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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第474页 > BTA208-600F
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
快速参考数据
符号
参数
BTA208系列D,E和F
钝化保证减刑
在一个塑料外壳可控硅用于
在电机控制电路或与其它使用
高电感负载。这些设备
换向平衡的要求
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic level"
D系列旨在与接口
低功耗的驱动程序,包括微
控制器。
马克斯。
BTA208-
BTA208-
BTA208-
600D
600E
600F
600
8
65
马克斯。
-
800E
800F
800
8
65
单位
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
重复峰值
断态电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
V
A
A
钉扎 - TO220AB
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )的限制值。
符号
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
102 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 12 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-600
600
1
8
马克斯。
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后,
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
65
72
21
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议,断态电压高达800V可在不损伤被应用,但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过6 A / μs的。
2000年2月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
BTA208系列D,E和F
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
60
马克斯。
2.0
2.4
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
2
条件
BTA208-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 10 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理(最大值)
;
T
j
= 125 C
分钟。
典型值。
...D
...D
5
5
5
15
25
25
15
... D, E,F
马克斯。
...E
10
10
10
25
30
30
25
1.65
1.5
-
0.5
...F
25
25
25
30
40
40
30
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
0.8
2.0
3.2
7.2
8.2
11.0
5.3
1.3
0.7
0.4
0.1
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
L
闭锁电流
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
换向电流
变化率的关键
换向电流
条件
BTA208-
V
DM
= 67% V
数字版权管理(最大值)
;
T
j
= 110℃ ;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T( RMS )
= 8 A;
dV
COM
/ DT = 20V / μs的;门
开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T( RMS )
= 8 A;
dV
COM
/ DT = 0.1V / μs的;门
开路
I
TM
= 12 A; V
D
= V
数字版权管理(最大值)
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
...D
20
分钟。
...E
60
...F
70
典型值。
...D
60
-
V / μs的
马克斯。
单位
dI
COM
/ DT
1.8
3.5
5
8.5
-
A / MS
dI
COM
/ DT
5
16
19
100
-
A / MS
... D, E,F
t
gt
门控开启
时间
-
-
-
2
-
s
2
设备不会在T2- , G +象限触发。
2000年2月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
BTA208系列D,E和F
12
10
P合计/ W
TMB (最大值) / C
101
= 180
120
1
10
IT ( RMS ) / A
BT137
105
109
90
60
30
8
102 C
8
6
4
2
0
6
113
4
117
121
125
10
2
0
2
4
6
IT ( RMS ) / A
8
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
图1 。最大通态损耗,P
合计
,与有效值
通态电流I
T( RMS )
,其中,
α
=导通角。
ITSM / A
图4 。允许的最大均方根电流I
T( RMS )
,
与安装基座温度T
mb
.
IT ( RMS ) / A
1000
25
20
dI
T
/ dt限制
100
15
10
IT
T
10
10us
我TSM
时间
5
TJ初始= 25℃最高
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
,与脉冲宽度t
p
正弦电流,T
p
20ms.
ITSM / A
IT
T
50
40
30
20
10
0
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T( RMS )
,与持续激增,为正弦
电流, F = 50赫兹;牛逼
mb
102C.
VGT ( TJ )
VGT ( 25℃ )
70
60
ITSM
时间
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
TJ初始= 25℃最高
1
10
100
1000
0.4
-50
0
半周期在50Hz数
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
,对周期数,对于
正弦电流, F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
(25℃ ) ,与结温度T
j
.
2000年2月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
BTA208系列D,E和F
IGT ( TJ )
IGT(25°C)
3
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
25
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
2.5
20
典型值
VO = 1.264 V
卢比= 0.0378欧姆
最大
2
15
1.5
10
1
0.5
5
0
-50
0
TJ /°C的
50
100
150
0
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
(25℃ ) ,与结温度T
j
.
白细胞介素( TJ )
IL ( 25℃ )
图10 。典型和最大通态特性。
10
第i个J- MB (K / W)
3
2.5
单向
1
双向
2
1.5
1
0.5
0
-50
0.01
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1
P
D
tp
t
0
50
TJ / C
100
150
0.1s
1s
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH( TJ)
IH(25C)
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- MB
,与
脉冲宽度t
p
.
DICOM / DT ( A / MS )
100
F型
E键入
D型
3
2.5
2
10
1.5
1
0.5
0
-50
1
0
50
TJ / C
100
150
20
40
60
80
TJ /°C的
100
120
140
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。变化最小,爆击率
换向电流,二
COM
/ DT与结
温度,DV
COM
/ DT = 20V / μs的。
2000年2月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
机械数据
尺寸(mm)
净重: 2克
BTA208系列D,E和F
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值(3×)
0,6
2,4
图13 。 SOT78 ( TO220AB ) 。 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装说明SOT78 ( TO220 )信封。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
2000年2月
5
启1.000
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
快速参考数据
符号
参数
BTA208系列D,E和F
钝化保证减刑
在一个塑料外壳可控硅用于
在电机控制电路或与其它使用
高电感负载。这些设备
换向平衡的要求
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic level"
D系列旨在与接口
低功耗的驱动程序,包括微
控制器。
马克斯。
BTA208-
BTA208-
BTA208-
600D
600E
600F
600
8
65
马克斯。
-
800E
800F
800
8
65
单位
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
重复峰值
断态电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
V
A
A
钉扎 - TO220AB
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )的限制值。
符号
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
102 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 12 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-600
600
1
8
马克斯。
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后,
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
65
72
21
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议,断态电压高达800V可在不损伤被应用,但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过6 A / μs的。
1999年10月
1
启1.200
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
BTA208系列D,E和F
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
60
马克斯。
2.0
2.4
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
2
条件
BTA208-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 10 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理(最大值)
;
T
j
= 125 C
分钟。
典型值。
...D
马克斯。
...E
10
10
10
20
30
30
25
1.65
1.5
-
0.5
...F
25
25
25
25
40
40
30
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
-
-
-
-
-
-
-
1.3
0.7
0.4
0.1
5
5
5
15
25
25
15
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
L
闭锁电流
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
换向电流
条件
BTA208-
V
DM
= 67% V
数字版权管理(最大值)
;
T
j
= 110℃ ;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T( RMS )
= 8 A;
dV
COM
/ DT = 20V / μs的;门
开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T( RMS )
= 8 A;
dV
COM
/ DT = 0.1V / μs的;门
开路
I
TM
= 12 A; V
D
= V
数字版权管理(最大值)
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
...D
30
分钟。
...E
60
...F
70
-
V / μs的
典型值。
马克斯。
单位
dI
COM
/ DT
1.8
3.5
4.5
-
A / MS
dI
COM
/ DT
变化率的关键
换向电流
3.5
4.5
5.5
-
A / MS
t
gt
门控开启
时间
-
-
-
2
-
s
2
设备不会在T2- , G +象限触发。
1999年10月
2
启1.200
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
机械数据
尺寸(mm)
净重: 2克
BTA208系列D,E和F
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值(3×)
0,6
2,4
图1 。 SOT78 ( TO220AB ) 。 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装说明SOT78 ( TO220 )信封。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1999年10月
3
启1.200
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
BTA208系列D,E和F
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
限制值以符合绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。应力大于1
以上的限制,可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点,部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出,它是咨询,并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
飞利浦电子N.V. 1999
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息,它被认为是
准确和可靠的,没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示(或暗示)专利或其他任何许可
工业或知识产权。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统,其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险,并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1999年10月
4
启1.200
WWW.ALLDATASHEET.COM
版权所有每个制造公司。
所有的数据表不能擅自修改。
该数据表已经从下载:
WWW.ALLDATASHEET.COM
100 %免费的搜索datasheet的网站。
免费下载。
没有注册。
快速检索系统。
WWW.ALLDATASHEET.COM
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
快速参考数据
符号
参数
BTA208系列D,E和F
钝化保证减刑
在一个塑料外壳可控硅用于
在电机控制电路或与其它使用
高电感负载。这些设备
换向平衡的要求
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic level"
D系列旨在与接口
低功耗的驱动程序,包括微
控制器。
马克斯。
BTA208-
BTA208-
BTA208-
600D
600E
600F
600
8
65
马克斯。
-
800E
800F
800
8
65
单位
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
重复峰值
断态电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
V
A
A
钉扎 - TO220AB
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )的限制值。
符号
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
102 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 12 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-600
600
1
8
马克斯。
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后,
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
65
72
21
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议,断态电压高达800V可在不损伤被应用,但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过6 A / μs的。
1999年10月
1
启1.200
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
BTA208系列D,E和F
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
60
马克斯。
2.0
2.4
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
2
条件
BTA208-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 10 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理(最大值)
;
T
j
= 125 C
分钟。
典型值。
...D
马克斯。
...E
10
10
10
20
30
30
25
1.65
1.5
-
0.5
...F
25
25
25
25
40
40
30
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
-
-
-
-
-
-
-
1.3
0.7
0.4
0.1
5
5
5
15
25
25
15
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
L
闭锁电流
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
换向电流
条件
BTA208-
V
DM
= 67% V
数字版权管理(最大值)
;
T
j
= 110℃ ;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T( RMS )
= 8 A;
dV
COM
/ DT = 20V / μs的;门
开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T( RMS )
= 8 A;
dV
COM
/ DT = 0.1V / μs的;门
开路
I
TM
= 12 A; V
D
= V
数字版权管理(最大值)
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
...D
30
分钟。
...E
60
...F
70
-
V / μs的
典型值。
马克斯。
单位
dI
COM
/ DT
1.8
3.5
4.5
-
A / MS
dI
COM
/ DT
变化率的关键
换向电流
3.5
4.5
5.5
-
A / MS
t
gt
门控开启
时间
-
-
-
2
-
s
2
设备不会在T2- , G +象限触发。
1999年10月
2
启1.200
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
机械数据
尺寸(mm)
净重: 2克
BTA208系列D,E和F
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值(3×)
0,6
2,4
图1 。 SOT78 ( TO220AB ) 。 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装说明SOT78 ( TO220 )信封。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1999年10月
3
启1.200
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
BTA208系列D,E和F
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
限制值以符合绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。应力大于1
以上的限制,可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点,部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出,它是咨询,并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
飞利浦电子N.V. 1999
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息,它被认为是
准确和可靠的,没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示(或暗示)专利或其他任何许可
工业或知识产权。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统,其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险,并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1999年10月
4
启1.200
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
快速参考数据
符号
参数
BTA208系列D,E和F
钝化保证减刑
在一个塑料外壳可控硅用于
在电机控制电路或与其它使用
高电感负载。这些设备
换向平衡的要求
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic level"
D系列旨在与接口
低功耗的驱动程序,包括微
控制器。
马克斯。
BTA208-
BTA208-
BTA208-
600D
600E
600F
600
8
65
马克斯。
-
800E
800F
800
8
65
单位
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
重复峰值
断态电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
V
A
A
钉扎 - TO220AB
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )的限制值。
符号
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
102 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 12 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-600
600
1
8
马克斯。
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后,
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
65
72
21
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议,断态电压高达800V可在不损伤被应用,但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过6 A / μs的。
1999年10月
1
启1.200
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
BTA208系列D,E和F
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
60
马克斯。
2.0
2.4
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
2
条件
BTA208-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 10 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理(最大值)
;
T
j
= 125 C
分钟。
典型值。
...D
马克斯。
...E
10
10
10
20
30
30
25
1.65
1.5
-
0.5
...F
25
25
25
25
40
40
30
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
-
-
-
-
-
-
-
1.3
0.7
0.4
0.1
5
5
5
15
25
25
15
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
L
闭锁电流
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
换向电流
条件
BTA208-
V
DM
= 67% V
数字版权管理(最大值)
;
T
j
= 110℃ ;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T( RMS )
= 8 A;
dV
COM
/ DT = 20V / μs的;门
开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T( RMS )
= 8 A;
dV
COM
/ DT = 0.1V / μs的;门
开路
I
TM
= 12 A; V
D
= V
数字版权管理(最大值)
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
...D
30
分钟。
...E
60
...F
70
-
V / μs的
典型值。
马克斯。
单位
dI
COM
/ DT
1.8
3.5
4.5
-
A / MS
dI
COM
/ DT
变化率的关键
换向电流
3.5
4.5
5.5
-
A / MS
t
gt
门控开启
时间
-
-
-
2
-
s
2
设备不会在T2- , G +象限触发。
1999年10月
2
启1.200
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
机械数据
尺寸(mm)
净重: 2克
BTA208系列D,E和F
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值(3×)
0,6
2,4
图1 。 SOT78 ( TO220AB ) 。 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装说明SOT78 ( TO220 )信封。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1999年10月
3
启1.200
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
BTA208系列D,E和F
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
限制值以符合绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。应力大于1
以上的限制,可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点,部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出,它是咨询,并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
飞利浦电子N.V. 1999
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息,它被认为是
准确和可靠的,没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示(或暗示)专利或其他任何许可
工业或知识产权。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统,其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险,并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1999年10月
4
启1.200
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
快速参考数据
符号
参数
BTA208系列D,E和F
钝化保证减刑
在一个塑料外壳可控硅用于
在电机控制电路或与其它使用
高电感负载。这些设备
换向平衡的要求
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic level"
D系列旨在与接口
低功耗的驱动程序,包括微
控制器。
马克斯。
BTA208-
BTA208-
BTA208-
600D
600E
600F
600
8
65
马克斯。
-
800E
800F
800
8
65
单位
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
重复峰值
断态电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
V
A
A
钉扎 - TO220AB
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )的限制值。
符号
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
102 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 12 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-600
600
1
8
马克斯。
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后,
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
65
72
21
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议,断态电压高达800V可在不损伤被应用,但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过6 A / μs的。
1999年10月
1
启1.200
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
BTA208系列D,E和F
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
60
马克斯。
2.0
2.4
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
2
条件
BTA208-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 10 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理(最大值)
;
T
j
= 125 C
分钟。
典型值。
...D
马克斯。
...E
10
10
10
20
30
30
25
1.65
1.5
-
0.5
...F
25
25
25
25
40
40
30
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
-
-
-
-
-
-
-
1.3
0.7
0.4
0.1
5
5
5
15
25
25
15
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
L
闭锁电流
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
换向电流
条件
BTA208-
V
DM
= 67% V
数字版权管理(最大值)
;
T
j
= 110℃ ;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T( RMS )
= 8 A;
dV
COM
/ DT = 20V / μs的;门
开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T( RMS )
= 8 A;
dV
COM
/ DT = 0.1V / μs的;门
开路
I
TM
= 12 A; V
D
= V
数字版权管理(最大值)
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
...D
30
分钟。
...E
60
...F
70
-
V / μs的
典型值。
马克斯。
单位
dI
COM
/ DT
1.8
3.5
4.5
-
A / MS
dI
COM
/ DT
变化率的关键
换向电流
3.5
4.5
5.5
-
A / MS
t
gt
门控开启
时间
-
-
-
2
-
s
2
设备不会在T2- , G +象限触发。
1999年10月
2
启1.200
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
机械数据
尺寸(mm)
净重: 2克
BTA208系列D,E和F
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值(3×)
0,6
2,4
图1 。 SOT78 ( TO220AB ) 。 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装说明SOT78 ( TO220 )信封。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1999年10月
3
启1.200
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
BTA208系列D,E和F
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
限制值以符合绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。应力大于1
以上的限制,可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点,部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出,它是咨询,并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
飞利浦电子N.V. 1999
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
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准确和可靠的,没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示(或暗示)专利或其他任何许可
工业或知识产权。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统,其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险,并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1999年10月
4
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