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BTA202X系列D和E
2三象限三端双向可控硅整流高
牧师01 - 2008年2月7日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
高钝化整流三端双向可控硅在SOT186A “全包”的塑料包装。这些三端双向可控硅
平衡的换向性能和栅极灵敏度的要求。该
“敏感”门E系列和“逻辑电平” D系列旨在与接口
低功耗的驱动器，包括微控制器。
1.2产品特点
I
敏感栅
I
非常高的换向性能
最大化在每个门的灵敏度
I
抗干扰能力强的dV / dt
I
高隔离电压
1.3应用
I
电机控制
I
电磁驱动器
1.4快速参考数据
I
I
I
I
I
V
DRM
≤
600 V （ BTA202X - 600D ）
V
DRM
≤
600 V （ BTA202X - 600E ）
V
DRM
≤
800 V （ BTA202X - 800D ）
V
DRM
≤
800 V （ BTA202X - 800E ）
I
T（ RMS ）
≤
2 A
I
I
I
I
I
GT
≤
5毫安（ BTA202X - 600D ）
I
GT
≤
10毫安（ BTA202X - 600E ）
I
GT
≤
5毫安（ BTA202X - 800D ）
I
GT
≤
10毫安（ BTA202X - 800E ）
恩智浦半导体
BTA202X系列D和E
2三象限三端双向可控硅整流高
2.管脚信息
表1中。
针
1
2
3
mb
钉扎
描述
主终端1 （T1）的
主终端2 （T2）的
栅极（G ）
安装基座（隔绝）
mb
T2
sym051
简化的轮廓
图形符号
T1
G
1 2 3
SOT186A （TO- 220F ）
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BTA202X-600D
BTA202X-600E
BTA202X-800D
BTA202X-800E
TO-220F
描述
VERSION
塑料单端封装;孤立的散热器安装; 1安装孔; SOT186A
3引脚TO -220 “全包”
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
条件
BTA202X - 600D ; BTA202X - 600E
BTA202X - 800D ; BTA202X - 800E
全正弦波;牛逼
h
≤
110
°C;
SEE
图4
和
5
全正弦波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;看
图2
和
3
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
P
GM
I
2
吨融合
率通态电流上升
栅极峰值电流
峰值功率门
t
p
= 10毫秒
I
TM
= 1.5 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
-
-
-
-
-
-
14
15.4
0.98
100
2
5
A
A
A
2
s
A / μs的
A
W
-
[1]
民
-
最大
600
800
2
单位
V
V
A
BTA202X_SER_D_E_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 2008年2月7日
2 12
恩智浦半导体
BTA202X系列D和E
2三象限三端双向可控硅整流高
表3中。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
[1]
参数
平均功耗门
储存温度
结温
条件
在任何20毫秒期
民
-
40
-
最大
0.5
+150
125
单位
W
°C
°C
尽管不推荐，断开状态电压高达800V，可以在不损坏被应用，但双向可控硅可切换到导通状态。该
电流上升率应不超过6 A / s 。
3
P
合计
(W)
传导
角
（度）
30
60
90
120
180
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
003aac112
α
= 180°
120°
90°
α
2
60°
30°
1
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
T（ RMS ）
(A)
2
α
=导通角
图1 。
总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
003aac110
20
I
TSM
(A)
16
12
8
I
T
I
TSM
t
1/f
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
4
0
1
10
10
2
周期数
10
3
F = 50赫兹
图2 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
BTA202X_SER_D_E_1
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3 12
恩智浦半导体
BTA202X系列D和E
2三象限三端双向可控硅整流高
10
3
I
TSM
(A)
I
T
003aac113
I
TSM
t
t
p
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
10
2
(1)
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
p
( s)
10
-1
t
p
≤
20毫秒
（1）的dI
T
/ dt限制
图3 。
非重复性峰值通态电流为脉冲宽度的功能;最大值
003aac111
003aac109
10
I
T（ RMS ）
(A)
8
3
I
T（ RMS ）
(A)
2
6
4
1
2
0
10
-2
10
-1
1
10
浪涌持续时间（ S）
0
-50
0
50
100
T
h
(°C)
150
F = 50赫兹;牛逼
h
= 110
°C
图4 。
RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
图5 。
RMS通态电流作为散热器的功能
温度;最大值
BTA202X_SER_D_E_1
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BTA202X系列D和E
2三象限三端双向可控硅整流高
5.热特性
表4 。
符号
R
号（j -h）中
R
号（j -a）的
热特性
参数
条件
民
-
-
典型值
-
55
最大
5.5
-
单位
K / W
K / W
从结点到双向热阻;看
散热器
图6
从结热阻在自由空气
环境
10
Z
号（j -h）中
（K / W）
1
001aah553
10
1
P
10
2
t
p
t
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
10
图6 。
从结瞬态热阻抗到散热片作为脉冲宽度的函数
6.隔离特性
表5 。
隔离限制值和特征
T
h
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
ISOL （ RMS ）
参数
条件
民
-
典型值
-
最大
2500
单位
V
所有三个终端RMS的隔离电压
外部散热器; F = 50Hz到
60赫兹;正弦波;
RH
≤
65 ％ ;清洁无尘
隔离电容
从引脚2到外部散热器;
F = 1 MHz的
C
ISOL
-
10
-
pF
BTA202X_SER_D_E_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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