BTA412Y B系列和C
12的三象限三端双向可控硅，绝缘，高换向，高
温度
牧师01 - 2007年10月3日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
钝化，新的一代，在高换向双向可控硅内部绝缘TO- 220
塑料包装
1.2产品特点
I
非常高的换向性能
I
隔离安装基座
I
高工作结温
I
抗干扰能力强的dV / dt
I
2500 V rms隔离电压
1.3应用
I
取暖和做饭用具
I
如大功率电机控制真空
清洁工
I
固态继电器
I
非线性整流器器馈电机的负载
I
电子恒温加热和
冷负荷
1.4快速参考数据
I
V
DRM
≤
600 V （ BTA412Y - 600B / C ）
I
V
DRM
≤
800 V （ BTA412Y - 800B / C ）
I
I
T（ RMS ）
≤
12 A
I
I
GT
≤
50毫安（ BTA412Y B系列）
I
I
GT
≤
35毫安（ BTA412Y C系列）
I
I
TSM
≤
140 A（ t为20毫秒）
恩智浦半导体
BTA412Y B系列和C
12 A 3象限三端双向可控硅，绝缘，高换向，高温
2.管脚信息
表1中。
针
1
2
3
mb
钉扎
描述
主终端1 （T1）的
主终端2 （T2）的
栅极（G ）
安装底座;孤立
mb
T2
sym051
简化的轮廓
符号
T1
G
1 2 3
SOT78D （TO- 220）
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BTA412Y-600B
BTA412Y-600C
BTA412Y-800B
BTA412Y-800C
TO-220
描述
VERSION
塑料单端封装;孤立的散热器安装; 1安装孔; SOT78D
3引脚TO- 220
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
条件
BTA412Y -600B ; BTA412Y -600C
BTA412Y -800B ; BTA412Y -800C
全正弦波;牛逼
mb
≤
116
°C;
SEE
图4
和
5
全正弦波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;看
图2
和
3
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
P
GM
I
2
吨融合
率通态电流上升
栅极峰值电流
峰值功率门
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
-
-
-
-
-
-
140
153
98
100
2
5
A
A
A
2
s
A / μs的
A
W
[1]
民
-
-
-
最大
600
800
12
单位
V
V
A
BTA412Y_SER_B_C_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
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2 12
恩智浦半导体
BTA412Y B系列和C
12 A 3象限三端双向可控硅，绝缘，高换向，高温
表3中。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
[1]
参数
平均功耗门
储存温度
结温
条件
在任何20毫秒期
民
-
40
-
最大
0.5
+150
150
单位
W
°C
°C
尽管不推荐，断开状态电压高达800V，可以在不损坏被应用，但双向可控硅可切换到导通状态。该
电流上升率应不大于15 A / μs的。
16
P
合计
(W)
12
传导
角
（度）
30
60
90
120
180
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
003aab810
α
= 180°
120°
90°
α
60°
30°
8
4
0
0
3
6
9
I
T（ RMS ）
(A)
12
α
=导通角
图1.总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
003aab811
160
I
TSM
(A)
120
80
I
T
I
TSM
t
1/f
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
40
0
1
10
10
2
周期的数目（n）的
10
3
F = 50赫兹
图2.非重复性峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
BTA412Y_SER_B_C_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
BTA412Y B系列和C
12 A 3象限三端双向可控硅，绝缘，高换向，高温
10
3
I
TSM
(A)
003aab812
(1)
10
2
I
T
I
TSM
t
t
p
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
p
(s)
10
-1
t
p
≤
20毫秒
（1）的dI
T
/ dt限制
图3.非重复性峰值通态电流的脉冲持续时间的函数;最大值
003aab813
003aab814
40
I
T（ RMS ）
(A)
30
15
I
T（ RMS ）
(A)
10
20
5
10
0
10
-2
10
-1
1
10
浪涌持续时间（ S）
0
-50
0
50
100
150
T
mb
(°C)
F = 50赫兹
T
mb
= 116
°C
图4. RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
图5. RMS通态电流为固定的函数
基础体温;最大值
BTA412Y_SER_B_C_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
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恩智浦半导体
BTA412Y B系列和C
12 A 3象限三端双向可控硅，绝缘，高换向，高温
5.热特性
表4 。
符号
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
条件
民
-
-
典型值
-
60
最大
2.1
-
单位
K / W
K / W
从结点到全周期的热阻;看
图6
安装底座
从结热阻在自由空气
环境
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
1
003aab815
10
1
P
10
2
t
p
t
10
3
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
10
图6.瞬态结点作为脉冲持续时间的函数热阻安装基座
6.隔离特性
表5 。
隔离限制值和特征
T
h
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
ISOL （ RMS ）
参数
条件
民
-
典型值
-
最大
2500
单位
V
所有三个终端RMS的隔离电压
外部散热器; F = 50Hz到
60赫兹;正弦波;
RH
≤
65 ％ ;清洁无尘
隔离电容
从引脚2到外部散热器;
F = 1 MHz的
C
ISOL
-
10
-
pF
BTA412Y_SER_B_C_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
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BTA412Y B系列和C
12的三象限三端双向可控硅，绝缘，高换向，高
温度
牧师02 - 2008年3月11日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
钝化，新的一代，在高换向双向可控硅内部绝缘TO- 220
塑料封装。
1.2产品特点
I
非常高的换向性能
I
隔离安装基座
I
高工作结温
I
抗干扰能力强的dV / dt
I
2500 V rms隔离电压
1.3应用
I
取暖和做饭用具
I
如大功率电机控制真空
清洁工
I
固态继电器
I
非线性整流器器馈电机的负载
I
电子恒温加热和
冷负荷
1.4快速参考数据
I
V
DRM
≤
600 V （ BTA412Y - 600B / C ）
I
V
DRM
≤
800 V （ BTA412Y - 800B / C ）
I
I
T（ RMS ）
≤
12 A
I
I
GT
≤
50毫安（ BTA412Y B系列）
I
I
GT
≤
35毫安（ BTA412Y C系列）
I
I
TSM
≤
140 A（ t为20毫秒）
恩智浦半导体
BTA412Y B系列和C
12 A 3象限三端双向可控硅，绝缘，高换向，高温
2.管脚信息
表1中。
针
1
2
3
mb
钉扎
描述
主终端1 （T1）的
主终端2 （T2）的
栅极（G ）
安装底座;孤立
mb
T2
sym051
简化的轮廓
图形符号
T1
G
1 2 3
SOT78D （TO- 220）
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BTA412Y-600B
BTA412Y-600C
BTA412Y-800B
BTA412Y-800C
TO-220
描述
VERSION
塑料单端封装;孤立的散热器安装; 1安装孔; SOT78D
3引脚TO- 220
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
条件
BTA412Y -600B ; BTA412Y -600C
BTA412Y -800B ; BTA412Y -800C
全正弦波;牛逼
mb
≤
116
°C;
SEE
图4
和
5
全正弦波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;看
图2
和
3
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
P
GM
I
2
吨融合
率通态电流上升
栅极峰值电流
峰值功率门
t
p
= 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
-
-
-
-
-
-
140
153
98
100
4
5
A
A
A
2
s
A / μs的
A
W
[1]
民
-
-
-
最大
600
800
12
单位
V
V
A
BTA412Y_SER_B_C_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年3月11日
2 12
恩智浦半导体
BTA412Y B系列和C
12 A 3象限三端双向可控硅，绝缘，高换向，高温
表3中。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
[1]
参数
平均功耗门
储存温度
结温
条件
在任何20毫秒期
民
-
40
-
最大
1
+150
150
单位
W
°C
°C
尽管不推荐，断开状态电压高达800V，可以在不损坏被应用，但双向可控硅可切换到导通状态。该
电流上升率应不大于15 A / μs的。
16
P
合计
(W)
12
传导
角
（度）
30
60
90
120
180
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
003aab810
α
= 180°
120°
90°
α
60°
30°
8
4
0
0
3
6
9
I
T（ RMS ）
(A)
12
α
=导通角
图1 。
总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
003aab811
160
I
TSM
(A)
120
80
I
T
I
TSM
t
1/f
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
40
0
1
10
10
2
周期的数目（n）的
10
3
F = 50赫兹
图2 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
BTA412Y_SER_B_C_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年3月11日
3 12
恩智浦半导体
BTA412Y B系列和C
12 A 3象限三端双向可控硅，绝缘，高换向，高温
10
3
I
TSM
(A)
003aab812
(1)
10
2
I
T
I
TSM
t
t
p
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
p
(s)
10
-1
t
p
≤
20毫秒
（1）的dI
T
/ dt限制
图3 。
非重复性峰值通态电流的脉冲持续时间的函数;最大值
003aab813
003aab814
40
I
T（ RMS ）
(A)
30
15
I
T（ RMS ）
(A)
10
20
5
10
0
10
-2
10
-1
1
10
浪涌持续时间（ S）
0
-50
0
50
100
150
T
mb
(°C)
F = 50赫兹
T
mb
= 116
°C
图4 。
RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
图5 。
RMS通态电流的函数
安装基座的温度;最大值
BTA412Y_SER_B_C_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
BTA412Y B系列和C
12 A 3象限三端双向可控硅，绝缘，高换向，高温
5.热特性
表4 。
符号
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
条件
民
-
-
典型值
-
60
最大
2.1
-
单位
K / W
K / W
从结点到全周期的热阻;看
图6
安装底座
从结热阻在自由空气
环境
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
1
003aab815
10
1
P
10
2
t
p
t
10
3
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
10
图6 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
6.隔离特性
表5 。
隔离限制值和特征
T
h
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
ISOL （ RMS ）
参数
条件
民
-
典型值
-
最大
2500
单位
V
所有三个终端RMS的隔离电压
外部散热器; F = 50Hz到
60赫兹;正弦波;
RH
≤
65 ％ ;清洁无尘
隔离电容
从引脚2到外部散热器;
F = 1 MHz的
C
ISOL
-
10
-
pF
BTA412Y_SER_B_C_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年3月11日
5 12
QQ：2880707522 复制
