CYStech电子股份有限公司
低VCESAT NPN外延平面晶体管
规格。编号： C848T3
发行日期： 2004年7月1日
修订日期：
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BTD2150AT3
特点
低V
CE
（SAT） ，V
CE
（SAT） = 0.25 V（典型值） ，在我
C
/ I
B
= 2A / 200mA可
出色的电流增益特性
补充BTB1424AT3
符号
BTD2150AT3
概要
TO-126
B：基本
C：收藏家
E：发射器
欧洲央行
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
功率耗散（T
A
=25℃)
功率耗散（T
C
=25℃)
结温
储存温度
注：脉冲测试，脉冲width≤380μs ，值班cycle≤2 ％ 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
D
Tj
TSTG
范围
50
50
5
3
7
（注）
1
10
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
BTD2150AT3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
TO- 126外形尺寸
D
A
B
1 2 3
G
C
I
规格。编号： C848T3
发行日期： 2004年7月1日
修订日期：
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E
J
K
M
标记：
α
3
α
4
D2150A
类型：Pin 1.Emitter 2.Collector 3.Base
F
H
L
α
1
α
2
3引脚TO- 126塑料包装
CYStek包装代码： T3
* ：典型
暗淡
α1
α2
α3
α4
A
B
C
D
E
英寸
分钟。
马克斯。
-
*3°
-
*3°
-
*3°
-
*3°
0.1500
0.1539
0.2752
0.2791
0.5315
0.6102
0.2854
0.3039
0.0374
0.0413
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
-
*3°
-
*3°
-
*3°
-
*3°
3.81
3.91
6.99
7.09
13.50
15.50
7.52
7.72
0.95
1.05
暗淡
F
G
H
I
J
K
L
M
英寸
分钟。
马克斯。
0.0280
0.0319
0.0480
0.0520
0.1709
0.1890
0.0950
0.1050
0.0450
0.0550
0.0450
0.0550
-
*0.0217
0.1378
0.1520
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
0.71
0.81
1.22
1.32
4.34
4.80
2.41
2.66
1.14
1.39
1.14
1.39
-
*0.55
3.50
3.86
注意事项：
1.Controlling尺寸：毫米。
2.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
3.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问，请联系您当地的CYStek销售办事处。
材质：
导语： 42合金;镀锡
模塑料：环氧树脂系列，可燃性固体燃烧等级： UL94V- 0
重要通知：
保留所有权利。严禁复制全部或部分不CYStek的事先书面批准。
CYStek保留随时修改其产品，恕不另行通知。
CYStek
半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
CYStek自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
BTD2150AT3
CYStek产品规格
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