飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
钝化保证减刑
在一个塑料端双向可控硅开关的包络适于
表面贴装设计用于使用
电机控制电路或与其它高度
感性负载。这些设备的平衡
换流的要求
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic level"
D系列旨在与接口
低功耗的驱动程序，包括微
控制器。
BTA212B系列D，E和F
快速参考数据
符号
参数
BTA212B-
BTA212B-
BTA212B-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
马克斯。
600D
600E
600F
600
12
95
马克斯。
-
800E
800F
800
12
95
单位
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
V
A
A
钉扎 - SOT404
针
1
2
3
mb
描述
主终端1
主终端2
门
主终端2
引脚配置
mb
符号
T2
2
1
3
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
99 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-600
600
1
12
马克斯。
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
95
105
45
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
2000年2月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
机械数据
尺寸（mm）
净重： 1.4克
10.3最大
BTA212B系列D，E和F
4.5最大
1.4最大
11最大
15.4
2.5
0.85最大
(x2)
2.54 (x2)
0.5
图13 。 SOT404 ：中心引脚连接到安装基座。
安装说明
尺寸（mm）
11.5
9.0
17.5
2.0
3.8
5.08
图14 。 SOT404 ：最小焊盘尺寸的表面安装。
笔记
1.塑料符合UL94 V0以1/ 8英寸;.
2000年2月
5
启1.000
飞利浦半导体
初步speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
概述
玻璃钝化整流高
在一个塑料端双向可控硅开关的包络适于
表面贴装设计用于使用
电路中的高静态和动态
的dV / dt和dI / dt高可能发生。这些
设备将整流全额定
RMS电流在额定的最大
结温度，无需借助于
一个缓冲。
BTA212B C系列
快速参考数据
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
600C
600
12
95
800C
800
12
95
V
A
A
BTA212B- 500C
重复峰值断态
500
电压
RMS通态电流
12
非重复性峰值通态
95
当前
钉扎 - SOT404
针
1
2
3
mb
描述
主终端1
主终端2
门
主终端2
引脚配置
mb
符号
T2
2
1
3
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
99 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
12
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
95
105
45
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1997年10月
1
启1.000
飞利浦半导体
初步speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
机械数据
尺寸（mm）
净重： 1.4克
10.3最大
4.5最大
1.4最大
BTA212B C系列
11最大
15.4
2.5
0.85最大
(x2)
2.54 (x2)
0.5
图1 。 SOT404 ：中心引脚连接到安装基座。
笔记
1.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
安装说明
尺寸（mm）
11.5
9.0
17.5
2.0
3.8
5.08
图2 。 SOT404 ：最小焊盘尺寸的表面安装。
笔记
1.塑料符合UL94 V0以1/ 8英寸;.
1997年10月
3
启1.000
飞利浦半导体
初步speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
BTA212B C系列
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
限制值以符合绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。应力大于1
以上的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点，部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
飞利浦电子N.V. 1997
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息，它被认为是
准确和可靠的，没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示（或暗示）专利或其他任何许可
工业或知识产权。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1997年10月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
概述
玻璃钝化整流高
在一个塑料端双向可控硅开关的包络适于
表面贴装设计用于使用
电路中的高静态和动态
的dV / dt和dI / dt高可能发生。这些
设备将整流全额定
RMS电流在额定的最大
结温度，无需借助于
一个缓冲。
BTA212B系列B
快速参考数据
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
600B
600
12
95
800B
800
12
95
V
A
A
BTA212B- 500B
重复峰值断态
500
电压
RMS通态电流
12
非重复性峰值通态
95
当前
钉扎 - SOT404
针
1
2
3
mb
描述
主终端1
主终端2
门
主终端2
引脚配置
mb
符号
T2
2
1
3
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
99 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
12
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
95
105
45
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1997年9月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
机械数据
尺寸（mm）
净重： 1.4克
10.3最大
4.5最大
1.4最大
BTA212B系列B
11最大
15.4
2.5
0.85最大
(x2)
2.54 (x2)
0.5
图13 。 SOT404 ：中心引脚连接到安装基座。
笔记
1.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
安装说明
尺寸（mm）
11.5
9.0
17.5
2.0
3.8
5.08
图14 。 SOT404 ：最小焊盘尺寸的表面安装。
笔记
1.塑料符合UL94 V0以1/ 8英寸;.
1997年9月
5
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
概述
玻璃钝化整流高
在一个塑料外壳可控硅意
在电路中使用，其中高静
动态dv / dt和高di / dt的能
发生。这些设备将换向
在全额定电流有效值在
最大额定结温，
未经缓冲的帮助。
BTA212 B系列
快速参考数据
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
BTA212-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500B
500
12
95
600B
600
12
95
800B
800
12
95
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
99 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
12
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
95
105
45
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1997年9月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
BTA212 B系列
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图13 。 TO220AB ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装用于TO220信封的说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1997年9月
5
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
概述
玻璃钝化整流高
在一个塑料外壳可控硅意
在电路中使用，其中高静
动态dv / dt和高di / dt的能
发生。这些设备将换向
在全额定电流有效值在
最大额定结温，
未经缓冲的帮助。
BTA212 B系列
快速参考数据
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
BTA212-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500B
500
12
95
600B
600
12
95
800B
800
12
95
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
99 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
12
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
95
105
45
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1997年9月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
BTA212 B系列
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图13 。 TO220AB ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装用于TO220信封的说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1997年9月
5
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
概述
玻璃钝化整流高
在一个塑料外壳可控硅意
在电路中使用，其中高静
动态dv / dt和高di / dt的能
发生。这些设备将换向
在全额定电流有效值在
最大额定结温，
未经缓冲的帮助。
BTA212 B系列
快速参考数据
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
BTA212-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500B
500
12
95
600B
600
12
95
800B
800
12
95
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
99 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
12
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
95
105
45
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1997年9月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
BTA212 B系列
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图13 。 TO220AB ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装用于TO220信封的说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1997年9月
5
启1.200
QQ：2881677436 复制
