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BTA312B系列D和E
12三象限三端双向可控硅整流高
版本01 - 2007年4月26日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
钝化，新的一代，在SOT404塑料高换向可控硅单端
表面贴装封装
1.2产品特点
I
敏感栅
I
非常高的换向性能
最大化在每个门的灵敏度
I
抗干扰能力强的dV / dt
1.3应用
I
高功率电机控制 - 例如洗涤
I
制冷和空调
机，吸尘器
压缩机
I
电子温控器
1.4快速参考数据
I
I
I
I
V
DRM
≤
600 V （ BTA312B - 600D ）
V
DRM
≤
600 V （ BTA312B - 600E ）
V
DRM
≤
800 V （ BTA312B - 800E ）
I
TSM
≤
95 A（ t为20毫秒）
I
I
I
I
I
GT
≤
5毫安（ BTA312B - 600D ）
I
GT
≤
10毫安（ BTA312B - 600E ）
I
GT
≤
10毫安（ BTA312B - 800E ）
I
T（ RMS ）
≤
12 A
2.管脚信息
表1中。
针
1
2
3
mb
钉扎
描述
主终端1 （T1）的
主终端2 （T2）的
栅极（G ）
安装底座;主终端2 （T2）的
2
1
3
mb
T2
sym051
简化的轮廓
符号
T1
G
SOT404 （ D2PAK ）
恩智浦半导体
BTA312B系列D和E
12三象限三端双向可控硅整流高
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BTA312B-600D
BTA312B-600E
BTA312B-800E
D2PAK
描述
VERSION
塑料单端表面安装封装（ D2PAK ） ; 3引线（ 1铅SOT404
裁剪）
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
条件
BTA312B - 600D ; BTA312B - 600E
BTA312B-800E
全正弦波;牛逼
mb
≤
101
°C;
SEE
图4
和
5
全正弦波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;看
图2
和
3
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
[1]
[1]
民
-
-
-
最大
600
800
12
单位
V
V
A
-
-
-
-
-
-
95
105
45
100
2
5
0.5
+150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
W
W
°C
°C
I
2
吨融合
率通态电流上升
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
在任何20毫秒期
-
40
-
尽管不推荐，断开状态电压高达800V，可以在不损坏被应用，但双向可控硅可切换到导通状态。该
电流上升率应不大于15 A / μs的。
BTA312B_SER_D_E_1
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产品数据表
版本01 - 2007年4月26日
2 12
恩智浦半导体
BTA312B系列D和E
12三象限三端双向可控硅整流高
16
P
合计
(W)
12
003aab690
传导
角
（度）
30
60
90
120
180
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
α
= 180°
120°
α
90°
60°
30°
8
4
0
0
3
6
9
I
T（ RMS ）
(A)
12
α
=导通角
图1.总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
003aab680
100
I
TSM
(A)
80
60
40
I
T
I
TSM
t
1/f
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
20
0
1
10
10
2
周期的数目（n）的
10
3
F = 50赫兹
图2.非重复性峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
BTA312B_SER_D_E_1
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3 12
恩智浦半导体
BTA312B系列D和E
12三象限三端双向可控硅整流高
10
3
I
TSM
(A)
(1)
003aab691
10
2
I
T
I
TSM
t
t
p
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
p
(s)
10
-1
t
p
≤
20毫秒
（1）的dI
T
/ dt限制
图3.非重复性峰值通态电流的脉冲持续时间的函数;最大值
003aab687
003aab686
50
I
T（ RMS ）
(A)
40
15
I
T（ RMS ）
(A)
10
30
20
5
10
0
10
-2
10
-1
1
10
浪涌持续时间（ S）
0
-50
0
50
100
150
T
mb
(°C)
F = 50赫兹
T
mb
= 101
°C
图4. RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
图5. RMS通态电流为固定的函数
基础体温;最大值
BTA312B_SER_D_E_1
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恩智浦半导体
BTA312B系列D和E
12三象限三端双向可控硅整流高
5.热特性
表4 。
符号
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
条件
民
-
-
-
典型值
-
-
55
最大
2.0
1.5
-
单位
K / W
K / W
K / W
从结点到半周期的热阻;看
图6
安装底座
全周期;看
图6
从结点到安装在印刷热敏电阻
环境
电路板;最低限度
脚印
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
1
(1)
003aab775
10
1
(2)
P
10
2
t
p
t
10
3
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
10
（1）单向（半循环）
（ 2 ）双向（全循环）
图6.瞬态结点作为脉冲持续时间的函数热阻安装基座
BTA312B_SER_D_E_1
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5 12
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B82141+1182K000
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