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CYStech电子股份有限公司
低VCESAT NPN外延平面晶体管
规格。编号: C848T3 -H
发行日期: 2002年8月18日
修订日期: 2005年9月16日
页页次: 1/4
BTD882T3/S
特点
低V
CE
(SAT) ,通常为0.25V我
C
/ I
B
= 2A / 0.2A
出色的电流增益特性
补充BTB772T3 / S
无铅封装可用
符号
BTD882T3
概要
TO-126
B:基本
C:收藏家
E:发射器
权证B
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
注: * 1 。单脉冲PW
350s,Duty
2%.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
(DC)的
I
C
(脉冲)
P
d
(Ta=25℃)
P
d
(Tc=25℃)
Tj
TSTG
极限
40
30
5
3
7
1
10
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
*1
BTD882T3/S
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特征
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
*V
BE ( SAT )
*h
FE
1
*h
FE
2
f
T
COB
分钟。
40
30
5
-
-
-
-
52
100
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.25
-
-
-
90
45
马克斯。
-
-
-
1
1
0.5
2
-
500
-
-
单位
V
V
V
A
A
V
V
-
-
兆赫
pF
规格。编号: C848T3 -H
发行日期: 2002年8月18日
修订日期: 2005年9月16日
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测试条件
I
C
= 50μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 50μA ,我
C
=0
V
CB
= 50V ,我
E
=0
V
EB
= 3V ,我
C
=0
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A
V
CE
= 2V ,我
C
=20mA
V
CE
= 2V ,我
C
=1A
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.1A , F = 100MHz的
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380s,
值班Cycle≤2 %
分类h及
FE
2
范围
Q
100~200
P
160~320
E
250~500
订购信息
设备
BTB882T3
BTB882T3S
TO-126
TO-126
(无铅)
航运
500个/包
500个/包
BTD882T3/S
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特性曲线
电流增益VS集电极电流
1000
VCE=5V
规格。编号: C848T3 -H
发行日期: 2002年8月18日
修订日期: 2005年9月16日
页页次: 3/4
-E饱和电压与集电极电流
1000
-E饱和电压---
VCE ( SAT ) (MV )
电流增益HFE ---
100
IC=40IB
100
VCE=2V
VCE=1V
10
IC=10IB
IC=20IB
10
1
10
100
1000
10000
1
1
10
100
1000
10000
集电极电流IC --- (MA )
集电极电流IC --- (MA )
功率降额曲线
B -E饱和votlage VS集电极电流
10000
12
功耗 - (W )
10
8
6
4
2
0
1
10
100
1000
10000
Ta=25℃
Tc=25℃
B -E饱和电压---
VBE ( SAT ) (MV )
IC=10IB
1000
100
0
50
100
150
200
集电极电流IC --- (MA )
---温度(℃ )
BTD882T3/S
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
TO- 126外形尺寸
D
A
B
1 2 3
G
C
I
规格。编号: C848T3 -H
发行日期: 2002年8月18日
修订日期: 2005年9月16日
页页次: 4/4
E
J
K
M
标记:
α
3
α
4
D882
类型:Pin 1.Emitter 2.Collector 3.Base
F
H
L
α
1
α
2
3引脚TO- 126塑料包装
CYStek包装代码: T3
* :典型
暗淡
α1
α2
α3
α4
A
B
C
D
E
英寸
分钟。
马克斯。
-
*3°
-
*3°
-
*3°
-
*3°
0.1500
0.1539
0.2752
0.2791
0.5315
0.6102
0.2854
0.3039
0.0374
0.0413
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
-
*3°
-
*3°
-
*3°
-
*3°
3.81
3.91
6.99
7.09
13.50
15.50
7.52
7.72
0.95
1.05
暗淡
F
G
H
I
J
K
L
M
英寸
分钟。
马克斯。
0.0280
0.0319
0.0480
0.0520
0.1709
0.1890
0.0950
0.1050
0.0450
0.0550
0.0450
0.0550
-
*0.0217
0.1378
0.1520
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
0.71
0.81
1.22
1.32
4.34
4.80
2.41
2.66
1.14
1.39
1.14
1.39
-
*0.55
3.50
3.86
注意事项:
1.Controlling尺寸:毫米。
2.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
3.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问,请联系您当地的CYStek销售办事处。
材质:
导语: 42合金;镀锡
模塑料:环氧树脂系列,可燃性固体燃烧等级: UL94V- 0
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不CYStek的事先书面批准。
CYStek保留随时修改其产品,恕不另行通知。
CYStek
半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
CYStek自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
BTD882T3/S
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BTD882T3S
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