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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第459页 > BTA216-800F
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
快速参考数据
符号
参数
BTA216系列D，E和F
钝化保证减刑
在一个塑料外壳可控硅用于
在电机控制电路或与其它使用
高电感负载。这些设备
换向平衡的要求
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic level"
D系列旨在与接口
低功耗的驱动程序，包括微
控制器。
马克斯。
600D
600E
600F
600
16
140
马克斯。
-
800E
800F
800
16
140
单位
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
BTA216-
BTA216-
BTA216-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
99 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-600
600
1
16
马克斯。
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
140
150
98
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
2000年2月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
BTA216系列D，E和F
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
60
马克斯。
1.2
1.7
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
2
条件
BTA216-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 20 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 125 C
分钟。
典型值。
...D
马克斯。
...E
10
10
10
25
30
30
25
1.5
1.5
-
0.5
...F
25
25
25
30
40
40
30
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
1.3
2.6
3.4
10.2
11.3
19.3
8
1.2
0.7
0.4
0.1
5
5
5
15
25
25
15
... D， E，F
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
L
闭锁电流
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
换向电流
变化率的关键
换向电流
条件
BTA216-
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 110℃ ;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T（ RMS ）
= 16 A;
dV
COM
/ DT = 20V / μs的;门
开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T（ RMS ）
= 16 A;
dV
COM
/ DT = 0.1V / μs的;门
开路
...D
30
分钟。
...E
60
...F
70
典型值。
...D
65
-
V / μs的
马克斯。
单位
dI
COM
/ DT
2.5
4.7
9.5
7.5
-
A / MS
dI
COM
/ DT
12
40
50
100
-
A / MS
... D， E，F
t
gt
门控开启
时间
I
TM
= 20 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
-
-
-
2
-
s
2
设备不会在T2- ， G +象限触发。
2000年2月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
BTA216系列D，E和F
25
P合计/ W
TMB （最大值） / C
= 180
95
20
IT （ RMS ） / A
BT139
20
1
120
90
101
99 C
15
15
60
30
107
10
113
10
5
119
5
0
0
5
10
IT （ RMS ） / A
15
125
20
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与有效值
通态电流I
T（ RMS ）
，其中，
α
=导通角。
ITSM / A
图4 。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与安装基座温度T
mb
.
IT （ RMS ） / A
1000
50
40
dI
T
/ dt限制
100
30
20
IT
T
10
10us
我TSM
时间
10
TJ初始= 25℃最高
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
20ms.
ITSM / A
IT
T
100
ITSM
时间
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
mb
≤
99C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
150
1.6
1.4
1.2
1
TJ初始= 25℃最高
50
0.8
0.6
0
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0.4
-50
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
2000年2月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
BTA216系列D，E和F
IGT （ TJ ）
IGT(25°C)
3
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
50
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
BT139
2.5
40
典型值
VO = 1.195 V
卢比= 0.018欧姆
最大
2
30
1.5
20
1
0.5
10
0
-50
0
0
TJ /°C的
50
100
150
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
白细胞介素（ TJ ）
IL （ 25℃ ）
图10 。典型和最大通态特性。
10
第i个J- MB （K / W）
3
2.5
2
1.5
1
1
单向
双向
0.1
P
D
tp
0.01
0.5
0
-50
0.001
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1s
1s
t
0
50
TJ / C
100
150
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH（ TJ）
IH(25C)
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- MB
，与
脉冲宽度t
p
.
DICOM / DT （ A / MS ）
100
F型
E键入
D型
3
2.5
2
10
1.5
1
0.5
0
-50
1
0
50
TJ / C
100
150
20
40
60
80
TJ /°C的
100
120
140
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。变化最小，爆击率
换向电流Di
COM
/ DT与结
温度，DV
COM
/ DT = 20V / μs的。
2000年2月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
BTA216系列D，E和F
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图13 。 SOT78 （ TO220AB ） 。 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装说明SOT78 （ TO220 ）信封。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
2000年2月
5
启1.000
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
快速参考数据
符号
参数
BTA216系列D，E和F
钝化保证减刑
在一个塑料外壳可控硅用于
在电机控制电路或与其它使用
高电感负载。这些设备
换向平衡的要求
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic level"
D系列旨在与接口
低功耗的驱动程序，包括微
控制器。
马克斯。
600D
600E
600F
600
16
140
马克斯。
-
800E
800F
800
16
140
单位
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
BTA216-
BTA216-
BTA216-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
99 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-600
600
1
16
马克斯。
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
140
150
98
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1999年10月
1
启1.100
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
BTA216系列D，E和F
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
60
马克斯。
1.2
1.7
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
2
条件
BTA216-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 20 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 125 C
分钟。
典型值。
...D
马克斯。
...E
10
10
10
20
30
30
25
1.5
1.5
-
0.5
...F
25
25
25
25
40
40
30
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
0.7
0.4
0.1
5
5
5
15
25
25
15
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
L
闭锁电流
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
换向电流
条件
BTA216-
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 110℃ ;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T（ RMS ）
= 16 A;
dV
COM
/ DT = 20V / μs的;门
开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T（ RMS ）
= 16 A;
dV
COM
/ DT = 0.1V / μs的;门
开路
I
TM
= 20 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
...D
30
分钟。
...E
60
...F
70
-
-
V / μs的
典型值。
马克斯。
单位
dI
COM
/ DT
1.8
3.5
4.5
-
-
A / MS
dI
COM
/ DT
变化率的关键
换向电流
4.3
5.3
6.3
-
-
A / MS
t
gt
门控开启
时间
-
-
-
2
-
s
2
设备不会在T2- ， G +象限触发。
1999年10月
2
启1.100
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
BTA216系列D，E和F
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图1 。 SOT78 （ TO220AB ） 。 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装说明SOT78 （ TO220 ）信封。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1999年10月
3
启1.100
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
BTA216系列D，E和F
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
限制值以符合绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。应力大于1
以上的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点，部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
飞利浦电子N.V. 1999
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息，它被认为是
准确和可靠的，没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示（或暗示）专利或其他任何许可
工业或知识产权。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1999年10月
4
启1.100
WWW.ALLDATASHEET.COM
版权所有每个制造公司。
所有的数据表不能擅自修改。
该数据表已经从下载：
WWW.ALLDATASHEET.COM
100 ％免费的搜索datasheet的网站。
免费下载。
没有注册。
快速检索系统。
WWW.ALLDATASHEET.COM
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
快速参考数据
符号
参数
BTA216系列D，E和F
钝化保证减刑
在一个塑料外壳可控硅用于
在电机控制电路或与其它使用
高电感负载。这些设备
换向平衡的要求
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic level"
D系列旨在与接口
低功耗的驱动程序，包括微
控制器。
马克斯。
600D
600E
600F
600
16
140
马克斯。
-
800E
800F
800
16
140
单位
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
BTA216-
BTA216-
BTA216-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
99 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-600
600
1
16
马克斯。
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
140
150
98
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1999年10月
1
启1.100
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
BTA216系列D，E和F
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
60
马克斯。
1.2
1.7
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
2
条件
BTA216-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 20 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 125 C
分钟。
典型值。
...D
马克斯。
...E
10
10
10
20
30
30
25
1.5
1.5
-
0.5
...F
25
25
25
25
40
40
30
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
0.7
0.4
0.1
5
5
5
15
25
25
15
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
L
闭锁电流
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
换向电流
条件
BTA216-
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 110℃ ;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T（ RMS ）
= 16 A;
dV
COM
/ DT = 20V / μs的;门
开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T（ RMS ）
= 16 A;
dV
COM
/ DT = 0.1V / μs的;门
开路
I
TM
= 20 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
...D
30
分钟。
...E
60
...F
70
-
-
V / μs的
典型值。
马克斯。
单位
dI
COM
/ DT
1.8
3.5
4.5
-
-
A / MS
dI
COM
/ DT
变化率的关键
换向电流
4.3
5.3
6.3
-
-
A / MS
t
gt
门控开启
时间
-
-
-
2
-
s
2
设备不会在T2- ， G +象限触发。
1999年10月
2
启1.100
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
BTA216系列D，E和F
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图1 。 SOT78 （ TO220AB ） 。 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装说明SOT78 （ TO220 ）信封。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1999年10月
3
启1.100
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
BTA216系列D，E和F
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
限制值以符合绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。应力大于1
以上的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点，部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
飞利浦电子N.V. 1999
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息，它被认为是
准确和可靠的，没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示（或暗示）专利或其他任何许可
工业或知识产权。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1999年10月
4
启1.100
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
快速参考数据
符号
参数
BTA216系列D，E和F
钝化保证减刑
在一个塑料外壳可控硅用于
在电机控制电路或与其它使用
高电感负载。这些设备
换向平衡的要求
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic level"
D系列旨在与接口
低功耗的驱动程序，包括微
控制器。
马克斯。
600D
600E
600F
600
16
140
马克斯。
-
800E
800F
800
16
140
单位
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
BTA216-
BTA216-
BTA216-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
99 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-600
600
1
16
马克斯。
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
140
150
98
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1999年10月
1
启1.100
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
BTA216系列D，E和F
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
60
马克斯。
1.2
1.7
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
2
条件
BTA216-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 20 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 125 C
分钟。
典型值。
...D
马克斯。
...E
10
10
10
20
30
30
25
1.5
1.5
-
0.5
...F
25
25
25
25
40
40
30
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
0.7
0.4
0.1
5
5
5
15
25
25
15
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
L
闭锁电流
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
换向电流
条件
BTA216-
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 110℃ ;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T（ RMS ）
= 16 A;
dV
COM
/ DT = 20V / μs的;门
开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T（ RMS ）
= 16 A;
dV
COM
/ DT = 0.1V / μs的;门
开路
I
TM
= 20 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
...D
30
分钟。
...E
60
...F
70
-
-
V / μs的
典型值。
马克斯。
单位
dI
COM
/ DT
1.8
3.5
4.5
-
-
A / MS
dI
COM
/ DT
变化率的关键
换向电流
4.3
5.3
6.3
-
-
A / MS
t
gt
门控开启
时间
-
-
-
2
-
s
2
设备不会在T2- ， G +象限触发。
1999年10月
2
启1.100
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
BTA216系列D，E和F
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图1 。 SOT78 （ TO220AB ） 。 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装说明SOT78 （ TO220 ）信封。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1999年10月
3
启1.100
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
BTA216系列D，E和F
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
限制值以符合绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。应力大于1
以上的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点，部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
飞利浦电子N.V. 1999
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息，它被认为是
准确和可靠的，没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示（或暗示）专利或其他任何许可
工业或知识产权。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1999年10月
4
启1.100
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
快速参考数据
符号
参数
BTA216系列D，E和F
钝化保证减刑
在一个塑料外壳可控硅用于
在电机控制电路或与其它使用
高电感负载。这些设备
换向平衡的要求
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic level"
D系列旨在与接口
低功耗的驱动程序，包括微
控制器。
马克斯。
600D
600E
600F
600
16
140
马克斯。
-
800E
800F
800
16
140
单位
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
BTA216-
BTA216-
BTA216-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
99 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-600
600
1
16
马克斯。
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
140
150
98
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1999年10月
1
启1.100
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
BTA216系列D，E和F
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
60
马克斯。
1.2
1.7
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
2
条件
BTA216-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 20 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 125 C
分钟。
典型值。
...D
马克斯。
...E
10
10
10
20
30
30
25
1.5
1.5
-
0.5
...F
25
25
25
25
40
40
30
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
0.7
0.4
0.1
5
5
5
15
25
25
15
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
L
闭锁电流
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
换向电流
条件
BTA216-
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 110℃ ;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T（ RMS ）
= 16 A;
dV
COM
/ DT = 20V / μs的;门
开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T（ RMS ）
= 16 A;
dV
COM
/ DT = 0.1V / μs的;门
开路
I
TM
= 20 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
...D
30
分钟。
...E
60
...F
70
-
-
V / μs的
典型值。
马克斯。
单位
dI
COM
/ DT
1.8
3.5
4.5
-
-
A / MS
dI
COM
/ DT
变化率的关键
换向电流
4.3
5.3
6.3
-
-
A / MS
t
gt
门控开启
时间
-
-
-
2
-
s
2
设备不会在T2- ， G +象限触发。
1999年10月
2
启1.100
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
BTA216系列D，E和F
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图1 。 SOT78 （ TO220AB ） 。 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装说明SOT78 （ TO220 ）信封。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1999年10月
3
启1.100
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
BTA216系列D，E和F
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
限制值以符合绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。应力大于1
以上的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点，部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
飞利浦电子N.V. 1999
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息，它被认为是
准确和可靠的，没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示（或暗示）专利或其他任何许可
工业或知识产权。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1999年10月
4
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