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CYStech电子股份有限公司
高频NPN开关晶体管
规格。编号: C229A3 -T
发行日期: 2004.08.06
修订日期:
页页次: 1/3
BTC752A3
描述
高转换频率f
T
=400MHz(typ)
大电流,我
C(最大值)
=200mA
低饱和电压,V
CE ( SAT )
=0.3V(max)
符号
BTC752A3
概要
TO-92
B:基本
C:收藏家
E:发射器
欧洲央行
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
功耗
热阻,结到环境
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
Pd
R
thJA
Tj
TSTG
范围
40
15
4.5
200
40
400
250
125
-55~+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
BTC752A3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
特征
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
1
*V
CE ( SAT )
2
*V
BE ( SAT )
1
*V
BE ( SAT )
2
*h
FE
1
*h
FE
2
f
T
COB
分钟。
40
15
4.5
-
-
-
-
700
-
40
20
200
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
400
4
马克斯。
-
-
-
100
100
250
300
850
1
120
-
-
6
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
mV
V
-
-
兆赫
pF
规格。编号: C229A3 -T
发行日期: 2004.08.06
修订日期:
页页次: 2/3
测试条件
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=40V
V
EB
=4.5V
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 20mA时,我
B
=1mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 20mA时,我
B
=1mA
V
CE
= 1V ,我
C
=10mA
V
CE
= 2V ,我
C
=100mA
V
CE
= 10V ,我
C
= 10毫安中,f = 100MHz的
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380s,
值班Cycle≤2 %
BTC752A3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
TO-92维
规格。编号: C229A3 -T
发行日期: 2004.08.06
修订日期:
页页次: 3/3
A
B
1
2
3
α
2
标记:
α
3
C752
C
D
H
I
E
F
G
α
1
类型:Pin 1.Emitter 2.Collector 3.Base
3引脚TO- 92塑料包装
CYStek包装代码: A3
* :典型
暗淡
A
B
C
D
E
F
英寸
分钟。
马克斯。
0.1704 0.1902
0.1704 0.1902
0.5000
-
0.0142 0.0220
-
*
0.0500
0.1323 0.1480
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
4.33
4.83
4.33
4.83
12.70
-
0.36
0.56
-
*
1.27
3.36
3.76
暗淡
G
H
I
α1
α2
α3
英寸
分钟。
马克斯。
0.0142 0.0220
-
*
0.1000
-
*
0.0500
-
*
-
*
-
*
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
0.36
0.56
-
*
2.54
-
*
1.27
-
*
-
*
-
*
注意事项:
1.Controlling尺寸:毫米。
2.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
3.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问,请联系您当地的CYStek销售办事处。
材质:
导语: 42合金;镀锡
模塑料:环氧树脂系列,可燃性固体燃烧等级: UL94V- 0
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不CYStek的事先书面批准。
CYStek保留随时修改其产品,恕不另行通知。
CYStek
半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
CYStek自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
BTC752A3
CYStek产品规格
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BTC752A3
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