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CYStech电子股份有限公司
NPN硅外延平面晶体管
规格。编号: C855I3
发行日期: 2004年9月16日
修订日期:
页页次: 1/4
BTD1857AI3
描述
高BV
首席执行官
高电流能力
补充BTB1236AI3
符号
BTD1857AI3
概要
TO-251
B:基本
C:收藏家
E:发射器
B权证
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
功耗@T
A
=25℃
功耗@T
C
=25℃
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
D
Tj
TSTG
范围
180
160
5
1.5
3
1
10
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
BTD1857AI3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特征
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
*V
BE(上)
h
FE
1
h
FE
2
f
T
COB
分钟。
180
160
5
-
-
-
-
60
30
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
140
27
马克斯。
-
-
-
1
1
0.6
1.5
320
-
-
-
单位
V
V
V
A
A
V
V
-
-
兆赫
pF
规格。编号: C855I3
发行日期: 2004年9月16日
修订日期:
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测试条件
I
C
=50
A,I
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
=50
A,I
C
=0
V
CB
= 160V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
I
C
= 1A ,我
B
=100mA
V
CE
= 5V ,我
C
=150mA
V
CE
= 5V ,我
C
=150mA
V
CE
= 5V ,我
C
=500mA
V
CE
= 5V ,我
C
=150mA
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380s,
值班Cycle≤2 %
分类h及
FE
1
范围
P
82~190
Q
120~200
R
180~320
BTD1857AI3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特性曲线
电流增益VS集电极电流
1000
VCE=5V
Tj=125℃
规格。编号: C855I3
发行日期: 2004年9月16日
修订日期:
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饱和电压与集电极电流
1000
VCE(SAT)@IC=10IB
100
Tj=75℃
Tj=25℃
饱和电压--- (MV )
电流增益HFE ---
100
Tj=125℃
Tj=75℃
Tj=25℃
10
1
10
100
1000
集电极电流IC --- (MA )
10000
10
10
100
1000
集电极电流IC --- (MA )
10000
饱和电压与集电极电流
1000
Tj=25℃
在电压随集电极电流
1000
Tj=25℃
饱和电压--- (MV )
Tj=125℃
Tj=75℃
对电压--- (MV )
Tj=125℃
Tj=75℃
VBE(SAT)@IC=10IB
VBE(ON)@VCE=5V
100
1
10
100
1000
10000
集电极电流IC --- (MA )
100
1
10
100
1000
10000
集电极电流IC --- (MA )
功率降额曲线
1.2
功耗--- PD ( W)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
50
100
150
200
环境温度--- TA ( ℃ )
BTD1857AI3
功率降额曲线
12
10
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
外壳温度--- TC ( ℃ )
CYStek产品规格
功耗--- PD ( W)
CYStech电子股份有限公司
TO- 251外形尺寸
规格。编号: C855I3
发行日期: 2004年9月16日
修订日期:
页页次: 4/4
A
B
C
D
标记:
D1857A
F
3
E
K
2
1
J
G
I
H
类型:Pin 1.Base 2.Collector 3.Emitter
3引脚TO- 251塑料包装
CYStek包装代码: I3
* :典型
暗淡
A
B
C
D
E
F
英寸
分钟。
马克斯。
0.0177
0.0217
0.0354
0.0591
0.0177
0.0236
0.0866
0.0945
0.2520
0.2677
0.2677
0.2835
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
0.45
0.55
0.90
1.50
0.45
0.60
2.20
2.40
6.40
6.80
6.80
7.20
暗淡
G
H
I
J
K
英寸
分钟。
马克斯。
0.2559
-
-
*0.1811
-
0.0354
-
0.0315
0.2047
0.2165
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
6.50
-
-
*4.60
-
0.90
-
0.80
5.20
5.50
注意事项:
1.Controlling尺寸:毫米。
2.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
3.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问,请联系您当地的CYStek销售办事处。
材质:
导语: 42合金;镀锡
模塑料:环氧树脂系列,可燃性固体燃烧等级: UL94V- 0
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不CYStek的事先书面批准。
CYStek保留随时修改其产品,恕不另行通知。
CYStek
半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
CYStek自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
BTD1857AI3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BTD1857AI3
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