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CYStech电子股份有限公司
低VCESAT NPN外延平面晶体管
规格。编号: C848I3
发行日期: 2003年4月18日
修订日期: 2004.06.30
页页次: 1/4
BTD1864I3
特点
低V
CE
(SAT)
出色的电流增益特性
补充BTB1243I3
符号
BTD1864I3
概要
TO-251
B:基本
C:收藏家
E:发射器
B
B CCE
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
注意:
*1.
单脉冲Pw = 10ms的
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
(DC)的
I
C
(脉冲)
PD (T
A
=25℃)
PD (T
C
=25℃)
Tj
TSTG
范围
80
80
50
6
5
7.5
1
15
150
-55~+150
单位
V
V
V
V
*1
A
W
°C
°C
BTD1864I3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特征
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
1
*V
CE ( SAT )
2
*V
BE ( SAT )
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
f
T
COB
t
on
t
英镑
t
f
分钟。
80
80
50
6
-
-
-
-
-
100
180
100
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
400
15
35
300
20
马克斯。
-
-
-
-
1
1
135
240
1.2
-
820
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
A
A
mV
mV
V
-
-
-
兆赫
pF
ns
ns
ns
规格。编号: C848I3
发行日期: 2003年4月18日
修订日期: 2004.06.30
页页次: 2/4
测试条件
I
C
= 10μA ,我
E
=0
I
C
= 100μA ,R
BE
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 40V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
I
C
= 1A ,我
B
=50mA
I
C
= 2A ,我
B
=100mA
I
C
= 2A ,我
B
=100mA
V
CE
= 2V ,我
C
=20mA
V
CE
= 2V ,我
C
=500mA
V
CE
= 2V ,我
C
=1A
V
CE
= 10V ,我
C
= 500毫安中,f = 100MHz的
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
V
CC
= 25V ,我
C
=10I
B
1=-10I
B
2=1A,
R
L
=25
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380s,
值班Cycle≤2 %
分类h及
FE
2
范围
R
180~390
S
270~560
T
390~820
BTD1864I3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特性曲线
电流增益VS集电极电流
1000
饱和电压 - ( V)
VCE=5V
规格。编号: C848I3
发行日期: 2003年4月18日
修订日期: 2004.06.30
页页次: 3/4
饱和电压与集电极电流
1
电流增益HFE ---
0.1
VCESAT@IC=40IB
100
VCE=2V
VCE=1V
0.01
VCESAT@IC=10IB
VCESAT@IC=20IB
10
1
10
100
1000
10000
集电极电流IC --- (MA )
0.001
1
10
100
1000
10000
集电极电流IC --- (MA )
饱和电压与集电极电流
10
功耗--- PD ( W)
饱和电压 - ( V)
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1
10
100
1000
10000
0
功率降额曲线
VBESAT@IC=20IB
1
VBESAT@IC=40IB
0.1
集电极电流IC --- (MA )
50
100
150
200
环境温度--- TA ( ℃ )
功率降额曲线
16
功耗--- PD ( W)
14
12
10
8
6
4
2
0
0
50
100
150
案例Temeprature --- TC ( ℃ )
200
BTD1864I3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
TO- 251外形尺寸
A
B
C
D
规格。编号: C848I3
发行日期: 2003年4月18日
修订日期: 2004.06.30
页页次: 4/4
标记:
D1864
F
3
E
K
2
1
J
G
I
H
类型:Pin 1.Base 2.Collector 3.Emitter
3引脚TO- 251塑料包装
CYStek包装代码: I3
* :典型
暗淡
A
B
C
D
E
F
英寸
分钟。
马克斯。
0.0177
0.0217
0.0354
0.0591
0.0177
0.0236
0.0866
0.0945
0.2520
0.2677
0.2677
0.2835
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
0.45
0.55
0.90
1.50
0.45
0.60
2.20
2.40
6.40
6.80
6.80
7.20
暗淡
G
H
I
J
K
英寸
分钟。
马克斯。
0.2559
-
-
*0.1811
-
0.0354
-
0.0315
0.2047
0.2165
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
6.50
-
-
*4.60
-
0.90
-
0.80
5.20
5.50
注意事项:
1.Controlling尺寸:毫米。
2.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
3.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问,请联系您当地的CYStek销售办事处。
材质:
导语: 42合金;镀锡
模塑料:环氧树脂系列,可燃性固体燃烧等级: UL94V- 0
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不CYStek的事先书面批准。
CYStek保留随时修改其产品,恕不另行通知。
CYStek
半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
CYStek自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
BTD1864I3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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