飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
概述
玻璃钝化整流高
在一个塑料外壳端双向可控硅开关，适合
为表面安装，用于使用
在电路中的高静态和
动态dv / dt和高di / dt的能
发生。这些设备将换向
在全额定电流有效值在
最大额定结温，
未经缓冲的帮助。
BTA208S B系列
BTA208M B系列
快速参考数据
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
BTA208S
（或BTA208M ） -
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500B
500
8
65
600B
600
8
65
800B
800
8
65
V
A
A
钉扎 - SOT428
针
另类标准
数
S
M
1
2
3
TAB
MT1
MT2
门
MT2
门
MT2
MT1
MT2
引脚配置
TAB
符号
T2
T1
2
1
3
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
102 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 12 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
8
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
65
71
21
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过6 A / μs的。
1997年9月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
机械数据
尺寸（mm）
净重： 1.1克
6.73最大
1.1
2.38最大
0.93最大
飞机座位
BTA208S B系列
BTA208M B系列
5.4
TAB
4分钟
6.22最大
10.4最大
4.6
2
1
2.285 (x2)
0.5分钟
0.5
0.3
0.5
3
0.8最大
(x2)
图13 。 SOT428 ：中心引脚连接选项卡。
安装说明
尺寸（mm）
7.0
7.0
2.15
2.5
1.5
4.57
图14 。 SOT428 ：最小焊盘尺寸的表面安装。
笔记
1.塑料符合UL94 V0以1/ 8英寸;.
1997年9月
5
启1.200
DP
AK
BTA208S-600B
3Q的Hi- COM可控硅
第3版 - 2011年4月13日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面钝化高减刑3象限三端双向可控硅在SOT428表面贴装
塑料封装。这"series B"可控硅旨在用于在电路中的高静态和
动态dv / dt和高di / dt的可能发生。该"series B"将整流全额定RMS
电流在最大额定结温未经缓冲的帮助。
1.2特点和优点
3Q技术，提高了抗噪声
免疫
具有较高的换向功能
最大的误触发免疫
抗干扰能力强假接通了的dV / dt
高电压能力
平面钝化电压
耐用性和可靠性
表面贴装封装
触发只在三个象限
1.3应用
电子温控器
通用电机控制
整流器输入DC感性负载如
直流电动机和螺线管
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DRM
I
TSM
快速参考数据
参数
重复峰值
断态电压
不重复
峰值通态
当前
RMS通态
当前
全正弦波;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
t
p
= 20毫秒;看
图4 ;
SEE
图5
全正弦波;牛逼
mb
≤
102 °C;
SEE
图1 ;
SEE
图2 ;
SEE
科幻gure 3
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A; T2 + G + ;
T
j
= 25°C ;看
图7
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A; T2 + G- ;
T
j
= 25°C ;看
图7
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A; T2- G- ;
T
j
= 25°C ;看
图7
条件
民
-
-
典型值
-
-
最大单位
600
65
V
A
I
T（ RMS ）
-
-
8
A
静态特性
I
GT
门极触发
当前
2
2
2
18
21
34
50
50
50
mA
mA
mA
恩智浦半导体
BTA208S-600B
3Q的Hi- COM可控硅
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号说明
T1
T2
G
T2
主终端1
主终端2
门
安装底座;
主终端2
2
1
3
mb
T2
sym051
简化的轮廓
图形符号
T1
G
SOT428 （ DPAK ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BTA208S-600B
DPAK
描述
塑料单端表面安装封装（ DPAK ） ; 3引线
（ 1铅裁剪）
VERSION
SOT428
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
极限值
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
全正弦波;牛逼
mb
≤
102 °C;
SEE
图1 ;
SEE
图2 ;
SEE
科幻gure 3
全正弦波;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
t
p
= 20毫秒;看
图4 ;
SEE
图5
全正弦波;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
t
p
= 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
率通态电流上升
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
在任何20毫秒期
t
p
= 10毫秒;正弦波脉冲
I
T
= 12 A;我
G
= 0.2 A;的dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
最大
600
8
65
72
21
100
2
5
5
0.5
150
125
单位
V
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
°C
°C
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
BTA208S-600B
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
第3版 - 2011年4月13日
2 13
恩智浦半导体
BTA208S-600B
3Q的Hi- COM可控硅
80
I
TSM
(A)
60
003aaa968
40
I
T
20
I
TSM
t
T
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
0
1
10
10
2
周期数
10
3
图4 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
003aab121
10
3
I
T
I
TSM
(A)
(1)
10
2
I
TSM
t
t
p
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
10
10
2
10
1
1
10
t
p
（女士）
10
2
图5 。
非重复性峰值通态电流为脉冲宽度的功能;最大值
BTA208S-600B
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
第3版 - 2011年4月13日
4 13
BTA208S -600B ; BTA208S -800B
三象限三端双向可控硅整流高
牧师02 - 2005年5月31日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
高钝化可控硅整流在一个塑料外壳，适合表面安装，
旨在用于在电路中的高静态和动态的dV / dt和dI / dt高可能发生。
这些设备将整流全额定RMS电流在最大额定结
温度，没有缓冲的帮助。
1.2产品特点
s
高最高结温
s
高换向能力
s
表面安装封装
s
低热阻
1.3快速参考数据
s
V
DRM
≤
600 V （ BTA208S - 600B ）
s
V
DRM
≤
800 V （ BTA208S - 800B ）
s
I
T（ RMS ）
≤
8 A
s
I
TSM
≤
65 A
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎
描述
主终端1 （T1）的
主终端2 （T2）的
栅极（G ）
安装底座
[1]
简化的轮廓
mb
符号
T2
sym051
T1
G
2
1
3
SOT428 （ DPAK ）
[1]
连接到主终端2 （T2）。
飞利浦半导体
BTA208S -600B ; BTA208S -800B
三象限三端双向可控硅整流高
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
BTA208S-600B
BTA208S-800B
TO-252
描述
VERSION
塑料单端表面安装封装（ DPAK ） ; SOT428
3导线（一根导线裁剪）
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DRM
重复峰值断态电压
BTA208S-600B
BTA208S-800B
I
T（ RMS ）
I
TSM
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
全正弦波;牛逼
mb
≤
102
°C;
SEE
图4
和
5
全正弦波;牛逼
j
= 25
°C
前激增;
SEE
图2
和
3
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
[1]
[1]
条件
民
-
-
-
最大
600
800
8
单位
V
V
A
-
-
-
-
-
-
-
65
71
21
100
2
5
5
0.5
+150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
°C
°C
I
2
吨融合
率通态电流上升
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
T = 10毫秒
I
TM
= 12 A;我
G
= 0.2 A;的dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
在任何20毫秒期
-
40
-
尽管不推荐，断开状态电压高达800V，可以在不损坏被应用，但双向可控硅可切换到导通状态。该
电流上升率应不超过6 A / s 。
9397 750 14861
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
牧师02 - 2005年5月31日
2 13
飞利浦半导体
BTA208S -600B ; BTA208S -800B
三象限三端双向可控硅整流高
12
P
合计
(W)
8
α
α
001aac659
α
= 180
120
90
60
30
101
T
mb个（最多）
(C)
105
109
113
4
117
121
0
0
2
4
6
8
I
T（ RMS ）
(A)
10
125
α
=导通角
图1.在状态的功耗为通态电流有效值的功能;最大值
70
I
TSM
(A)
50
40
30
20
10
0
1
10
I
T
001aac667
I
TSM
t
p
t
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
10
2
半周期的数目
10
3
F = 50赫兹
图2.非重复性峰值通态电流的半周期的数量的函数;正弦电流;最大
值
9397 750 14861
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
牧师02 - 2005年5月31日
3 13
飞利浦半导体
BTA208S -600B ; BTA208S -800B
三象限三端双向可控硅整流高
10
3
I
T
I
TSM
(A)
dl
T
/ dt限制
001aac663
I
TSM
t
T
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
10
2
10
10
2
10
1
1
10
t
p
（女士）
10
2
t
p
≤
20毫秒
图3.非重复性峰值通态电流为脉冲宽度的功能;正弦电流;最大值
001aac665
25
I
T（ RMS ）
(A)
20
10
I
T（ RMS ）
(A)
8
001aac661
102
°C
15
6
10
4
5
2
0
10
2
10
1
1
10
浪涌持续时间（ S）
0
50
0
50
100
150
T
mb
(°C)
F = 50赫兹;牛逼
mb
≤
102
°C
图4. RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;正弦电流;最大值
图5. RMS通态电流为固定的函数
基础体温;最大值
9397 750 14861
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
牧师02 - 2005年5月31日
4 13
飞利浦半导体
BTA208S -600B ; BTA208S -800B
三象限三端双向可控硅整流高
5.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
全周期;看
图6
半周期;看
图6
印刷电路板（ FR4）
安装;足迹中
图14
民
-
-
-
典型值
-
-
75
最大
2.0
2.4
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻结
安装基座
热阻结到
环境
符号参数
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
1
001aac673
单向
双向
10
1
P
D
10
2
t
p
t
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
10
图6.瞬态结点作为脉冲宽度的函数的热阻抗，以安装基座
9397 750 14861
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
牧师02 - 2005年5月31日
5 13
QQ：2880707522 复制
