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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第552页 > BTA212X-800F
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
钝化保证减刑
在一个完整的包三端双向可控硅，塑料封套
用于在电机控制电路中使用
或与其它高电感负载。
这些
器件
平衡
该
需求
of
换相
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic level"
D系列旨在与接口
低功耗的驱动程序，包括微
控制器。
BTA212X系列D，E和F
快速参考数据
符号
参数
BTA212X-
BTA212X-
BTA212X-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
马克斯。
600D
600E
600F
600
12
95
马克斯。
-
800E
800F
800
12
95
单位
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
V
A
A
钉扎 - SOT186A
针
1
2
3
描述
主终端1
引脚配置
例
符号
T2
主终端2
门
1 2 3
T1
孤立的情况下，
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
hs
≤
56 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-600
600
1
12
马克斯。
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
95
105
45
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
2000年2月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
均方根所有隔离电压
三个端子的外部
散热器
条件
BTA212X系列D，E和F
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
2500
单位
V
F = 50-60赫兹;正弦
波形;
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
10
-
pF
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
热阻
结到散热器
热阻
结到环境
条件
全额或半周期
与复合散热器
无散热化合物
在自由空气
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
55
马克斯。
4.0
5.5
-
单位
K / W
K / W
K / W
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
2
条件
BTA212X-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 17 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 125 C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
分钟。
典型值。
...D
1.0
2.2
3.3
6
6
9
3.8
1.3
0.7
0.4
0.1
...D
5
5
5
15
25
25
15
... D， E，F
V
T
V
GT
I
D
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
1.6
1.5
-
0.5
V
V
V
mA
马克斯。
...E
10
10
10
25
30
30
25
...F
25
25
25
30
40
40
30
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
单位
I
L
闭锁电流
I
H
保持电流
2
设备不会在T2- ， G +象限触发。
2000年2月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
换向电流
变化率的关键
换向电流
条件
BTA212X-
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 110℃ ;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T（ RMS ）
= 12 A;
dV
COM
/ DT = 20V / μs的;门
开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T（ RMS ）
= 12 A;
dV
COM
/ DT = 0.1V / μs的;门
开路
...D
20
BTA212X系列D，E和F
分钟。
...E
60
...F
70
典型值。
...D
30
马克斯。
-
单位
V / μs的
dI
COM
/ DT
1.8
3.5
5
3
-
A / MS
dI
COM
/ DT
5
16
19
100
-
A / MS
... D， E，F
t
gt
门控开启
时间
I
TM
= 12 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
-
-
-
2
-
s
2000年2月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
BTA212X系列D，E和F
20
P合计/ W
三（最大值） / C
= 180
45
15
IT （ RMS ） / A
BT138X
56 C
65
15
1
120
90
60
10
85
10
30
5
5
105
0
0
5
IT （ RMS ） / A
10
125
15
0
-50
0
50
部份效果/ C
100
150
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与有效值
通态电流I
T（ RMS ）
，其中，
α
=导通角。
ITSM / A
图4 。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与散热器温度T
hs
.
IT （ RMS ） / A
1000
25
20
dI
T
/ dt限制
100
15
10
IT
T
10
10us
我TSM
时间
5
TJ初始= 25℃最高
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
20ms.
ITSM / A
IT
80
T
ITSM
时间
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
hs
≤
56C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
100
1.6
1.4
1.2
1
TJ初始= 25℃最高
60
40
0.8
20
0.6
0.4
-50
0
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
2000年2月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
BTA212X系列D，E和F
IGT （ TJ ）
IGT(25°C)
3
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
40
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
典型值
最大
2.5
30
VO = 1.175 V
卢比= 0.0316欧姆
2
1.5
20
1
10
0.5
0
-50
0
0
TJ /°C的
50
100
150
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
白细胞介素（ TJ ）
IL （ 25℃ ）
图10 。典型和最大通态特性。
10
第i个J- HS （K / W）
与复合散热器
无散热化合物
3
2.5
2
1.5
1
1
单向
0.1
P
D
tp
双向
0.01
0.5
0
-50
0.001
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1s
1s
t
0
50
TJ / C
100
150
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH（ TJ）
IH(25C)
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- HS
，与
脉冲宽度t
p
.
DICOM / DT （ A / MS ）
100
F型
E键入
D型
3
2.5
2
10
1.5
1
0.5
0
-50
1
0
50
TJ / C
100
150
20
40
60
80
TJ /°C的
100
120
140
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。变化最小典型爆击率
换向电流Di
COM
/ DT与结
温度，DV
COM
/ DT = 20V / μs的。
2000年2月
5
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