飞利浦半导体
初步speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
概述
玻璃钝化整流高
在一个塑料外壳可控硅意
在电路中使用，其中高静
动态dv / dt和高di / dt的能
发生。这些设备将换向
在全额定电流有效值在
最大额定结温，
未经缓冲的帮助。
BTA212 C系列
快速参考数据
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
BTA212-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500C
500
12
95
600C
600
12
95
800C
800
12
95
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
99 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
12
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
95
105
45
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1997年10月
1
启1.000
飞利浦半导体
初步speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
BTA212 C系列
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
限制值以符合绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。应力大于1
以上的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点，部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
飞利浦电子N.V. 1997
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息，它被认为是
准确和可靠的，没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示（或暗示）专利或其他任何许可
工业或知识产权。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1997年10月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
快速参考数据
符号
参数
BTA212系列D，E和F
钝化保证减刑
在一个塑料外壳可控硅用于
在电机控制电路或与其它使用
高电感负载。这些设备
换向平衡的要求
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic level"
D系列旨在与接口
低功耗的驱动程序，包括微
控制器。
马克斯。
600D
600E
600F
600
12
95
马克斯。
800E
800F
800
12
95
单位
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
BTA212-
BTA212-
BTA212-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
99 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-600
600
1
12
马克斯。
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
95
105
45
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
2000年2月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
BTA212系列D，E和F
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图13 。 SOT78 （ TO220AB ） 。 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装说明SOT78 （ TO220 ）信封。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
2000年2月
5
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
快速参考数据
符号
参数
BTA212系列D，E和F
钝化保证减刑
在一个塑料外壳可控硅用于
在电机控制电路或与其它使用
高电感负载。这些设备
换向平衡的要求
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic level"
D系列旨在与接口
低功耗的驱动程序，包括微
控制器。
马克斯。
600D
600E
600F
600
12
95
马克斯。
800E
800F
800
12
95
单位
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
BTA212-
BTA212-
BTA212-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
99 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-600
600
1
12
马克斯。
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
95
105
45
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
2000年2月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
BTA212系列D，E和F
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图13 。 SOT78 （ TO220AB ） 。 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装说明SOT78 （ TO220 ）信封。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
2000年2月
5
启1.000
QQ：2880707522 复制
