恩智浦半导体
BTA201W E系列
1三象限三端双向可控硅整流高
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BTA201W-600E
BTA201W-800E
SC-73
描述
塑料表面贴装封装,增加了散热片; 4引线
VERSION
SOT223
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
条件
BTA201W-600E
BTA201W-800E
全正弦波;牛逼
sp
≤
106
°C;
SEE
图4
和
5
全正弦波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;看
图2
和
3
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
P
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
[1]
[1]
民
-
-
-
最大
600
800
1
单位
V
V
A
-
-
-
-
-
-
12.5
13.7
0.78
100
2
5
0.1
+150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
W
W
°C
°C
I
2
吨融合
率通态电流上升
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
t
p
= 10毫秒
I
TM
= 1.5 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
在任何20毫秒期
-
40
-
尽管不推荐,断开状态电压高达800V,可以在不损坏被应用,但双向可控硅可切换到导通状态。该
电流上升率应不超过6 A / s 。
BTA201W_SER_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年3月13日
2 13
恩智浦半导体
BTA201W E系列
1三象限三端双向可控硅整流高
1.5
α
003aab299
P
合计
(W)
α
α
= 180°
120°
90°
60°
30°
1.0
0.5
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
T( RMS )
(A)
1.2
α
=导通角
图1 。
16
I
TSM
(A)
12
总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
001aag959
8
I
T
4
I
TSM
t
T
T
J(下INIT )
= 25
°C
最大
0
1
10
10
2
周期的数目(n)的
10
3
F = 50赫兹
图2 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
BTA201W_SER_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年3月13日
3 13
恩智浦半导体
BTA201W E系列
1三象限三端双向可控硅整流高
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BTA201W-600E
BTA201W-800E
SC-73
描述
塑料表面贴装封装,增加了散热片; 4引线
VERSION
SOT223
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
条件
BTA201W-600E
BTA201W-800E
全正弦波;牛逼
sp
≤
106
°C;
SEE
图4
和
5
全正弦波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;看
图2
和
3
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
P
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
[1]
[1]
民
-
-
-
最大
600
800
1
单位
V
V
A
-
-
-
-
-
-
12.5
13.7
0.78
100
2
5
0.1
+150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
W
W
°C
°C
I
2
吨融合
率通态电流上升
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
T = 10毫秒
I
TM
= 1.5 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
在任何20毫秒期
-
40
-
尽管不推荐,断开状态电压高达800V,可以在不损坏被应用,但双向可控硅可切换到导通状态。该
电流上升率应不超过6 A / s 。
BTA201W_SER_E_2
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2007年9月17日
2 13
恩智浦半导体
BTA201W E系列
1三象限三端双向可控硅整流高
1.5
α
003aab299
P
合计
(W)
α
α
= 180°
120°
90°
60°
30°
1.0
0.5
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
T( RMS )
(A)
1.2
α
=导通角
图1.总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
16
I
TSM
(A)
12
001aag959
8
I
T
4
I
TSM
t
T
T
J(下INIT )
= 25
°C
最大
0
1
10
10
2
周期的数目(n)的
10
3
F = 50赫兹
图2.非重复性峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
值
BTA201W_SER_E_2
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2007年9月17日
3 13
恩智浦半导体
BTA201W E系列
1三象限三端双向可控硅整流高
10
3
I
T
I
TSM
(A)
001aag958
I
TSM
t
T
T
J(下INIT )
= 25
°C
最大
(1)
10
2
10
10
5
10
4
10
3
10
2
t
p
(s)
10
1
t
p
≤
20毫秒
(1)的dI
T
/ dt限制
图3.非重复性峰值通态电流为脉冲宽度的功能;最大值
001aag963
6
I
T( RMS )
(A)
4
1.2
I
T( RMS )
(A)
1.0
001aag964
0.8
0.6
2
0.4
0.2
0
10
2
10
1
1
10
浪涌持续时间( S)
0
50
0
50
100
T
sp
(°C)
150
F = 50赫兹;牛逼
sp
= 106
°
C
图4. RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
图5. RMS通态电流作为焊料的函数
点温度;最大值
BTA201W_SER_E_2
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2007年9月17日
4 13