100
150
200
环境温度--- TA（ ℃ ）
BTNA44N3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
SOT- 23外形尺寸
规格。编号： C210N3 -H
发行日期： 2003.06.12
修订日期：
页页次： 4/4
A
L
3
B
1
2
S
标记：
TE
3D
V
G
3引脚SOT- 23塑料
表面贴装封装
CYStek包装代码： N3
类型：Pin 1.Base 2.Emitter 3.Collector
C
D
K
H
J
* ：典型
暗淡
A
B
C
D
G
H
英寸
分钟。
马克斯。
0.1102 0.1204
0.0472 0.0630
0.0335 0.0512
0.0118 0.0197
0.0669 0.0910
0.0005 0.0040
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
2.80
3.04
1.20
1.60
0.89
1.30
0.30
0.50
1.70
2.30
0.013
0.10
暗淡
J
K
L
S
V
英寸
分钟。
马克斯。
0.0034 0.0070
0.0128 0.0266
0.0335 0.0453
0.0830 0.1083
0.0098 0.0256
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
0.085
0.177
0.32
0.67
0.85
1.15
2.10
2.75
0.25
0.65
注意事项：
1.Controlling尺寸：毫米。
2.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
3.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问，请联系您当地的CYStek销售办事处。
材质：
导语： 42合金;镀锡
模塑料：环氧树脂系列，可燃性固体燃烧等级： UL94V- 0
重要通知：
保留所有权利。严禁复制全部或部分不CYStek的事先书面批准。
CYStek保留随时修改其产品，恕不另行通知。
CYStek
半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
CYStek自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
BTNA44N3
CYStek产品规格
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B43305A9337M060
BPR5500F
B43504A5157M007
B43896A9226M012
BX9522
B25856K1204K003
BYT77
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BTNA44N3
    -
    -
    -
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    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市品优时代科技有限公司
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BTNA44N3
CYS
2019
79600
SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
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BTNA44N3
CYSTEKEC
2443+
23000
SOT-23
一级代理专营，原装现货，价格优势
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BTNA44N3
CYS
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12500
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CYSTEKEC
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BTNA44N3
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22+
33000
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地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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深圳市楷瑞达科技电子有限公司
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电话：13528893675/15710790696/0755-36335768
联系人：张
地址：广东省深圳市福田区华强北振兴路广东省深圳市福田区振兴路曼哈大厦4楼B801室。
BTNA44N3
CYS
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SOT-23
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北京首天伟业科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
BTNA44N3
CYS
2013+
86000
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北京显周科技有限公司
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电话：13910052844（微信同步）
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