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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第35页 > BTA225B-600B
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
概述
玻璃钝化整流高
在一个塑料端双向可控硅开关的包络适于
表面安装时，用于在使用中
电路中的高静态和动态
的dV / dt和dI / dt高可能发生。这些
设备将整流全额定
RMS电流在额定的最大
结温度，无需借助于
一个缓冲。
BTA225B系列B
快速参考数据
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
BTA225B-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500B
500
25
180
600B
600
25
180
800B
800
25
180
V
A
A
钉扎 - SOT404
针
1
2
3
mb
描述
主终端1
主终端2
门
主终端2
引脚配置
mb
符号
T2
2
1
3
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号参数
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
91 C
全正弦波;
T
j
= 25℃至暴涨前
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 30 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
25
-800
800
单位
V
A
-
-
-
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
190
209
180
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒期
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1997年9月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
BTA225B系列B
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
55
马克斯。
1.0
1.4
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
最小的足迹， FR4板
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
2
条件
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
分钟。
2
2
2
-
-
-
-
-
-
0.25
-
典型值。
18
21
34
31
34
30
31
1.2
0.7
0.4
0.1
马克斯。
50
50
50
60
90
60
60
1.55
1.5
-
0.5
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
L
闭锁电流
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 30 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;牛逼
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125 C
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
dI
COM
/ DT
t
gt
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
换向电流
门控开启
时间
条件
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125 C;
指数波形;门开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 125 ℃;我
T（ RMS ）
= 25 A;
无缓冲;门开路
I
TM
= 30 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; I
G
= 0.1 A;
dI
G
/ DT = 5 A / μs的
分钟。
1000
-
-
典型值。
4000
44
2
马克斯。
-
-
-
单位
V / μs的
A / MS
s
2
设备不会在T2- ， G +象限触发。
1997年9月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
BTA225B系列B
40
P合计/ W
BTA140
TMB （最大值） / C
85
30
25
IT （ RMS ） / A
BTA140
91 C
= 180
30
1
120
90
60
95
20
105
20
30
15
10
10
115
5
0
125
30
0
5
10
15
IT （ RMS ） / A
20
25
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与有效值
通态电流I
T（ RMS ）
，其中，
α
=导通角。
ITSM / A
BTA225
图4 。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与安装基座温度T
mb
.
IT （ RMS ） / A
BTA140
1000
50
40
dI
T
/ dt限制
100
30
20
IT
T
10
10us
我TSM
时间
10
TJ初始= 25℃最高
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
20ms.
ITSM / A
BTA140
IT
150
T
ITSM
时间
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
mb
≤
91C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
200
1.6
1.4
1.2
1
0.8
BT136
TJ初始= 25℃最高
100
50
0.6
0
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0.4
-50
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
1997年9月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
BTA225B系列B
3
2.5
2
1.5
1
IGT （ TJ ）
IGT （ 25℃ ）
BTA216
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
80
70
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
BTA140
60
VO = 1.073 V
卢比= 0.015欧姆
典型值
最大
50
40
30
20
0.5
0
-50
10
0
50
TJ / C
100
150
0
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
白细胞介素（ TJ ）
IL （ 25℃ ）
图10 。典型和最大通态特性。
3
2.5
2
1.5
1
TRIAC
10
第i个J- MB （K / W）
BTA140
1
单向
双向
0.1
P
D
tp
0.01
0.5
0
-50
0.001
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1s
1s
t
0
50
TJ / C
100
150
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH（ TJ）
IH(25C)
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- MB
，与
脉冲宽度t
p
.
3
2.5
2
1.5
1
0.5
TRIAC
1000
DICOM / DT （ A / MS ）
BTA225
100
10
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
1
20
40
60
80
TJ / C
100
120
140
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。整流变化的典型，爆击率
电流Di
COM
/ DT与结温。
1997年9月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
机械数据
尺寸（mm）
净重： 1.4克
10.3最大
4.5最大
1.4最大
BTA225B系列B
11最大
15.4
2.5
0.85最大
(x2)
2.54 (x2)
0.5
图13 。 SOT404 ：中心引脚连接到安装基座。
笔记
1.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
安装说明
尺寸（mm）
11.5
9.0
17.5
2.0
3.8
5.08
图14 。 SOT404 ：最小焊盘尺寸的表面安装。
笔记
1.塑料符合UL94 V0以1/ 8英寸;.
1997年9月
5
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
概述
玻璃钝化整流高
在一个塑料端双向可控硅开关的包络适于
表面安装时，用于在使用中
电路中的高静态和动态
的dV / dt和dI / dt高可能发生。这些
设备将整流全额定
RMS电流在额定的最大
结温度，无需借助于
一个缓冲。
BTA225B系列B
快速参考数据
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
BTA225B-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500B
500
25
180
600B
600
25
180
800B
800
25
180
V
A
A
钉扎 - SOT404
针
1
2
3
mb
描述
主终端1
主终端2
门
主终端2
引脚配置
mb
符号
T2
2
1
3
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号参数
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
91 C
全正弦波;
T
j
= 25℃至暴涨前
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 30 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
25
-800
800
单位
V
A
-
-
-
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
190
209
180
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒期
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1997年9月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
BTA225B系列B
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
55
马克斯。
1.0
1.4
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
最小的足迹， FR4板
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
2
条件
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
分钟。
2
2
2
-
-
-
-
-
-
0.25
-
典型值。
18
21
34
31
34
30
31
1.2
0.7
0.4
0.1
马克斯。
50
50
50
60
90
60
60
1.55
1.5
-
0.5
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
L
闭锁电流
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 30 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;牛逼
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125 C
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
dI
COM
/ DT
t
gt
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
换向电流
门控开启
时间
条件
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125 C;
指数波形;门开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 125 ℃;我
T（ RMS ）
= 25 A;
无缓冲;门开路
I
TM
= 30 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; I
G
= 0.1 A;
dI
G
/ DT = 5 A / μs的
分钟。
1000
-
-
典型值。
4000
44
2
马克斯。
-
-
-
单位
V / μs的
A / MS
s
2
设备不会在T2- ， G +象限触发。
1997年9月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
BTA225B系列B
40
P合计/ W
BTA140
TMB （最大值） / C
85
30
25
IT （ RMS ） / A
BTA140
91 C
= 180
30
1
120
90
60
95
20
105
20
30
15
10
10
115
5
0
125
30
0
5
10
15
IT （ RMS ） / A
20
25
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与有效值
通态电流I
T（ RMS ）
，其中，
α
=导通角。
ITSM / A
BTA225
图4 。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与安装基座温度T
mb
.
IT （ RMS ） / A
BTA140
1000
50
40
dI
T
/ dt限制
100
30
20
IT
T
10
10us
我TSM
时间
10
TJ初始= 25℃最高
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
20ms.
ITSM / A
BTA140
IT
150
T
ITSM
时间
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
mb
≤
91C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
200
1.6
1.4
1.2
1
0.8
BT136
TJ初始= 25℃最高
100
50
0.6
0
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0.4
-50
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
1997年9月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
BTA225B系列B
3
2.5
2
1.5
1
IGT （ TJ ）
IGT （ 25℃ ）
BTA216
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
80
70
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
BTA140
60
VO = 1.073 V
卢比= 0.015欧姆
典型值
最大
50
40
30
20
0.5
0
-50
10
0
50
TJ / C
100
150
0
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
白细胞介素（ TJ ）
IL （ 25℃ ）
图10 。典型和最大通态特性。
3
2.5
2
1.5
1
TRIAC
10
第i个J- MB （K / W）
BTA140
1
单向
双向
0.1
P
D
tp
0.01
0.5
0
-50
0.001
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1s
1s
t
0
50
TJ / C
100
150
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH（ TJ）
IH(25C)
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- MB
，与
脉冲宽度t
p
.
3
2.5
2
1.5
1
0.5
TRIAC
1000
DICOM / DT （ A / MS ）
BTA225
100
10
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
1
20
40
60
80
TJ / C
100
120
140
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。整流变化的典型，爆击率
电流Di
COM
/ DT与结温。
1997年9月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
机械数据
尺寸（mm）
净重： 1.4克
10.3最大
4.5最大
1.4最大
BTA225B系列B
11最大
15.4
2.5
0.85最大
(x2)
2.54 (x2)
0.5
图13 。 SOT404 ：中心引脚连接到安装基座。
笔记
1.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
安装说明
尺寸（mm）
11.5
9.0
17.5
2.0
3.8
5.08
图14 。 SOT404 ：最小焊盘尺寸的表面安装。
笔记
1.塑料符合UL94 V0以1/ 8英寸;.
1997年9月
5
启1.100
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