CYStech电子股份有限公司
低VCESAT NPN外延平面晶体管
规格。编号： C820FP
发行日期： 2005年3月29日
修订日期： 2005年7月26日
页页次：四分之一
BTD1805FP
描述
该器件采用NPN平面技术通过使用“基地岛”的布局制造。由此产生的
晶体管显示再加上极低的饱和电压异常高增益性能。
特点
非常低的集电极 - 发射极饱和电压
开关速度快
高电流增益特性
大电流能力
无铅封装
应用
CCFL驱动程序
稳压器
继电器驱动器
高效率的低电压开关应用
符号
BTD1805FP
概要
TO-220FP
B：基本
C：收藏家
E：发射器
B权证
BTD1805FP
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压（I
E
=0)
集电极 - 发射极电压（I
B
=0)
发射极 - 基极电压（I
C
=0)
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
功率耗散@ T
A
=25℃
功率耗散@ T
C
=25℃
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
D
P
D
R
θJA
R
θJC
Tj
TSTG
规格。编号： C820FP
发行日期： 2005年3月29日
修订日期： 2005年7月26日
页页次： 2/4
范围
150
60
7
5
10
（注1 ）
2
2
40
62.5
3.125
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
A
W
° C / W
° C / W
°C
°C
注： 1。单脉冲私服≦ 380μs ，占空比≦ 2 ％ 。
特征
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
* BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE （ SAT ）
1
*V
CE （ SAT ）
2
*V
CE （ SAT ）
3
*V
CE （ SAT ）
4
*V
BE （ SAT ）
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
f
T
COB
t
on
t
英镑
t
f
分钟。
150
60
7
-
-
-
-
-
-
-
200
85
20
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
200
240
-
0.9
-
-
-
150
50
50
1.35
120
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
50
300
400
600
1.2
400
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
V
A
A
mV
mV
mV
mV
V
-
-
-
兆赫
pF
ns
s
ns
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
C
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 80V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
I
C
= 2A ，我
B
=50mA
I
C
= 3A ，我
B
=150mA
I
C
= 5A ，我
B
=200mA
I
C
= 2A ，我
B
=100mA
V
CE
= 2V ，我
C
=100mA
V
CE
= 2V ，我
C
=5A
V
CE
= 2V ，我
C
=10A
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 30V ，我
C
=10I
B
1=-10I
B
2=1A,
R
L
=30
Ω
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380s,
值班Cycle≤2 ％
BTD1805FP
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特性曲线
电流增益VS集电极电流
1000
1000
规格。编号： C820FP
发行日期： 2005年3月29日
修订日期： 2005年7月26日
页页次： 3月4日
饱和电压与集电极电流
VCE=2V
饱和电压--- （MV ）
电流增益HFE ---
100
VCESAT@IC=40IB
VCE=1V
VCESAT@IC=20IB
100
1
10
100
1000
10000
集电极电流IC --- （MA ）
10
1
10
100
1000
10000
集电极电流IC --- （MA ）
饱和电压与集电极电流
1000
1000
在电压随集电极电流
饱和电压--- （MV ）
VBESAT@IC=20IB
对电压--- （MV ）
VBEON@VCE=1V
100
1
10
100
1000
10000
集电极电流IC --- （MA ）
100
1
10
100
1000
10000
集电极电流IC --- （MA ）
功率降额曲线
2.5
功耗--- PD （ W）
2
1.5
1
0.5
0
0
50
100
150
200
环境温度--- TA （ ℃ ）
功率降额曲线
45
功耗--- PD （ W）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
50
100
150
200
案例Temeprature --- TC （ ℃ ）
BTD1805FP
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
TO- 220FP尺寸
标记：
规格。编号： C820FP
发行日期： 2005年3月29日
修订日期： 2005年7月26日
页页次： 4月4日
D1805
类型：Pin 1.Base 2.Collector 3.Emitter
4.Collector
3引脚TO- 220FP塑料包装
CYStek包装代码： FP
* ：典型
暗淡
A
A1
A2
A3
b
b1
b2
c
英寸
分钟。
马克斯。
0.169
0.185
0.051 REF
0.110
0.126
0.098
0.114
0.020
0.030
0.043
0.053
0.069
0.059
0.020
0.030
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
4.300
4.700
1.300 REF
2.800
3.200
2.500
2.900
0.500
0.750
1.100
1.350
1.750
1.500
0.500
0.750
暗淡
D
E
e
F
Φ
L
L1
L2
英寸
分钟。
马克斯。
0.408
0.392
0.583
0.598
0.100 TYP
0.106 REF
0.138 REF
1.102
1.118
0.067
0.075
0.075
0.083
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
10.360
9.960
14.800 15.200
2.540 TYP
2.700 REF
3.500 REF
28.000 28.400
1.700
1.900
1.900
2.100
注意事项：
1.Controlling尺寸：毫米。
2.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
3.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问，请联系您当地的CYStek销售办事处。
材质：
导语： 42合金;镀锡
模塑料：环氧树脂系列，可燃性固体燃烧等级： UL94V- 0
重要通知：
保留所有权利。严禁复制全部或部分不CYStek的事先书面批准。
CYStek保留随时修改其产品，恕不另行通知。
CYStek
半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
CYStek自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
BTD1805FP
CYStek产品规格
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